徳光永輔 (TOKUMITSU EISUKE) - マイポータル

基本情報

所属: 北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス系教授

学位: 博士(工学)(東京工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901055617687191
researchmap会員ID: 1000203933

研究キーワード

半導体デバイス、酸化物半導体、強誘電体、薄膜トランジスタ、不揮発性メモリ、パワーデバイス、溶液プロセス

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 固体電子工学、電子デバイス、電子材料

経歴

2007年

東京工業大学精密工学研究所, 准教授
2004年

東京工業大学精密工学研究所, 助教授
2002年

東北大学電気通信研究所助教授
1992年

東京工業大学助教授
1988年

AT&T Bell Laboratories Member of Technical Staff
1987年

東京工業大学助手

学歴

論文

Analog Memcapacitor by Ferroelectric Capacitor and Its Application to Spiking Neuromorphic System

Yuma Ishisaki, Reon Oshio, Takumi Kuwahara, Michihiro Shintani, Eisuke Tokumitsu, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, Yasuhiko Nakashima, Mutsumi Kimura

IEEE Transactions on Electron Devices 71(8) 4626-4630 2024年8月
Indium oxide and indium-tin-oxide channel ferroelectric gate thin film transistors with yttrium doped hafnium-zirconium dioxide gate insulator prepared by chemical solution process

Mohit, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年5月1日
Impact of annealing environment on electrical properties of yttrium-doped hafnium zirconium dioxide thin films prepared by the solution process

Mohit, Tatsuya Murakami, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 59(SP) SPPB03-SPPB03 2020年7月30日査読有り
Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application

Mohit, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 59(SM) SMMB02-SMMB02 2020年7月1日査読有り
Electrical properties of In2O3 and ITO thin films formed by solution process using In(acac)3 precursors

Puneet Jain, Yuji Nakabayashi, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 59(SC) SCCB12-SCCB12 2020年2月1日査読有り
A simple analysis of polarization reversal of ferroelectric capacitor demonstrating negative capacitance-like behavior

Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 59(SC) SCCB06-SCCB06 2020年2月1日査読有り
Applications of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

Topics in Applied Physics 131 413-425 2020年
Electrical and patterning properties of direct nanoimprinted indium oxide (In2O3) and indium tin oxide (ITO)

Jain Puneet, Su Chang, Haga Ken-ichi, Tokumitsu Eisuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月1日査読有り
Direct imprinting of indium-tin-oxide precursor gel and simultaneous formation of channel and source/drain in thin-film transistor

Ken-Ichi Haga, Yuusuke Kamiya, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 57(2) 2018年2月1日査読有り
Evaluation of (Bi,La)(4)Ti3O12 Thin Film for Capacitor-Type Synapses

2018 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 2018年査読有り
Investigation of Nb-Zr-O Thin Film using Sol-gel Coating

Joonam Kim, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 17(2) 245-251 2017年4月査読有り
Fabrication of MoS2 thin films on oxide-dielectric-covered substrates by chemical solution process

Joonam Kim, Koichi Higashimine, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254(2) 2017年2月査読有り
Nano Electronic Materials FOREWORD

Eisuke Tokumitsu, Musubu Ichikawa, Akira Baba, Hironori Fujisawa, Kazuaki Furukawa, Susumu Horita, Eiji Itoh, Takeshi Kawae, Shinya Kumagai, Atsushi Masuda …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(2) 2016年2月査読有り
Fabrication of MoS2 thin films on oxide-dielectric-covered substrates

Joonam Kim, Eisuke Tokumitsu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り
Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Function

Eisuke Tokumitsu

FERROELECTRIC-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORIES: DEVICE PHYSICS AND APPLICATIONS 131 75-88 2016年査読有り
Applications of Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

FERROELECTRIC-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORIES: DEVICE PHYSICS AND APPLICATIONS 131 335-347 2016年査読有り
High-relative-dielectric-constant bismuth-niobium-oxide films prepared using Nb-rich precursor solution

Tomoki Ariga, Satoshi Inoue, Shin Matsumoto, Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(9) 2015年9月査読有り
Fabrication and characterization of ferroelectric-gate thin-film transistors with an amorphous oxide semiconductor, amorphous In-Ga-Zn-O

Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 2014年11月査読有り
Investigation of solution-processed bismuth-niobium-oxide films

Satoshi Inoue, Tomoki Ariga, Shin Matsumoto, Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Norimichi Chinone, Yasuo Cho, Tatsuya Shimoda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(15) 2014年10月査読有り
レオロジープリンティング法によるLaRuOナノパターンの作製

永原幸児, 廣瀬大亮, 李金望, 徳光永輔, 下田達也

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 1452-1452 2014年9月1日

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MISC

204

Evaluation of (Bi, La)4Ti3012 Thin Film for Capacitor-Type Synapses

Yuta Miyabe, Isato Ogawa, Mutsumi Kimura, Eisuke Tokumitsu, Kenichi Haga, Isao Horiuchi

IMFEDK 2018 - 2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2018年12月19日
A study on graphitization of 4H-SiC(0001) surface under low pressure oxygen atmosphere and effects of pre-oxidation treatment

Yuichi Nagahisa, Yoshishige Tsuchiya, Eisuke Tokumitsu

Materials Science Forum 821-823 949-952 2015年
Preface

Panagiotis Dimitrakis, Yoshihisa Fujisaki, Guohan Hu, Eisuke Tokumitsu

Materials Research Society Symposium Proceedings 1729 2015年1月1日
Oxide-channel ferroelectric-gate thin film transistors prepared by solution process

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

Proceedings of the International Display Workshops 1 71-74 2015年1月1日
Kelvin probe force microscopy study on operating In-Sn-O-channel ferroelectric-gate thin-film transistors

