岩谷素顕 (Motoaki Iwaya) - マイポータル

基本情報

所属: 名城大学理工学部教授

学位: 博士（工学）(2003年3月名城大学)

研究者番号: 40367735
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-4889-706X
J-GLOBAL ID: 202001012110400203
researchmap会員ID: R000008474

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

名城大学理工学部教授
2007年4月 - 2020年3月

名城大学理工学部准教授
2003年4月 - 2007年3月

名城大学理工学部講師

学歴

2000年4月 - 2003年3月

名城大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士課程
1998年4月 - 2000年3月

名城大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
1994年4月 - 1998年3月

名城大学理工学部電気電子工学科

委員歴

2021年4月 - 現在

日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会運営委員
2021年4月 - 現在

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会特別事業主査
2016年4月 - 2021年3月

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会特別事業幹事
2015年4月 - 2021年3月

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会運営委員

受賞

2020年9月

第36回（2021年度）日本結晶成長学会論文賞: 日本結晶成長学会

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 竹内哲也, 三宅秀人
2020年9月

応用物理学会論文賞 Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire 応用物理学会

佐藤恒輔, 化成, 安江信次, 山田和輝, 田中隼也, 大森智也, 石塚彩花, 手良村昌平, 荻野雄矢, 岩山章, 三宅秀人, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 名城, 赤﨑勇
2017年9月

応用物理学会論文賞 Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors 応用物理学会

池山和希, 小塚祐吾, 松井健城, 吉田翔太朗, 赤木孝信, 赤塚泰斗, 小出典克, 竹内哲也, 上山智, 名城, 岩谷素顕
2015年3月

応用物理学会APEX/JJAP編集貢献賞応用物理学会

岩谷素顕

論文

395

Influence of silane flow rate on the structural and optical properties of GaN nanowires with multiple-quantum-shells

Naoki Sone, Weifang Lu, Yoshiya Miyamoto, Renji Okuda, Kazuma Ito, Koji Okuno, Koichi Mizutani, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Dong Pyo Han, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

Journal of Crystal Growth 570 2021年9月15日査読有り
Low-threshold-current (~85 mA) of AlGaN-based UV-B laser diode with refractive-index waveguide structure

Shunya Tanaka, Yuya Ogino, Kazuki Yamada, Reo Ogura, Shohei Teramura, Moe Shimokawa, Sayaka Ishizuka, Sho Iwayama, Kosuke Sato, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

Applied Physics Express 14(9) 094009-094009 2021年9月1日
Quasi-ballistic thermal conduction in 6H–SiC

Z. Cheng, W. Lu, J. Shi, D. Tanaka, N. H. Protik, S. Wang, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, S. Graham

Materials Today Physics 20 2021年9月
Effects of Mg dopant in Al-composition-graded Al x Ga1-x N (0.45 <= x) on vertical electrical conductivity of ultrawide bandgap AlGaN p-n junction

Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Konrad Sakowski, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, Jacek Piechota, Isamu Akasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14(9) 2021年9月査読有り
Crystal Growth and Characterization of n-GaN in a Multiple Quantum Shell Nanowire-Based Light Emitter with a Tunnel Junction

Yoshiya Miyamoto, Weifang Lu, Naoki Sone, Renji Okuda, Kazuma Ito, Koji Okuno, Koichi Mizutani, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 13(31) 37883-37892 2021年8月査読有り
Three-Method Hybrid Numerical Simulation for Surface-Plasmon-Enhanced GaInN-Based Light-Emitting Diodes with Metal-Embedded Nanostructures

Ryoya Hiramatsu, Ryo Takahashi, Ryoto Fujiki, Keisuke Hozo, Kanato Sawai, Dong-Pyo Han, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

FRONTIERS IN PHYSICS 9 2021年7月査読有り
Room temperature pulsed operation of nitride nanowire-based multi-quantum shell laser diodes by MOVPE

