共同研究・競争的資金等の研究課題

2017年4月 - 2020年3月

高耐久炭化ケイ素系水素分離膜の革新的合成手法開発と評価

日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

課題番号
17K06901
体系的番号
JP17K06901
配分額
(総額)
4,810,000円
(直接経費)
3,700,000円
(間接経費)
1,110,000円

Si-C結合を含む有機金属を出発原料して、対向拡散CVD法にてメソポーラス細孔内にSiC膜を合成することを試みた。SiC源としてシラシクロブタン(SCB)、基材はφ3mm、細孔径150nmのα-Al2O3基材上にNi添加γ-Al2O3を2層コートした。SCBのキャリアガスとしてAr、反応ガスとしてH2を使用した。673Kにおける水素透過率は1.2X10-7 mol/m2・s・Pa、H2/CO2=2600で、細孔径分布が非常にシャープであり、極めて欠陥の少ない膜が合成することができた。

リンク情報
KAKEN
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06901
ID情報
  • 課題番号 : 17K06901
  • 体系的番号 : JP17K06901