Patent
磁気素子、磁気素子を製造する方法、および磁気メモリ装置
学校法人 関西大学, 国立大学法人 名古屋工業大学
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- Application no.
- 特願2016-049981
- Date applied
- Mar 14, 2016
- Announcement no.
- 特開2017-168514
- Date announced
- Sep 21, 2017
- Link information
- ID information
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- J-Global ID : 201703012833271896