髙橋勲 (Isao Takahashi) - マイポータル

基本情報

所属: 立命館大学総合科学技術研究機構教授

学位: 博士(理学)(東北大学)

J-GLOBAL ID: 201301010516808558
researchmap会員ID: 7000006298

研究分野

経歴

2024年10月 - 現在

立命館大学, 総合科学技術研究機構, 教授
2022年2月 - 2024年3月

東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任准教授
2020年12月 - 2024年3月

株式会社C＆A, 研究開発部, 主任研究員
2017年7月 - 2020年9月

株式会社FLOSFIA, 研究開発部, 主任研究員
2013年11月 - 2017年7月

名古屋大学, 大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料プロセス創成工学, 助教
2013年5月 - 2013年10月

名古屋大学, 大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料プロセス創成工学, 特任助教
2012年4月 - 2013年3月

パナソニック株式会社
2010年4月 - 2012年3月

三洋電機株式会社

学歴

2007年4月 - 2010年3月

東北大学, 理学研究科
2005年4月 - 2007年3月

東北大学, 理学研究科
2001年4月 - 2005年3月

東北大学, 理学部

委員歴

2016年4月 - 2017年7月

応用物理学会, プログラム編集委員

論文

Defect-insensitive current–voltage characteristics of Schottky barrier diode formed on heteroepitaxial α-Ga2O3 grown by mist chemical vapor deposition

Takuya Maeda, Mitsuru Okigawa, Yuji Kato, Isao Takahashi, Takashi Shinohe

AIP Advances 10(12) 125119-125119 2020年12月1日
Mössbauer spectroscopic microscope study on diffusion and segregation of Fe impurities in mc-Si wafer

Yutaka Yoshida, Tomio Watanabe, Yuji Ino, Masashi Kobayashi, Isao Takahashi, Noritaka Usami

Hyperfine Interactions 240(1) 2019年12月
Electrical properties of α-Ir2O3/α-Ga2O3 pn heterojunction diode and band alignment of the heterostructure

Shin-ichi Kan, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, Isao Takahashi, Masahiro Sugimoto, Takashi Shinohe, Shizuo Fujita

Applied Physics Letters 113(21) 212104-212104 2018年11月19日
Impact of boron incorporation on properties of silicon solar cells employing p-type polycrystalline silicon grown by aluminum-induced crystallization

Masuda Shota, Gotoh Kazuhiro, Takahashi Isao, Nakamura Kyotaro, Ohshita Yoshio, Usami Noritaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(8) 2018年8月査読有り
Fabrication of silicon nanowire based solar cells using TiO2/Al2O3 stack thin films

Yasuyoshi Kurokawa, Ryota Nezasa, Shinya Kato, Hisashi Miyazaki, Isao Takahashi, Noritaka Usami

MRS Advances 2018年1月11日査読有り
Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications

Takahashi Kazuma, Nakagawa Yoshihiko, Hara Kosuke O, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Usami Noritaka

MRS ADVANCES 3(25) 1435-1442 2018年査読有り
Effects of surface morphology randomness on optical properties of Si-based photonic nanostructures

Yasuyoshi Kurokawa, Osamu Aonuma, Takeshi Tayagaki, Isao Takahashi, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 2017年8月
Controlling Impurity Distribution in Quasi-mono Crystalline Si Ingot by Seed Manipulation for Artificially Controlled Defect Technique

Y. Hayama, I. Takahashi, N. Usami

Energy Procedia 127 610-613 2017年6月15日
On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains fabricated using single-layer silicon beads

Muramatsu Tetsurou, Takahashi Isao, Babu G., Usami Noritaka

Jpn. J. Appl. Phys. 56(7) 75502-75502 2017年6月12日
On the growth mechanism of multicrystalline silicon ingots with small grains by using single layer silicon beads

T. Muramatsu, I. Takahashi, G. Anandha babu, N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics (56) 075502 2017年6月12日
Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation

T. Iwata, I. Takahashi, N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics 56(56) 075501-75501 2017年6月2日
Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects

Yusuke Hayama, Isao Takahashi, Noritaka Usami

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 610-613 2017年6月
Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

G. Anandha Babu, Isao Takahashi, Tetsurou Muramatsu, Noritaka Usami

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 620-624 2017年6月
Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells

Takeshi Tayagaki, Daichi Furuta, Osamu Aonuma, Isao Takahashi, Yusuke Hoshi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Fabrication of CuI/a-Si:H/c-Si Structure for Application to Hole-selective Contacts of Heterojunction Si Solar Cells

Gotoh Kazuhiro, Cui Min, Thanh Nguyen Cong, Koyama Koichi, Takahashi Isao, Kurokawa Yasuyoshi, Matsumura Hideki, Usami Noritaka

2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 1765-1768-1768 2017年査読有り
Realization of Crystalline BaSi₂ Thin Films by Vacuum Evaporation on (111)-oriented Si Layers Fabricated by Aluminum Induced Crystallization

