毛利真一郎 (SHINICHIRO MOURI) - マイポータル

基本情報

所属: 立命館大学理工学部電気電子工学科 (准教授)

学位: 理学博士(2009年3月京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901063025581792
researchmap会員ID: 5000081673

研究キーワード

研究分野

経歴

2016年4月 - 2020年3月

立命館大学理工学部助教 (助教)
2011年4月 - 2016年3月

京都大学エネルギー理工学研究所研究員・ポスドク (研究員)
2009年3月 - 2011年3月

千葉大学先進科学センター助教 (特任助教(2009年3月31日までは特任研究員))
2008年4月 - 2009年2月

京都大学物質細胞統合拠点研究員
2008年4月 - 2009年2月

京都大学研究員・ポスドク (物質細胞統合拠点研究員)

学歴

委員歴

2019年3月 - 2021年2月

電子材料シンポジウム電子材料シンポジウム実行委員会会場委員
2018年4月 - 2019年3月

日本物理学会領域７運営委員
2017年3月 - 2018年9月

フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会若手研究会幹事幹事

受賞

2013年3月

平成24年度京都大学エネルギー理工学研究所研究奨励賞京都大学エネルギー理工学研究所

主要な論文

Thermal Conductivity of van der Waals Hetero-bilayer MoS2/MoSe2

MOURI. Shinichiro, MATSUDA. Kazunari, Nanishi. Yasushi, ARAKI. Tsutomu

Appl. Phys. Exp 13 75001/1-75001/5 2020年6月4日査読有り筆頭著者責任著者
Metal-Covered van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride Films on Graphitic Substrates by ECR-MBE

U. Ooe, F. Bin Abas, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki, “

Jpn. J. Appl. Phys. 58(SC) SC1053 2019年6月査読有り
Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer

Darius Dobrovolskas, Shingo Arakawa, Shinichiro Mouri, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, Jūras Mickevičius and Gintautas Tamulaitis

Nanomaterials 9(3) 417 2019年3月査読有り
Evidence for line width and carrier screening effects on excitonic valley relaxation in 2D semiconductors

Yuhei. Miyauchi, Satoru. Konabe, Feijiu. Wang, Wenjin. Zhang, Alexander. Hwang, Yuusuke. Hasegawa, Lizhong. Zhou, Shinichiro. Mouri, Mingling. Toh, Goki. Eda and Kazunari. Matsuda

Nature Communications 9 2598 2018年8月査読有り

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MISC

THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価

佐藤希一, 藤井高志, 藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努, 石地耕太郎, 岩本敏志, 杉江隆一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価

佐藤希一, 藤井高志, 藤井高志, 荒木努, 毛利真一郎, 石地耕太朗, 岩本敏志, 杉江隆一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
Thermal dissociation of inter-layer excitons in MoS2/MoSe2 hetero-bilayers (vol 9, pg 6674, 2017)

Shinichiro Mouri, Wenjin Zhang, Daichi Kozawa, Yuhei Miyauchi, Goki Eda, Kazunari Matsuda

NANOSCALE 9(22) 7686-7686 2017年6月
7pAH-8 遷移金属ダイカルコゲナイドWSe_2の温度依存偏光発光励起分光(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

宮内雄平, 周利中, 毛利真一郎, Minglin Toh, 江田剛輝, 松田一成

日本物理学会講演概要集 69(2) 469-469 2014年8月22日
7pAH-7 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子多体効果のキャリア密度依存性(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

毛利真一郎, 周利中, 壷井佑夏, 宮内雄平, 松田一成

日本物理学会講演概要集 69(2) 469-469 2014年8月22日
29pAK-5 単層遷移金属ダイカルコゲナイドWSe_2におけるバレースピン緩和ダイナミクス(29pAK 領域7,領域4合同グラフェン(新物質・原子層),領域7(分子性固体))

宮内雄平, 周利中, 毛利真一郎, Toh Minglin, 江田剛輝, 松田一成

日本物理学会講演概要集 69(1) 854-854 2014年3月5日
Size-Dependent Luminescence Properties of Chromatographically-Separated Graphene Quantum Dots

