1988年9月
GROWTH OF GAAS EPITAXIAL LAYERS PREPARED IN THE LABORATORY WITH AN INTEGRATED SAFETY MOCVD SYSTEM
APPLIED SURFACE SCIENCE
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- 巻
- 33-4
- 号
- 開始ページ
- 587
- 終了ページ
- 593
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.1016/0169-4332(88)90356-X
- 出版者・発行元
- ELSEVIER SCIENCE BV
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1016/0169-4332(88)90356-X
- ISSN : 0169-4332
- Web of Science ID : WOS:A1988Q431500077