Imai Tetsuji

生年月日：大正15年3月18日生

学歴・職歴
昭和20年 米沢工専（現山形大学工学部)電気科卒
昭和26年 東京理科大学理学部卒
逓信省電気試験所を経て、日本電信電話公社 電気通信研究所勤務
昭和35年 工学博士（大阪大学）
昭和42年 日本電信電話公社電気通信研究所 半導体部品研究室 室長
沖電気工業（株)、電気通信大学教授を経て
昭和59年10月、静岡大学教授 《 工学部、 講座・助教授：福家俊郎 》
平成元年4月～平成10年3月、明星大学 理工学部・情報学部 教授

学会活動
昭和35年4月～38年3月：応用物理学会電子放射分科会 幹事
昭和35年4月～38年12月：電気学会電子管材料専門委員会 幹事
昭和38年4月～43年3月：応用物理学会 会誌編集委員
昭和38年4月～49年3月：応用物理学会応用電子物性分科会 幹事・幹事長
昭和47年1月～48年12月：応用物理学会 理事
昭和53年1月～55年12月：応用物理学会 評議員
昭和38年4月～41年3月：電子通信学会・電子通信規格調査会・半導体専門委員会
TG-Ｂ小委員会 主査 （トンネルダイオードの規格立案 ）
昭和48年1月～55年12月：IEEE ISSCC アジア委員会 論文委員
昭和43年～57年：応用物理学会固体素子コンフェレンス 運営委員
昭和51年～56年：電子通信学会電子デバイス研究専門委員会 委員・顧問委員
昭和54年～62年：電子通信学会半導体・トランジスタ研究専門委員会 委員・顧問委員
昭和54年～57年：日本電子工業振興協会「超LSI技術予測」専門委員会 委員
昭和40年～平成2年：日本学術振興財団｢エネルギー変換懇話会」理事
昭和62年：The 4th Intern.Conference on " Soid Films and Surfaces "
実行委員、 募金推進委員長 （ Hamamatu,Japan,Aug.1987 ）

平成8年4月：電子情報通信学会 終身会員
平成8年9月：応用物理学会 「功労会員」

著書(主なもの）
1)。『 固体マイクロ波素子 』：植之原道行・今井哲二 編著、 工業調査会（1973）
2)。『 化合物半導体デバイス〔Ⅰ〕』：今井哲二、生駒俊明、他、編著、工業調査会（1984）
3)。『 化合物半導体デバイス〔Ⅱ〕』：今井哲二、生駒俊明、他、編著、工業調査会（1985）
（ 昭和60年11月、日刊工業新聞社 第一回技術・科学図書優秀賞受賞:『 化合物半導体
デバイス〔Ⅰ〕,〔Ⅱ〕』）
4)。『 半導体工学 』: 今井哲二 編著 、原 徹、米津宏雄、福家俊郎 共著、
オーム社（1988） （ 昭和63年第１版第1刷 平成11年第5刷 ）
5)。『 日本のエレクトロニクスの源流 上、下巻 』総800頁： 武田郁夫、今井哲二、
高橋得雄 編著、工業調査会（2001）
《 「応用物理学会・応用電子物性分科会」指定 関連図書 》

分担執筆著書（主なもの）
1)。高橋秀俊・吹田徳雄 共編：『 エネルギー変換論 』 pp.84-100 ラテイス社
（昭和39年7月）
2)。新美達也著：『 トランジスタおよびダイオード 』 pp.117-137, pp.150-162,pp.202-223,pp.412-421,他 丸善（昭和42年7月）
3)。『 結晶工学ハンドブック 』 pp.715-720,pp.1150-1160 共立出版
（昭和46年5月)
4)。安濃恒友、他、共編著：『 近代電子工学実験 』 pp.57-59, pp.105-114
電気書院（昭和46年10月）
5)。「物性」編集委員会編：『 半導体技術の最近の進歩 』 pp.199-209
槇書店（昭和49年6月）
6)。日本電子工業振興協会編：『 超LSI技術予測報告書Ⅱ 』 pp.84-136
日本電子工業振興協会（昭和56年3月）
7)。難波 進 編著：『 極微構造エレクトロニクス 』 pp.176-187 オーム社
（昭和61年4月）
8)。西澤潤一、大内淳義 共編： 『 日本の半導体開発 』 pp.325-339
工業調査会（平成5年3月)
9)。鶴田禎二、他編：『 New Functionality Materials,Vol.A 』 pp.41-46 Elsevier Science Publishers B.V.(1993)
S.Fuke,T.Imai and Y.Takano: "Impurity doping effects on the growth behavior of ZnS and ZnSe by hydrogen transport vapor phase epitaxy"
10)。『 応電分科会の歩み ー50周年記念ー 』 pp.7-12 応用物理学会・応用電子物性分科会誌（平成5年3月）
11)。『 応用物理学会・応用電子物性分科会 ー60周年記念ー 』 pp.97-100 応用物理学会・応用電子物性分科会誌（平成15年8月）

学会誌発表原著論文・招待論文：計70編余
他に、機関誌(大学、研究所など）発表論文、学会研究会・講演会等発表論文、学術雑誌掲載論文など、約200編

文部省（現 文部科学省）科学研究費補助による研究
Ⅰ。 特定研究「極微構造エレクトロニクス」
研究課題：結晶成長と極微構造デバイス基礎特性
研究代表者：今井哲二、共同研究者：岡本孝太郎 （ 研究機関：電気通信大学・
静岡大学 ） 研究期間：昭和57年度～昭和59年度
Ⅱ。 重点領域研究「新しい機能性材料の設計・作製・物性制御」 小領域Ａ
化合物半導体の物性制御
研究課題： Ｈ－2輸送法によるⅡ-Ⅵ化合物半導体結晶成長における不純物果と成長機構の研究
研究代表者：今井哲二、 研究分担者:福家俊郎 （研究機関：静岡大学）
研究期間：昭和62年度～昭和62年度

研究課題：ⅡーⅥ化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構
研究代表者：今井哲二 研究分担者：福家俊郎（研究機関：静岡大学）
研究期間：昭和63年度～昭和63年度

研究課題：ⅡーⅥ化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構
研究代表者：今井哲二（明星大学） 研究分担者：福家俊郎（静岡大学）
研究期間：平成元年度～平成元年度

以上、昭和62年度～平成元年度：前期3年。
この間、静岡大学における "ＭＯＣＶＤ" による化合物半導体結晶成長の研究が軌道にり、多くの成果を挙げた。この延長線上で、平成2年度～平成4年度の後期3年の科研費による研究が続行された。この間も、欧文学会誌への論文投稿が継続的に行われ、「福家」の作成原稿にはすべて「今井」による手が加えられ、訂正加筆がなされた。
”福家俊郎；research map” 中の「書籍等出版物」欄に掲載の論文には、掲載誌名や共著者名が載っていない。この論文は、前後期６年間に亘る上述『 重点領域研究 』で得られた研究成果報告である。この報告文は、上記「分担執筆著書」の中に ”９）” として挙げておいた。掲載誌名、掲載ページ、共著者名も明示してあるので、ここに再掲する。「福家」作成のこの原稿についても、「今井」が細かく手を加えた（ 手許には、再三にわたり彼との間を往復したこの添削原稿が、彼の手紙と共に残っている ）。

9)。鶴田禎二、他編：『 New Functionality Materials,Vol.A 』 pp.41-46 Elsevier Science Publishers B.V.(1993)
S.Fuke,T.Imai and Y.Takano: "Impurity doping effects on the growth behavior of ZnS and ZnSe by hydrogen transport vapor phase epitaxy"