プログラム,消去ともに数十ナノ秒以下の同一極性電圧パルスで動作可能なRRAMデバイスをTiONを用いて実現した.このデバイスを1D1Rクロスポイント構造に用いた場合,最小メモリセルサイズで高速ランダムアクセスなメモリアレイを実現することができる.本研究では,外部負荷抵抗を切り換えて電圧パルスを印加する事によりRRAM素子の抵抗を高抵抗化,低抵抗化を制御できる全く新しい手法を見出した.さらに,従来のユニポーラスイッチング方法では高速化できない根拠を示し,今回新たに直列負荷抵抗制御により高速ユニポーラスイッチング動作を提案する.