論文

査読有り
1988年9月

GROWTH OF GAAS EPITAXIAL LAYERS PREPARED IN THE LABORATORY WITH AN INTEGRATED SAFETY MOCVD SYSTEM

APPLIED SURFACE SCIENCE
  • T IMAI
  • ,
  • S FUKE
  • ,
  • K MORI
  • ,
  • K KUWAHARA

33-4
開始ページ
587
終了ページ
593
記述言語
英語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1016/0169-4332(88)90356-X
出版者・発行元
ELSEVIER SCIENCE BV

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1016/0169-4332(88)90356-X
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:A1988Q431500077&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.1016/0169-4332(88)90356-X
  • ISSN : 0169-4332
  • Web of Science ID : WOS:A1988Q431500077

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