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板垣 奈穂
Naho Itagaki
更新日: 02/19
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産業財産権
46
表示件数
20件
20件
50件
100件
EP2768029, KR101399441, CN103999232, TWI506802 Multi-quantum well solar cell and method of manufacturing multi-quantum well solar cell
N.Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani
特許5538797 電界効果型トランジスタおよび表示装置
上田 未紀, 岩崎達哉, 板垣奈穂, ゴヤルアミタ
特許5538797 電界効果型トランジスタおよび表示装置
上田 未紀, 岩崎達哉, 板垣奈穂, ゴヤルアミタ
US8742412, KR101201825, CN101933150, TWI422942 Thin film transistor using an oxide semiconductor and display
A. Goyal, N. Itagaki, T. Iwasaki
特許第5538797号 電界効果型トランジスタ及び表示装置
上田 未紀, 岩崎 達哉, 板垣 奈穂, ゴヤル アミタ
US8679650, EP2175054, KR101270519, CN10171948 Substrate for growing wurtzite type crystal and method for manufacturing the same and semiconductor device
N. Itagaki, T. Iwasaki, K. Hoshino
特許5393058 電界効果型トランジスタ
岩崎達哉, 板垣奈穂
特許5451280 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
板垣奈穂, 岩崎達哉, 星野勝之
特許第5451280号 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
板垣 奈穂, 岩崎 達哉, 星野 勝之
特許5451280 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
板垣奈穂, 岩崎達哉, 星野勝之
特許5430113 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
岩崎達哉, 板垣奈穂
特許第5430113号 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
岩崎 達哉, 板垣 奈穂
特許5430113 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
岩崎達哉, 板垣奈穂
特許第5366279号 多重量子井戸型太陽電池及び多重量子井戸型太陽電池の製造方法
板垣 奈穂, 白谷 正治, 内田 儀一郎
特許第5366279号 多重量子井戸型太陽電池及び多重量子井戸型太陽電池の製造方法
板垣 奈穂, 白谷 正治, 内田 儀一郎
EP2768029, KR101399441, CN103999232, TWI506802 Multi-quantum well solar cell and method of manufacturing multi-quantum well solar cell
N.Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani
WO2013-133264 多重量子井戸型太陽電池及び多重量子井戸型太陽電池の製造方法
板垣 奈穂, 白谷 正治, 内田 儀一郎
特許5366279 多重量子井戸型太陽電池および多重量子井戸型太陽電池の製造方法
板垣奈穂, 白谷正治, 内田儀一郎
特許5241143 電界効果型トランジスタ
板垣奈穂, 岩崎達哉
特許5213458 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
板垣奈穂, ゴヤル アミタ, 岩崎達哉
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