石川由加里 (Yukari ISHIKAWA) - マイポータル

基本情報

所属: 一般財団法人ファインセラミックスセンター材料技術研究所機能性材料グループ主幹研究員

J-GLOBAL ID: 202001018021555730
researchmap会員ID: R000005712

研究キーワード

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 / 半導体材料

経歴

2017年6月 - 現在

名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 客員教授
2017年4月 - 現在

名古屋工業大学, 窒化物半導体マルチビジネス創生センター, 客員教授
1988年4月 - 現在

財団法人ファインセラミックスセンター
2008年4月 - 2017年3月

名古屋工業大学, 大学院工学研究科未来材料創成工学専攻連携分野, 准教授

委員歴

論文

153

Characteristics of dislocations induced by Vickers indentation in hydride vapor phase epitaxy GaN

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Journal of Materials Science 59 2974-2987 2024年3月査読有り
Anisotropic mechanical properties of β-Ga₂O₃ single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter【Open Access】

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 134 215106 2023年12月査読有り
Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga₂O₃ revealed by Borrmann effect X-ray topography【Open Access】

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 134 155104 2023年10月査読有り
Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N‐polar AlGaN/AlN FETs

Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2023年7月15日
Characterization of dislocations at the emission site by emission microscopy in GaN p–n diodes

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yongzhao Yao, Kenta Watanabe, Takashi Okawa

Journal of Materials Science 2023年5月31日
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日
Lattice misorientation at domain boundaries in β‐Ga ₂ O ₃ single‐crystal substrates observed via synchrotron radiation x‐ray diffraction imaging and x‐ray reticulography

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of the American Ceramic Society 2023年4月26日
Relationship Between Propagation Angle of Dislocations in β-Ga2O3 (001) Bulk Wafers and Their Etch Pit Shapes

Sou Isaji, Issei Maeda, Naoya Ogawa, Ryo Kosaka, Noriyuki Hasuike, Toshiyuki Isshiki, Kenji Kobayashi, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa

Journal of Electronic Materials 2023年3月29日
X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under reverse bias【Open Access】

Yongzhao Yao, Daiki Wakimoto, Hironobu Miyamoto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Scripta Materialia 226 115216 2023年1月査読有り
Domain boundaries in ScAlMgO₄ single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Semiconductor Science and Technology 37(11) 115009-115009 2022年11月1日
Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yao Yongzhao, Hidetoshi Takeda, Hideo Aida, Kazuyuki Tadatomo

Journal of Physics D: Applied Physics 2022年10月3日
Growth and characterization of nitrogen-polar AlGaN/AlN and demonstration of field effect transistor

Lu You, Wataru Matsumura, Kazuya Ataka, Shunsuke Matsuda, Daisuke Inahara, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Taketo Kowaki, Yongzhao YAO, Yukari Ishikawa …

Japanese Journal of Applied Physics 2022年9月27日
Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in β-Ga₂O₃ using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Applied Physics Letters 121(1) 012105-012105 2022年7月4日
Size of dislocation patterns induced by Vickers indentation in hydride vapor-phase epitaxy GaN

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Hidetoshi Takeda, Hideo Aida, Kazuyuki Tadatomo

Journal of Applied Physics 131(22) 225303-225303 2022年6月14日
Observation of threading dislocations with a c+m type Burgers vector in HVPE GaN substrates using multi-photon excitation photoluminescence and TEM

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yukari Ishikawa

Journal of Crystal Growth 126748-126748 2022年5月
Observation of dislocations in thick β-Ga₂O₃ single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron x-ray topography

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

APL Materials 10(5) 051101-051101 2022年5月1日
Etch pit formation on β-Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Daisaku Yokoe, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

Journal of Alloys and Compounds 164788-164788 2022年3月
A synchrotron X-ray topography study of crystallographic defects in ScAlMgO4 single crystals

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Hirotaka Yamaguchi, Yoshihiro Sugawara, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yukari Ishikawa

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 896 163025-163025 2022年3月
Three-dimensional curving of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers visualized using a laboratory X-ray diffractometer

Yongzhao Yao, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

Journal of Crystal Growth 126558-126558 2022年1月
Mechanism of molten KOH+NaOH etching of GaN revealed by the slopes of etch pits formed at threading dislocations

Yongzhao Yao, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of Alloys and Compounds 163830-163830 2022年1月

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MISC

低損失・省エネパワーデバイス用SiC結晶欠陥検出技術の開発 (特集環境・エネルギー問題に挑戦するJFCC)

姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘

金属 83(5) 425-432 2013年5月
炭化珪素における結晶欠陥検出技術の開発 (特集ファインセラミックスセンターの未来開拓研究による環境･エネルギーへの挑戦)

姚永昭, 石川由加里, 佐藤功二

マテリアルインテグレーション 25(6) 16-21 2012年6月

石川由加里

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