Naoto Fuyuno, Daichi Kozawa, Yuhei Miyauchi, Shinichiro Mouri, Ryo Kitaura, Hisanori Shinohara, Toku Yasuda, Naoki Komatsu, Kazunari Matsuda

2013年11月7日
26aDK-5 化学ドーピングによる単原子層MoS_2の励起子・荷電励起子発光の変化(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))

毛利真一郎, 周利中, 小川泰憲, 壷井佑夏, 宮内雄平, 松田一成

日本物理学会講演概要集 68(2) 754-754 2013年8月26日
28pPSA-30 ホールドープ単層カーボンナノチューブにおける光学非線形性(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))

秋月直人, 岩村宗千代, 宮内雄平, 毛利真一郎, 松田一成

日本物理学会講演概要集 68(1) 829-829 2013年3月26日
26aXP-2 ホールドープ単層カーボンナノチューブにおける励起子・荷電励起子発光の温度依存性(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))

毛利真一郎, 岩村宗千代, 秋月直人, 宮内雄平, 松田一成

日本物理学会講演概要集 68(1) 903-903 2013年3月26日
19pEC-7 酸素ドープカーボンナノチューブにおける励起子ダイナミクス(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))

宮内雄平, 岩村宗千代, 毛利真一郎, 川添忠, 大津元一, 松田一成

日本物理学会講演概要集 67(2) 778-778 2012年8月24日
19pEC-8 ホールドープ単層カーボンナノチューブの発光スペクトルにおける電場印加効果(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))

毛利真一郎, 宮内雄平, 松田一成

日本物理学会講演概要集 67(2) 779-779 2012年8月24日
24pPSA-44 酸素ドープ単層カーボンナノチューブの光学特性(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))

岩村宗千代, 宮内雄平, 毛利真一郎, 松田一成

日本物理学会講演概要集 67(1) 783-783 2012年3月5日
25aCF-4 電気化学的手法による単層カーボンナノチューブにおける正、負トリオンの観測(25aCF ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))

松田一成, 毛利真一郎, 宮内雄平, 朴珍成, 中嶋直敏

日本物理学会講演概要集 67(1) 891-891 2012年3月5日
25aCF-3 カーボンナノチューブの発光量子効率と励起子ダイナミクス(25aCF ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))

毛利真一郎, 宮内雄平, 松田一成

日本物理学会講演概要集 67(1) 891-891 2012年3月5日

書籍等出版物

カルコゲナイド系層状物質の最新研究第3編第4章

毛利真一郎, 松田一成 (担当:分担執筆, 範囲:228-236)

シーエムシー出版 2016年7月 (ISBN: 9784781311661)

講演・口頭発表等

214

Thermal conductivity of suspended twisted bilayer graphene

J. Doi, S. Mouri, T.Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月8日
Influenece of the Layer Number of Graphene on Remote Epitaxy of InN byRF-MBE

K. Matsushima, S. Mouri, T. Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月8日
Growth of GaN Film on ScSlMgO4 Substrate by RF-MBE

S.Kayamoto, T. Fuji, T. Fukuda, R. Sugie, S. Mouri and T.Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月7日
Thermal Transport Property of Suspended Twisted Bilayer Graphene

土井惇太郎, 毛利真一郎, 荒木努

第59回フラーレンナノチューブグラフェン学会総合シンポジウム 2020年9月18日
RF-MBE法によるScAlMgO4基板上へのGaNエピタキシャル成長 Ⅱ

栢本聖也, 藤井高志, 福田承生, 杉江隆一, 毛利真一郎, 荒木努

応用物理学会68回学術講演会 2020年9月11日
THz透過測定とTHzエリプソメトリー測定を用いたグラフェン/サファイアの電気特性評価

鈴木拓輝,佐藤希一,藤井高志,毛利真一郎,荒木努,岩本敏志,佐藤幸徳,上田悠貴,成塚重弥

応用物理学会68回学術講演会 2020年9月10日
DERI法によるInN成長のメカニズムの検討

後藤直樹, 荒木努, 毛利真一郎, 名西憓之

日本材料学会 2020年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会 2020年8月1日
透過型電子顕微鏡を用いたDERI法成長InNの極微構造評価

