岩谷素顕 (Motoaki Iwaya) - マイポータル

基本情報

所属: 名城大学理工学部教授

学位: 博士（工学）(2003年3月名城大学)

研究者番号: 40367735
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-4889-706X
J-GLOBAL ID: 202001012110400203
researchmap会員ID: R000008474

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

名城大学, 理工学部, 教授
2007年4月 - 2020年3月

名城大学, 理工学部, 准教授
2003年4月 - 2007年3月

名城大学, 理工学部, 講師

学歴

2000年4月 - 2003年3月

名城大学大学院, 理工学研究科, 電気電子工学専攻博士課程
1998年4月 - 2000年3月

名城大学, 大学院理工学研究科, 電気電子工学専攻
1994年4月 - 1998年3月

名城大学, 理工学部, 電気電子工学科

委員歴

2022年4月 - 現在

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 幹事長
2022年4月 - 現在

日本結晶成長学会, 理事
2021年4月 - 現在

日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会, 運営委員
2021年4月 - 2023年3月

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会, 特別事業主査
2016年4月 - 2021年3月

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会, 特別事業幹事
2015年4月 - 2021年3月

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会, 運営委員

受賞

2024年3月

応用物理学会優秀論文賞、AlGaN‐based UV‐B laser diode with a wavelength of 290 nm on 1 µm periodic concavo‐convex pattern AlN on a sapphire substrate, 応用物理学会

田中隼也、山田和輝、大森智也、岩山章、佐藤恒輔、三宅秀人、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
2022年4月

2021 JSAP Outstanding Reviewer Awards, IOP

Motoaki Iwaya
2021年9月

第36回（2021年度）日本結晶成長学会論文賞:, 日本結晶成長学会

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 竹内哲也, 三宅秀人
2021年9月

応用物理学会論文賞, Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire, 応用物理学会

佐藤恒輔, 化成, 安江信次, 山田和輝, 田中隼也, 大森智也, 石塚彩花, 手良村昌平, 荻野雄矢, 岩山章, 三宅秀人, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 名城, 赤﨑勇
2017年9月

応用物理学会論文賞, Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors, 応用物理学会

池山和希, 小塚祐吾, 松井健城, 吉田翔太朗, 赤木孝信, 赤塚泰斗, 小出典克, 竹内哲也, 上山智, 名城, 岩谷素顕
2015年3月

応用物理学会APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

岩谷素顕

論文

440

Over 20% wall plug efficiency of on-wafer GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser

Ruka Watanabe, Kenta Kobayashi, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Applied Physics Letters 124(13) 2024年3月25日査読有り
Characteristics of Stacked GaInN‐Based Red, Green, and Blue Full‐Color Monolithic μLED Arrays Connected via Tunnel Junctions

Tatsunari Saito, Naoki Hasegawa, Yoshinobu Suehiro, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Motoaki Iwaya

physica status solidi (a) 2024年3月12日査読有り最終著者責任著者
Enhancing the optical properties of organic fluorine compound-encapsulated AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes with Ni/Au reflective electrodes

Koji Okuno, Rie Iwatsuki, Koichi Mizutani, Masaki Ohya, Yoshiki Saito, Shintaro Hakamata, Takeshi Matsushima, Aya Kawaoka, Shota Shimonishi, Hisanori Ishiguro …

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 2024年3月1日査読有り
Fabrication of Vertical AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using a Substrate Exfoliation Method with Water

Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Rintaro Miyake, Yusuke Sasaki, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama …

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2024年2月査読有り最終著者責任著者
Novel UV-B Phototherapy With a Light-Emitting Diode Device Prevents Atherosclerosis by Augmenting Regulatory T-Cell Responses in Mice

Toru Tanaka, Naoto Sasaki, Aga Krisnanda, Masakazu Shinohara, Hilman Zulkifli Amin, Sayo Horibe, Ken Ito, Motoaki Iwaya, Atsushi Fukunaga, Ken Ichi Hirata …

Journal of the American Heart Association 13(2) e031639 2024年1月16日査読有り
Analysis of Altered Layers Formed during Substrate Exfoliation of AlGaN Crystals Grown on Periodic AlN Nanopillars Using the Heated-Pressurized Water Method

Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Takahiro Maruyama, Hideto Miyake …

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年査読有り最終著者責任著者
Effect of Polarization-Charge Modulation on the Carrier-Injection Efficiency of AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using Polarization Doping in the p-Type AlGaN Cladding Layer

Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Toma Nishibayashi, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年査読有り最終著者責任著者
In Situ Center Wavelength Control of AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors with In Situ Reflectivity Spectra Measurements

Kenta Kobayashi, Taichi Nishikawa, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年査読有り
Effect of Wet Etching on AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Grown on Wet-Etched Periodic AlN Nanopillars

Yoshinori Imoto, Ryota Hasegawa, Ayumu Yabutani, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Ryoya Yamada, Eri Matsubara, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年査読有り最終著者責任著者
Investigation of emission plane control in GaInN/GaN multiple-quantum shells for efficient nanowire-based LEDs

