市販の装置と比較して、より高温での成長が可能な有機金属化合物気相成長装置を設計・購入して実験を遂行した。高温成長を基本として、溝加工したテンプレートを用いることにより、従来と比較して結晶品質が格段に優れ、また残留不純物濃度の少ないAlN及びAlGaNの成長が可能になった。紫外から深紫外のほぼ全領域において、貫通転位密度の異なる多重量子井戸構造を作製し、その内部量子効率が発光波長に因らず貫通転位密度のみで決まることを初めて示した。UVAレーザダイオード(LD)を作製して、内部量子効率及び注入効率を評価する手法を確立し、また波長255nmから350nmにいたるまで、LEDの外部量子効率5%以上を達成した。更に低貫通転位密度紫外・深紫外LED・LD実現のために昇華法によるバルクAlN成長に取り組み、成長速度0.6mm/hという高速成長に成功した。