1995年
Lattice relaxation of AlGaAs rayers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy
J.Appl.Phys.
- ,
- ,
- 巻
- 77
- 号
- 1
- 開始ページ
- 420
- 終了ページ
- 422
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- DOI
- 10.1063/1.359345
- リンク情報
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- DOI
- https://doi.org/10.1063/1.359345
- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/80008026677
- ID情報
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- DOI : 10.1063/1.359345
- ISSN : 0021-8979
- CiNii Articles ID : 80008026677