Koji Okuno, Koichi Mizutani, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Naoki Sone, Weifang Lu, Renji Okuda, Yoshiya Miyamoto, Kazuma Ito, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14(7) 2021年7月査読有り
Analysis of carrier injection efficiency of AlGaN UV-B laser diodes based on the relationship between threshold current density and cavity length

Kosuke Sato, Tomoya Omori, Kazuki Yamada, Shunya Tanaka, Sayaka Ishizuka, Shohei Teramura, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(7) 2021年7月査読有り
Low threshold current density in GaInN-based laser diodes with GaN tunnel junctions

Yuki Kato, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Tetsuro Inagaki, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14(6) 2021年6月査読有り
GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 36(6) 2021年6月査読有り招待有り
AlGaN-based UV-B laser diode with a wavelength of 290 nm on 1 mu m periodic concavo-convex pattern AlN on a sapphire substrate

Shunya Tanaka, Shohei Teramura, Moe Shimokawa, Kazuki Yamada, Tomoya Omori, Sho Iwayama, Kosuke Sato, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14(5) 2021年5月査読有り
AlGaN-based UV-B laser diode with a high optical confinement factor

Shunya Tanaka, Yuya Ogino, Kazuki Yamada, Tomoya Omori, Reo Ogura, Shohei Teramura, Moe Shimokawa, Sayaka Ishizuka, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Kosuke Sato, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS 118(16) 2021年4月査読有り
Reduction of etch pit density in organometallic vapor phase epitaxy-grown GaN on sapphire by insertion of a low-temperature-deposited buffer layer between high-temperature-grown GaN

Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Shigeo Yamaguchi, Christian Wetzel, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37(3 B) 2021年3月査読有り
Color-tunable emission in coaxial GaInN/GaN multiple quantum shells grown on three-dimensional nanostructures

Weifang Lu, Kazuma Ito, Naoki Sone, Renji Okuda, Yoshiya Miyamoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Tekeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

Applied Surface Science 539 2021年2月15日査読有り
N-type GaN surface etched green light-emitting diode to reduce non-radiative recombination centers

Dong Pyo Han, Ryoto Fujiki, Ryo Takahashi, Yusuke Ueshima, Shintaro Ueda, Weifang Lu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

Applied Physics Letters 118(2) 2021年1月11日査読有り
Device fabrication for multiple quantum shell nanowires based laser diodes

Renji Okuda, Weifang Lu, Naoki Sone, Yoshiya Miyamoto, Kazuma Ito, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Koji Okuno, Koichi Mizutani, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11686 2021年査読有り
High-concentration doping of donor and acceptor in fluorescent 4H-SiC by closed sublimation growth

Yoma Yamane, Weifang Lu, Kosuke Yanai, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11706 2021年査読有り
High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Takanobu Akagi, Yugo Kozuka, Kazuki Ikeyama, Sho Iwayama, Masaru Kuramoto, Tatsuma Saito, Takayuki Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

Applied Physics Express 13(12) 2020年12月1日査読有り
Identifying the cause of thermal droop in GaInN-based LEDs by carrier- and thermo-dynamics analysis

Dong Pyo Han, Gyeong Won Lee, Sangjin Min, Dong Soo Shin, Jong In Shim, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

Scientific Reports 10(1) 2020年12月1日査読有り
Correlation between Optical and Structural Characteristics in Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires with AlGaN Spacers

Weifang Lu, Yoshiya Miyamoto, Renji Okuda, Kazuma Ito, Naoki Sone, Motoaki Iwaya, Tetsuya Tekeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki

ACS Applied Materials and Interfaces 12(45) 51082-51091 2020年11月11日査読有り

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担当経験のある科目(授業)

2016年4月 - 現在

エレクトロニクス材料分析・評価法 (名城大学)
2012年9月 - 現在

半導体工学 (名城大学)
2009年4月 - 現在

量子力学 (名城大学)
2006年9月 - 現在

アナログ電子回路 (名城大学)
2003年9月 - 現在

電気回路 (名城大学)
2003年4月 - 現在

応用数学II（複素関数） (名城大学)