Soma Inaba, Weifang Lu, Ayaka Shima, Shiori Ii, Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Yuta Hattori, Kosei Kubota, Kai Huang, Motoaki Iwaya …

Nanoscale Advances 2024年査読有り
N-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with AlGaN graded layers

Kenta Kobayashi, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Ruka Watanabe, Kodai Usui, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Japanese Journal of Applied Physics 62(SN) SN1012-SN1012 2023年11月1日査読有り
Fabrication of vertical AlGaN-based ultraviolet-B laser diodes using a laser lift-off method

Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Koki Hattori, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake …

Applied Physics Express 16(10) 104001-104001 2023年10月26日査読有り最終著者責任著者
Exfoliation mechanism of AlGaN-based thin films using heated-pressurized water

Ryoya Yamada, Eri Matsubara, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Koki Hattori, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Takahiro Maruyama …

Applied Physics Express 16(10) 105504-105504 2023年10月1日査読有り最終著者責任著者
Stray light reduction in monolithic GaInN-based μLED arrays for high-definition display realization

Tatsunari Saito, Yuta Imaizumi, Kenta Kobayashi, Yoshinobu Suehiro, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya

Japanese Journal of Applied Physics 62(9) 2023年9月1日査読有り最終著者責任著者
Performance of Ultraviolet-B Laser Diodes on AlGaN Templates Prepared Using Different Fabrication Methods

Eri Matsubara, Tomoya Omori, Ryota Hasegawa, Kazuki Yamada, Ayumu Yabutani, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 220(16) 2023年8月査読有り最終著者責任著者
RGB monolithic GaInN-based μLED arrays connected via tunnel junctions

Tatsunari Saito, Naoki Hasegawa, Keigo Imura, Yoshinobu Suehiro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Motoaki Iwaya

Applied Physics Express 16(8) 2023年8月1日査読有り最終著者責任著者
Development of High‐Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes and their Device Applications

Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii …

physica status solidi (a) 220(16) 2023年6月19日査読有り
Dimension dependence of current injection path in GaInN/GaN multi-quantum-shell (MQS) nanowire-based light-emitting diode arrays

Sae Katsuro, Weifang Lu, Kazuma Ito, Nanami Nakayama, Soma Inaba, Ayaka Shima, Shiori Yamamura, Yukimi Jinno, Naoki Sone, Kai Huang …

Nanophotonics 2023年6月16日査読有り
In situ cavity length control of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with in situ reflectivity spectra measurements

Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Japanese Journal of Applied Physics 62(6) 066504-066504 2023年6月1日査読有り
Development of AlGaN-based laser diodes in the UV-A to UV-B regions

Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake

Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXII 2023年3月17日

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MISC

高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善

薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性

薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(271(ED2022 24-48)) 2022年
AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡

薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations

Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski

日本結晶成長学会誌 47(3) 47-3-05:1-47-3-05:9 2020年10月30日査読有り
X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸の構造評価

清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 岩瀬航平, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸構造の見積もり

清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 近藤剣, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
ウェハ接合技術を利用したGaInN/GaInP/GaAs/Ge4接合太陽電池の作製

篠田亮二, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University (22) 57-60 2017年
X線吸収微細構造測定によるAl_0.82In_0.18Nの局所構造解析

清木良麻, 小森大資, 池山和希, 伊奈稔哲, 尾沼猛儀, 宮嶋孝夫, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
XAFS法を用いたGaN_1-xSb_x混晶半導体中のSb占有位置評価

宮嶋孝夫, 小森大資, 清木良麻, 伊奈稔哲, 新田清文, 鈴木健太, 竹内哲也, 宇留賀朋哉, 上山智, 岩谷素顕 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
第6回窒化物半導体結晶成長に関する国際会議(会議報告)

三宅秀人, 藤岡洋, 岩谷素顕

日本結晶成長学会誌 42(4) 295-295 2016年1月
低抵抗・低吸収窒化物半導体トンネル接合 : 深紫外レーザーダイオードに向けて

竹内哲也, 高須賀大貴, 井野匡貴, 岩谷素顕, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 133-136 2016年
その場観察X線回折法を用いたGalnN/GaN超格子の評価

山本泰司, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 37-40 2016年
ノーベルウィーク報告

岩谷素顕

応用物理 84(1) 8-17 2015年1月10日
GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

小森大資, 財部覚, 鈴木健太, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 宮嶋孝夫, 小出典克, 赤崎勇, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
その場X線回折法による有機金属化合物気相成長GaInNの評価 (特集半導体結晶成長機構のその場観察)

岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 42(3) 218-224 2015年
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 (電子デバイス)

黒川泰視, 合田智美, 加賀充, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329) 57-61 2013年11月28日
Ⅲ族窒化物半導体太陽光発電素子の高性能化

森美貴子, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 21-24 2013年
超高感度窒化物半導体Photo-HFET

石黒真未, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 125-129 2013年
窒化物半導体基盤技術研究センター : その概要と研究成果