J. A. Wibowo, I. Takahashi, K. O. Hara, N. Usami

JJAP Conference Proceedings (5) 11201 2017年
Growth direction control of dendrite crystals in parallel direction to realize high-quality multicrystalline silicon ingot

T.Hiramatsu, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami

Jpn. J. Appl. Phys. 55(9) 091302-91302 2016年8月19日
Light-induced Recovery of Effective Carrier Lifetime in Boron-doped Czochralski Silicon at Room Temperature

Hiroaki Ichikawa, Isao Takahashi, Noritaka Usami, Katsuhiko Shirasawa, Hidetaka Takato

Energy Procedia 92 801-807 2016年8月
Application of New Doping Techniques to Solar Cells for Low Temperature Fabrication

Isao Takahashi, Yasuhiro Sujihara, Huang Yating, Jefferson A. Wibowo, Sergii Tutashkonko, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2522-2524 2016年査読有り
Structural control of dendrite crystals in practical size silicon ingots grown by floating cast method

Isao Takahashi, Supawan Loonwichien, Takuya Hiramatsu, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 2015年査読有り

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MISC

Influence of barrier layer's height on the performance of Si quantum dot solar cells

Kitazawa Kouhei, Akaishi Ryushiro, Ono Satoshi, Takahashi Isao, Usami Noritaka, Kurokawa Yasuyoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(8S3) 08RF08-08RF08 2018年8月1日査読有り
Development of Spin-coated Copper Iodide Film on Silicon for Use in Hole-selective Contacts

K. Gotoh, M. Cui, I. Takahashi, Y. Kurokawa, N. Usami

Energy Procedia 124 598-603-603 2017年9月20日査読有り
Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities

Supawan Joonwichien, Isao Takahashi, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

Progress in Photovoltaics: Research and Applications 24(12) 1615-1625 2016年12月1日査読有り
Improved multicrystalline silicon ingot quality using single layer silicon beads coated with silicon nitride as seed layer

G. Anandha Babu, Isao Takahashi, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 441(411) 124-130 2016年5月査読有り
Seed manipulation for artificially controlled defect technique in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot based on casting

Isao Takahashi, Supawan Joonwichien, Taisho Iwata, Noritaka Usami

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8(10) 105501 2015年10月査読有り
ホスフィンを利用したSi基板中へのPドーピングによる電界効果パッシベーションの検討

HUANG Y.T, 星裕介, 高橋勲, 宇佐美徳隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-2S-4 2015年8月31日
Application of heterojunction to Si-based solar cells using photonic nanostructures coupled with vertically aligned Ge quantum dots

Isao Takahashi, Yusuke Hoshi, Takeshi Tayagaki, Takafumi Oikawa, Keisuke Ohdaira, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(8) 08KA06 2015年8月査読有り
Comparison of phosphorus gettering effect in faceted dendrite and small grain of multicrystalline silicon wafers grown by floating cast method

Supawan Joonwichien, Isao Takahashi, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(8) 557 2015年8月査読有り
Relationship between dislocation density and contact angle of dendrite crystals in practical size silicon ingot

Isao Takahashi, Supawan Joonwichien, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(9) 095701 2015年3月査読有り
Simulation study of Ge/Si heterostructure solar cells yielding improved open-circuit voltage and quantum efficiency

Takeshi Tayagaki, Yuko Kishimoto, Yusuke Hoshi, Isao Takahashi, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 110312 2014年11月査読有り
Towards implementation of floating cast method for growing large-scale high-quality multicrystalline silicon ingot using designed double crucibles

Supawan Joonwichien, Isao Takahashi, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS 22(7) 726-732 2014年7月査読有り
Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells

Noritaka Usami, Isao Takahashi, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109(8) 083527 2011年4月査読有り
Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities

Isao Takahashi, Noritaka Usami, Hiroshi Mizuseki, Yoshiyuki Kawazoe, Gaute Stokkan, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109(3) 033504 2011年2月査読有り
Floating cast method: A technique realize high-quality multicrystalline Si ingot

Noritaka Usami, Isao Takahashi, Kentaro Kutsukake, Kohei Morishita, Kazuo Nakajima

Proceedings of 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 1986-1988 2011年
Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed

Isao Takahashi, Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Gaute Stokkan, Kohei Morishita, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 312(7) 897-901 2010年3月査読有り
Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth

Noritaka Usami, Ryusuke Yokoyama, Isao Takahashi, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107(1) 013511 2010年1月査読有り
Computational Investigation of Relationship between Shear Stress and Multicrystalline Structure in Silicon

Isao Takahashi, Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Kohei Morishita, Kazuo Nakajima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49(4) 04DP01 2010年査読有り
Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells

Yoshitaro Nose, Isao Takahashi, Wugen Pan, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(2) 228-231 2009年1月査読有り
Impact of Defect Density in Si Bulk Multicrystals on Gettering Effect of Impurities

Isao Takahashi, Noritaka Usami, Ryusuke Yokoyama, Yoshitaro Nose, Kentaro Kutuskake, Kozo Fuilwara, Kazuo Nakajima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(12) 8790-8792 2008年12月査読有り

