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井上 公
イノウエ イサオ (Isao Inoue)
更新日: 01/31
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産業財産権
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100件
特許第5633804号 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
山田 浩之, 向 平華, 澤 彰仁, 井上 公, 佐藤 弘, 浅沼 周太郎, 赤穗 博司
特許第5552638号 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びこれを利用したメモリ素子
澤 彰仁, 浅沼 周太郎, 井上 公, 佐藤 弘, 赤穗 博司, 山田 浩之, 岩佐 義宏
特許第5522688号 電界効果トランジスタ及びその製造方法
井上 公, 島 久
特開2012-114373 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
山田 浩之, 向 平華, 澤 彰仁, 井上 公, 佐藤 弘, 浅沼 周太郎, 赤穗 博司
特開2012-064775 電界効果トランジスタ及びその製造方法
井上 公, 島 久
特開2011-243632 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
澤 彰仁, 浅沼 周太郎, 井上 公, 佐藤 弘, 赤穗 博司, 山田 浩之, 岩佐 義宏
特許第4854233号 スイッチング素子
井上 公, 秋永 広幸, 保田 周一郎, 高木 英典
特許第4701427号 スイッチング素子およびそれを用いたアレイ型機能素子
小田川 明弘, 赤穗 博司, 佐藤 弘, 山田 寿一, 石井 裕司, 井上 公, 澤 彰仁, 川崎 雅司, 高木 英典, 十倉 好紀
特許第4203532号 不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法
細井 康成, 粟屋 信義, 井上 公
特許第4203506号 不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法
細井 康成, 粟屋 信義, 井上 公
特開2008-123690 不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法
細井 康成, 粟屋 信義, 井上 公
特開2007-188603 不揮発性半導体記憶装置
細井 康成, 粟屋 信義, 井上 公
特開2007-053125 スイッチング素子
井上 公, 秋永 広幸, 保田 周一郎, 高木 英典
特開2005-317787 スイッチング素子およびそれを用いたアレイ型機能素子
小田川 明弘, 赤穗 博司, 佐藤 弘, 山田 寿一, 石井 裕司, 井上 公, 澤 彰仁, 川崎 雅司, 高木 英典, 十倉 好紀
特開2005-129908 磁性スイッチング素子及びそれを用いたメモリ
小田川 明弘, 佐藤 弘, 山田 寿一, 石井 裕司, 井上 公, 赤穗 博司, 川崎 雅司, 高木 英典
特開2005-064397 電子部品
井上 公, 小田川明弘, 山田浩之, 高木英典, 川崎雅司, 赤穗博司, 十倉好紀
特開2004-266193 メタルマスクを使用する物品の製造方法
上野 和紀, 井上 公, 高木 英典, 澤 彰仁, 石井 祐司, 川崎 雅司, 十倉 好紀
特開2004-179199 極低温動作電界効果トランジスタ
井上 公, 高木 英典, 山田 寿一, 佐藤 弘, 赤穗 博司, 十倉 好紀, 上野 和紀, 澤 彰仁, 石井 裕司, 川崎 雅司
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