テラヘルツ・遠赤外自由電子レーザー（THz-FIR FEL; Terahertz-Far infrared Free Electron Laser）を用いて、Si半導体表面に回折限界を大きく超える（波長の1/25）超微細構造（LIPSS; Laser Induced Periodic Surface Structure）を作成し、そのサイズを制御することに成功した。LIPSSの間隔はTHz-FIR FELの波長、照射強度、照射パルス数に依存し、特に照射パルス数とLIPSS間隔の間にべき乗則が成り立つことを発見した。