書籍等出版物

Proceeding Book for IMR Workshop on Advanced Materials

Kazuo Nakajima (担当:共著)

Springer 2007年

講演・口頭発表等

Al誘起成長法を用いたp型薄膜多結晶Siの太陽電池セルへの応用

高橋勲, 筋原康博, Wibowo Jefferso, 宇佐美徳隆

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
シリコンインゴット成長の新技術

高橋勲, 宇佐美徳隆

日本学術振興会第161委員会第93回研究会プログラム「太陽電池用材料と結晶成長技術の新展開」 2015年11月27日
Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique (SMART)as a new growth method for high-quality quasi-mono crystalline silicon

I.Takahashi, T.Iwata, N. Usami

25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition Grobal Photovoltaic Conference 2015 2015年11月15日
Growth of Silicon Bulk Crystals for solar cells

Isao Takahashi, Noritaka Usami

The first International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 2015年11月7日
SMART (Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique)法を用いたモノライクシリコンの結晶成長

高橋勲, 岩田大将, 市川寛章, 宇佐美徳隆

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
SMART (Seed Manipulation for ARtificiallycontrolled defects Technique)法による新規モノライクシリコンの結晶成長

高橋勲, 岩田大将, 宇佐美徳隆

第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2015年6月28日
Structural control of dendrite crystals in practical size silicon ingots grown by floating cast method

Isao Takahashi, Supawan Joonwichien, Takuya Hiramatsu, Satoru Matsushima, Noritaka Usami

the 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2015年6月14日
Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique (SMART)

Isao Takahashi, Iwata Taisho, Supawan Joonwichien, Noritaka Usami

8th International Workshop on Crystalline Silicon for Solra Cells 2015年5月5日
太陽電池用シリコンインゴットの高品質化に向けて

高橋勲

名古屋大学シリコンフロンティア研究会シンポジウム 2015年4月10日
Application of heterojunction to Si-based solar cells using photonic nanostructures coupled with vertically aligned Ge quantum dots

Isao Takahashi, Yusuke Hoshi, Takeshi Tayagaki, Takafumi Oikawa, Keisuke Ohdaira, Noritaka Usami

The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 2014年11月23日
実用サイズSiインゴットにおけるデンドライト成長を利用した多結晶組織制御

高橋勲, 平松巧也, 松島悟, 宇佐美徳隆

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月17日
浮遊キャスト成長法によるデンドライト組織制御に向けた炉内温度分布の検討

高橋勲, Supawan Joonwichien, 平松巧也, 松島悟, 宇佐美徳隆

日本学術振興会第175委員会第11回次世代の太陽光発電シンポジウム 2014年7月3日
Improvement of Annealing Procedure to Suppress Defect Generation during Impurity Gettering in Multicrystalline Silicon for Solar Cells

Isao Takahashi, Supawan Joonwichien, Kutsukake Kentaro, Satoru Matsushima, Ichiro Yonenaga, Noritaka Usami

The 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2014年6月8日
熱処理条件の違いによる多結晶Si中の欠陥と不純物への影響

高橋勲, S.Joonwichien, 松島悟, 宇佐美徳隆

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月17日
実用サイズシリコンインゴットの組織制御による転位発生抑制

高橋勲, Supawan Joonwichien, 平松巧也, 岩田大将, 松島悟, 宇佐美徳隆

第62回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月11日
浮遊キャスト成長法による多結晶組織制御と

高橋勲, Supawan Joonwichien, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

2013年度東北大学金属材料研究所ワークショップ 2013年11月18日
Control of dendritic structure to suppress dislocation generation during crystal growth in a large-scale ingot

I. Takahashi, S. Joonwichien, S. Matsushima, N. Usami

the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年10月28日
Relationship between dendritic structure and dislocation generation in a large-scale multicrystalline Silicon ingot grown by floating cast method

I.Takahashi, S.Joonwichien, S.Matsushima, N.Usami

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7) 2013年10月22日
浮遊キャスト成長法により作製した大型インゴットの粒界性格と転位発生の関係

高橋勲, Supawan Joonwichien, 松島悟, 宇佐美徳隆

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月16日
A Computational Investigation of Relationship Between Shear Stress and Multicrystal Structure in Si

I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita, K. Nakajima

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009年10月7日

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所属学協会

2021年10月 - 現在

結晶成長学会
応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

結晶欠陥マネジメントを利用したバルク結晶の新規高品質化、高歩留まり技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2015年4月 - 2017年3月

産業財産権

特願2015-052392 シリコンインゴット及びその製造方法ならびに種結晶

高橋勲, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗
P2009-51720A Ｓｉバルク多結晶インゴットの製造方法

中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 高橋勲
特願2018-242291 結晶性酸化物膜
特願2018-242290 結晶性酸化物半導体
特願2019-29863 積層体および半導体装置
特願2019-554291 半導体装置
特願2019-554289 ｐ型酸化物半導体膜及びその形成方法
特願2018-156411 半導体装置
特願2018-156410 半導体装置
特願2019-529115 半導体装置
特願2018-549106 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置