所属学協会

2006年4月 - 現在

日本結晶成長学会
1998年2月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2017年4月 - 2022年3月

片山竜二, 宮嶋孝夫, 岩谷素顕, 上向井正裕
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 本田善央
電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

岩谷素顕, 上山智, 松本貴裕, 竹内哲也
ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕
太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色ＬＥＤ

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

岩谷素顕
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2013年 - 2015年

天野浩, 本田善央, 出来真斗, 大野雄高, 三宅秀人, 成塚重弥, 竹内哲也, 岩谷素顕, 福山博之, 田中成泰
ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2011年 - 2013年

竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕
革新的・ハイブリッド・タンデム型白色LED

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2009年 - 2011年

岩谷素顕
ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2010年

天野浩, 上山智, 岩谷素顕
光制御のための半導体ナノ構造作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2006年 - 2008年

上山智, 天野浩, 岩谷素顕, 天野浩, 岩谷素顕
次世代大電力制御用超高効率デバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2007年

天野浩, 岩谷素顕
AlN系ナイトライドによる次世代小型・超高出力・高効率パワーデバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2006年 - 2007年

岩谷素顕
紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2005年 - 2005年

天野浩, 上山智, 岩谷素顕, 森田明理

産業財産権

特開2021-036553 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

竹内哲也, 小田原麻人, 岩谷素顕, 上山智, 赤▲崎▼ 勇, 清原一樹
特許第6846730号半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法

竹内哲也, 赤▲崎▼ 勇, 岩谷素顕, 赤木孝信
特開2021-034632 窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法

竹内哲也, 平岩恵, 岩山章, 岩谷素顕, 上山智, 赤▲崎▼ 勇
特許第6838731号窒化物半導体レーザ素子

岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤▲崎▼ 勇, 川瀬雄太, 安田俊樹
特許第6819969号窒化物半導体基板

吉川陽, 森下朋浩, 岩谷素顕
特開2020-150252 窒化物半導体素子

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 安江信次, 荻野雄矢
特開2020-092175 窒化物半導体多層膜反射鏡

竹内哲也, 平岩恵, 岩山章, 岩谷素顕, 上山智, 赤▲崎▼ 勇
特開2020-075842 窒化物半導体

岩谷素顕, 川瀬雄太, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 赤▲崎▼ 勇, 三宅秀人
特開2020-077831 半導体素子及び紫外発光ダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕
特開2020-077832 半導体素子及び半導体レーザダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕
特許第6699063号サファイア基板及び窒化物半導体基板

吉川陽, 森下朋浩, 岩谷素顕
特開2020-047635 窒化物半導体レーザダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 安江信次
特許第6664688号垂直共振器型発光素子

竹内哲也, 赤▲崎▼ 勇, 岩谷素顕, 池山和希, 岩山章, 赤木孝信, 中田圭祐
特開2020-025020 半導体レーザー素子とその製造方法

大矢昌輝, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇
特許第6649693号窒化物半導体発光素子及びその製造方法

竹内哲也, 小森大資, 財部覚, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇
特開2019-201185 レーザダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 岩山章, 川瀬雄太, 池田隼也
特開2019-201186 レーザ素子及びレーザダイオード

佐藤恒輔, 岩谷素顕, 岩山章, 川瀬雄太, 池田隼也
特許第6614486号紫外線受光素子

吉川陽, 森下朋浩, 岩谷素顕, 山本雄磨
特許第6561367号 npn型窒化物半導体発光素子の製造方法

竹内哲也, 桑野侑香, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇
特開2019-087710 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子

竹内哲也, 赤塚泰斗, 岩山章, 岩谷素顕, 赤▲崎▼ 勇

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担当経験のある科目(授業)

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