中村亮佑, 後藤直樹, 尾松弘雄, 毛利真一郎, 荒木努

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020年7月31日
リモートエピタキシーによるグラフェン上へのInN結晶成長

松島健太, 毛利真一郎, 荒木努

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020年7月31日
アルコールCVD 法による窒化物半導体上へのグラフェンの結晶成長

薮田翔平, 毛利真一郎, 荒木努

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020年7月31日
r面サファイア上にCVD法で成長したグラフェンのシート抵抗測定

鈴木拓輝, 佐藤希一, 藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努, 岩本敏志, 佐藤幸徳, 上田悠貴, 成塚重弥

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020年7月31日
極性に依存したGaN表面上での遷移金属ダイカルコゲナイドの光学特性

毛利真一郎, 小路悠馬, 篠北啓介, 松田一成, 荒木努

第58回フラーレンナノチューブグラフェン学会総合シンポジウム 2020年3月17日
RF-MBE法を用いたN-polar AlN上へのN-polar InNの成長

福田安莉, 毛利真一郎, 名西憓之, 荒木努, 正直花奈子, 三宅秀人

応用物理学会67回学術講演会 2020年3月13日
グラフェン緩衝層を用いたリモートホモエピタキシーによるInN成長

松島健太, 荒川真吾, 大江佑京, 毛利真一郎, 名西憓之, 荒木努

応用物理学会67回学術講演会 2020年3月13日
高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (II)

橘秀紀, 高林佑介, 中村亮介, 毛利真一郎, 名西憓之, 荒木努, 正直花奈子, 三宅秀人

応用物理学会67回学術講演会 2020年3月13日
GaN基板上に転写した単層遷移金属ダイカルコゲナイドの発光特性

毛利真一郎, 小路悠馬, 篠北啓介, 松田一成, 荒木努

日本材料学会 2019年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会 2020年1月25日
Photoluminescence Quenching of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides on GaN Surface

International Symposium on Hybrid Quantum Systems (HQS 2019) 2019年12月2日
ファンデルワールスヘテロ構造の光物性

毛利真一郎

表面真空学会2019学術講演会 2019年10月29日
Effect of In Adlayer on MBE Growth of InN by DERI Method

38th Electronic Materials Symposium 2019年10月10日
Van der Waals Epitaxy of GaN on Graphene by ECR-MBE

Ukyo Ooe, Shinichiro Mouri, Yasushi Nanishi, Tsutomu Araki

Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR 2019) 2019/10/08 2019年10月8日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性の解明と制御

基盤研究(B) 2021年4月

毛利真一郎
窒化物半導体ナノコラムを用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と太陽電池応用

池谷科学技術振興財団研究助成 2018年4月 - 2019年3月
分極場による遷移金属ダイカルコゲナイドのバレー・スピン制御

新学術領域研究 2018年4月 - 2019年3月
窒化物半導体ナノ構造/単層カーボンナノチューブバルクヘテロ構造太陽電池の創製

村田学術振興財団科学技術研究助成 2017年7月 - 2018年6月
原子層ヘテロ構造を用いた高効率熱電変換材料の開発

関西エネルギーリサイクル財団科学技術研究振興財団研究助成 2017年4月 - 2018年3月
原子層材料をバッファーにしたInN系窒化物半導体成長法の開発

住友財団基礎科学研究助成 2016年11月 - 2017年11月
単原子層物質の励起子光物性の解明とその制御

基盤研究(C) 2013年4月 - 2015年3月
局在光電場中の単一カーボンナノチューブ電子状態の解明とその制御

若手研究(B) 2010年3月 - 2012年3月

毛利真一郎

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研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

主要な論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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