MISC

2010年9月5日

SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発(実験技術)

日本物理學會誌
  • 新井 康夫
  • ,
  • 三好 敏喜
  • ,
  • 一宮 亮
  • ,
  • 小貫 良行

65
9
開始ページ
691
終了ページ
698
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人日本物理学会

様々な分野で高解像度,高速,高感度な放射線イメージセンサーへの要求が高まっている.これらの要求を満たす為には,放射線センサーと読み出しエレクトロニクスとの一体化が不可欠であるが,従来の技術では困難であった.Silicon-On-Insulator(SOI)と呼ばれる技術が実用化され,長い間の夢であるモノリシック型の放射線検出器の可能性が見えてきた.SOIイメージセンサー技術の開発経過と今後の課題について解説する.

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110007701052

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