赤﨑勇, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 137-141 2013年
窒化物半導体太陽電池の集光特性

森美貴子, 山本翔太, 桑原洋介, 藤井崇裕, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111(291) 71-75 2011年11月10日

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担当経験のある科目(授業)

2016年4月 - 現在

エレクトロニクス材料分析・評価法 (名城大学)
2012年9月 - 現在

半導体工学 (名城大学)
2009年4月 - 現在

量子力学 (名城大学)
2006年9月 - 現在

アナログ電子回路 (名城大学)
2003年9月 - 現在

電気回路 (名城大学)
2003年4月 - 現在

応用数学II（複素関数） (名城大学)

所属学協会

2006年4月 - 現在

日本結晶成長学会
1998年2月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2023年4月 - 2028年3月

竹内哲也, 上山智, 田中崇之, 今井大地, 岩谷素顕, 亀井利浩
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2026年3月

竹内哲也, 上山智, 田中崇之, 今井大地, 岩谷素顕, 亀井利浩
遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2022年4月 - 2025年3月

岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也
強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2017年4月 - 2022年3月

片山竜二, 宮嶋孝夫, 岩谷素顕, 上向井正裕
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 本田善央
電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

岩谷素顕, 上山智, 松本貴裕, 竹内哲也
ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕
太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色ＬＥＤ

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

岩谷素顕
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究特別推進研究 2013年 - 2015年

天野浩, 本田善央, 出来真斗, 大野雄高, 三宅秀人, 成塚重弥, 竹内哲也, 岩谷素顕, 福山博之, 田中成泰
ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2011年 - 2013年

竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕
革新的・ハイブリッド・タンデム型白色LED

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2009年 - 2011年

岩谷素顕
ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2010年

天野浩, 上山智, 岩谷素顕
光制御のための半導体ナノ構造作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2006年 - 2008年

上山智, 天野浩, 岩谷素顕, 天野浩, 岩谷素顕
次世代大電力制御用超高効率デバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2006年 - 2007年

天野浩, 岩谷素顕
AlN系ナイトライドによる次世代小型・超高出力・高効率パワーデバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2006年 - 2007年

岩谷素顕
紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究萌芽研究 2005年 - 2005年

天野浩, 上山智, 岩谷素顕, 森田明理

産業財産権

229

特開2024-047139 窒化物半導体発光素子の製造方法

竹内哲也, 長澤剛, 岩谷素顕, 上山智
特開2024-043805 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

上山智, 神野幸美, 竹内哲也, 岩谷素▲顕▼, 末本祐也, 上岡義弘, 飯浜準也, 楠瀬好郎, 召田雅実
特開2024-030667 半導体レーザおよびその製造方法

松本竜弥, 寅丸雅光, 神好人, 岩谷素顕, 岩山章, 薮谷歩武
特開2024-031061 LEDアレイ

上田吉裕, 岩谷素顕, 末広好伸, 今泉雄太, 齋藤竜成
特開2024-029315 窒化物半導体発光素子の製造方法

岩谷素顕, 岩山章, 長谷川亮太, 西林到真, 松原衣里
特開2024-019797 半導体レーザおよびその製造方法

松本竜弥, 寅丸雅光, 神好人, 岩谷素顕, 岩山章, 薮谷歩武
特許第7410508号窒化物半導体素子

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 安江信次, 荻野雄矢
特開2023-172556 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子

岩谷素顕, 岩山章, 長谷川亮太, 三宅秀人
特開2023-157209 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法

竹内哲也, 小林憲汰, 柴田夏奈, 岩谷素顕, 上山智, 倉本大
特許第7369947号窒化物半導体発光素子の製造方法

竹内哲也, 小田原麻人, 岩谷素顕, 上山智, 赤▲崎▼ 勇, 清原一樹
特開2023-135727 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子

竹内哲也, 柴田夏奈, 岩谷素顕, 上山智, 倉本大
特許第7352941号窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法

竹内哲也, 平岩恵, 岩山章, 岩谷素顕, 上山智, 赤▲崎▼ 勇
特開2023-121445 紫外半導体レーザ素子、及び紫外半導体レーザ素子の製造方法

岩谷素顕, 岩山章, 薮谷歩武, 大森智也, 近藤涼輔
特許第7336767号半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇, ルーウェイファン, 曽根直樹, 飯田一喜, 中村亮, 大矢昌輝
特開2023-100027 窒化物半導体発光素子の製造方法

岩谷素顕, 下川萌葉, 大森智也, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 三宅秀人
特許第7312997号半導体発光素子

上山智, 寺澤美月, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇, 大矢昌輝, 飯田一喜, 曽根直樹
特許第7302814号半導体発光素子

三好晃平, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇
特許第7260089号窒化物半導体

岩谷素顕, 川瀬雄太, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 赤▲崎▼ 勇, 三宅秀人
特許第7246038号窒化物半導体レーザダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 安江信次
特許第7236078号半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇, 曽根直樹, 飯田一喜, 大矢昌輝

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岩谷素顕

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