井上 公
イノウエ イサオ (Isao Inoue)
更新日: 2025/08/14
基本情報
- 所属
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子光基礎技術研究部門 上級主任研究員
- 学位
-
博士(理学)(東京大学)
- 研究者番号
- 00356502
- J-GLOBAL ID
- 200901041438854998
- researchmap会員ID
- 5000006610
- 外部リンク
Isao H. Inoue received BSc, MSc, and DSc degrees in Physics from the University of Tokyo in 1990, 1992 and 1998, respectively. He became a tenured researcher of the Electrotechnical Laboratory (ETL) in 1992 and a senior researcher in 1999. From 1999 to 2001, he was a visiting scholar at Cavendish Laboratory, University of Cambridge. In 2001, ETL was re-organized to the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST); since then, he has been a senior researcher of AIST. He has studied in a wide range of research field: from the high-energy spectroscopies and fermiology (quantum oscillation) of strongly correlated materials, as well as from fundamental physics (Mott transition, superconductivity, Kondo effect, and so on) to the development of the electronic devices (Mott transistor, ReRAM (memristor), and neuromorphic devices).
研究キーワード
21研究分野
1経歴
5-
2022年10月 - 現在
-
2022年2月 - 現在
-
2001年4月 - 2022年9月
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1998年11月 - 2001年3月
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1992年4月 - 1998年10月
学歴
2-
1990年4月 - 1992年3月
-
1986年4月 - 1990年3月
委員歴
4-
2018年4月 - 現在
-
2011年7月 - 2013年6月
-
2011年7月 - 2013年6月
論文
86-
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) 37(3) e2407326 2025年1月
-
APPLIED PHYSICS LETTERS 122(7) 2023年2月
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Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1051-SC1051 2022年5月1日
-
Nature Communications 10(1) 2019年12月1日
-
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 36.4.1-36.4.4 2018年1月23日 査読有り
-
電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報 117(427) 17 2018年 査読有り
-
APS Meeting Abstracts 2017年 査読有り
-
2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 36 2017年 査読有り
-
APPLIED PHYSICS LETTERS 110(1) 013502 2017年1月 査読有り
-
SCIENTIFIC REPORTS 6 2016年5月 査読有り
-
SCIENTIFIC REPORTS 6 2016年5月 査読有り
-
日本物理学会講演概要集 71.2 71 1933-1933 2016年 査読有り
-
日本物理学会講演概要集 71.2 71 1934-1934 2016年 査読有り
-
APS Meeting Abstracts 2015年 査読有り
-
NATURE PHYSICS 10(10) 705-706 2014年10月 査読有り
-
Advanced Materials 25(15) 2158-2161 2013年4月18日 査読有り
-
Functional Metal Oxides: New Science and Novel Applications 443 2013年 査読有り
-
Scientific Reports 3 2013年 査読有り
-
MRS BULLETIN 37(2) 131-137 2012年2月 査読有り
-
ADVANCED MATERIALS 23(48) 5822-+ 2011年12月 査読有り
MISC
78-
日本物理学会講演概要集 72 1988-1988 2017年
-
日本物理学会講演概要集 71 2200-2200 2016年
-
日本物理学会誌 70(11) 814-823 2015年11月
-
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28A-F2-4 2013年3月11日
-
日本物理学会講演概要集 65 540-540 2010年
-
日本物理学会講演概要集 65 541-541 2010年
-
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 107(1) 77-82 2007年4月5日
-
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(504) 17-20 2007年1月19日
-
PHYSICA B-CONDENSED MATTER 378-80(7) 330-331 2006年5月
-
PHYSICAL REVIEW B 73(5) 052508/1-052508/4 2006年2月
-
APPLIED PHYSICS LETTERS 88(3) 033510/1-033510/3 2006年1月
-
日本物理学会講演概要集 61 575-575 2006年
-
日本物理学会講演概要集 61 574-574 2006年
-
日本物理学会講演概要集 61 478-478 2006年
-
應用物理 74(7) 944-949 2005年7月10日
-
固体物理 40(7) 503-517 2005年7月
-
2005 Non-Volatile Memory Technology Symposium, Proceedings 131-136 2005年
-
日本物理学会講演概要集 60 518-518 2005年
-
日本物理学会講演概要集 60 685-685 2005年
-
日本物理学会講演概要集 60 805-805 2005年
共同研究・競争的資金等の研究課題
11-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(S) 2025年4月 - 2030年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 2018年4月 - 2023年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2015年11月 - 2018年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 2015年4月 - 2018年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(B) 2013年4月 - 2017年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2013年4月 - 2016年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 2012年5月 - 2015年3月
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2010年 - 2012年
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(S) 2007年 - 2011年
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(A) 2005年 - 2007年