P. T. Tue, T. Miyasako, E. Tokumitsu, T. Shimoda

Journal of Applied Physics 115(10) 2014年3月14日
Oxide thin film transistors fabricated by solution process

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 97 187-192 2014年1月1日
Effect of Coercive Voltage and Charge Injection on Performance of a Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistor

P. T. Tue, T. Miyasako, E. Tokumitsu, T. Shimoda

ADVANCES IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING 2013 2013年
Materials Research Society Symposium Proceedings: Preface

Yoshihisa Fujisaki, Panagiotis Dimitrakis, Eisuke Tokumitsu, Michael N. Kozicki

Materials Research Society Symposium Proceedings 1430 2012年12月1日
Materials Research Society Symposium Proceedings: Preface

Dirk J. Wouters, Eisuke Tokumitsu, Orlando Auciello, Panagiotis Dimitrakis, Yoshihisa Fujisaki

Materials Research Society Symposium Proceedings 1337 2011年12月29日
Multiagent strategic interaction based on a game theoretical approach to polarization reversal in ferroelectric capacitors

Dan Ricinschi, Eisuke Tokumitsu

Journal of Advanced Computational Intelligence and Intelligent Informatics 15 806-812 2011年9月1日
Analysis on interface layer between Pt electrode and ferroelectric layer of solution-processed PZT capacitor

Thanh V. Pham, Trinh N. Q. Bui, Tue T. Phan, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

Materials Research Society Symposium Proceedings 1368 41-46 2011年
Lanthanum oxide capping layer for solution-processed ferroelectric-gate thin-film transistors

Tue T. Phan, Trinh N. Q. Bui, Takaaki Miyasako, Thanh V. Pham, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

Materials Research Society Symposium Proceedings 1337 137-143 2011年
Materials Research Society Symposium Proceedings: Preface

Caroline Bonafos, Yoshihisa Fujisaki, Panagiotis Dimitrakis, Eisuke Tokumitsu

Materials Research Society Symposium Proceedings 1250 2010年12月24日
Fabrication of IGZO and In2O3-channel ferroelectric-gate thin film transistors

Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa

Materials Research Society Symposium Proceedings 1250 145-150 2010年12月24日
Electric field effects on radiative transition in quantum dot inorganic electroluminescent devices

Yuki Tani, Satoshi Kobayashi, Eisuke Tokumitsu

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 7(4) 288-294 2010年2月
Flexible High-Performance Amorphous InGaZnO4 Thin-Film Transistors Utilizing Excimer Laser Annealing

Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Toshimasa Eguchi, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(8) 081607 1-7-0816077 2009年8月
Effects of Thermal Annealing on ZnO Thin-Film Transistor Characteristics and the Application of Excimer Laser Annealing in Plastic-Based ZnO Thin-Film Transistors

Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Toshimasa Eguchi, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(8) 081608 1-7-0816087 2009年8月
プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製

神保武人, 佐野春行, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(591) 7-12 2009年2月16日
Improvement of InGaZnO4 Thin Film Transistors Characteristics Utilizing Excimer Laser Annealing

Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Kazufumi Azuma, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko

APPLIED PHYSICS EXPRESS 2(2) 021102-1~3 2009年2月
Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors

Eisuke Tokumitsu, Yohei Kondo

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 54(1) 539-543 2009年1月

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書籍等出版物

Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Function

Eisuke Tokumitsu

“Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories”,Springer, 2016. 2016年
Applications of Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

“Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories”, Springer, 2016. 2016年
Materials and physics for nonvolatile memories II : spring 2010, April 5-9, San Francisco, California, U.S.A.

Materials Research Society, Spring Meeting, Materials, Physics for Nonvolatile Memories, Bonafos Caroline, Fujisaki Yoshihisa, Dimitrakis Panagiotis, 徳光永輔

Materials Research Society 2010年 (ISBN: 9781605112275)
電子物性・材料の事典

朝倉書店 2006年

講演・口頭発表等

210

Coating properties of chemical solution processed MoS2 thin films on various oxides

Joonam Kim, Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu

2017 European Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, May 22-26, 2017. paper Q.PM.4 2017年
Chemical Solution Process of In-Based Oxides and MoS2 for Thin Film Transistors

Eisuke Tokumitsu

The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), June 18-321, 2017, Fukui, paper PA2-1-1 2017年招待有り
Direct Imprinting of Oxide Precursor Gel for New Fabrication Process of Thin Film Transistors

Ken-ichi Haga, Yuusuke Kamiya, Eisuke Tokumitsu

The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), June 18-321, 2017, Fukui, paper PO3-47 2017年
Investigation of Nb-Zr-O thin film using sol-gel coating

J. Kim, K. Haga, E. Tokumitsu

82016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), paper B3-3(oral) July 4 - 6, 2016Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan 2017年
Fabrication of MoS2 thin films on oxide-dielectric-covered substrates

Joonam Kim, Eisuke Tokumitsu

Compound Semiconductor Week, June 26-30, 2016 Toyama International Conference Center, Toyama paper MoP-ISCS-121 2017年
強誘電体の特異物性と強誘電体ゲートデバイスの展望

徳光永輔

電子情報通信学会2017年総合大会、エレクトロニクスソサイエティープレナリーセッション（CK-1） 2017年3月22～25日、名城大学天白キャンパス（名古屋市） 2017年招待有り
溶液プロセスによるMoS2の作製と薄膜トランジスタ応用に関する研究

金胄男, 羽賀健一, 徳光永輔

第64回応用物理学会春季学術講演会、16a-F203-10、パシフィコ横浜、2017年3月14日～17日 2017年
Chemical solution processed MoS2 on high-k oxide film

Joonam Kim, Kenichi Haga, Koichi Higashimine, Eisuke Tokumitsu

77回応用物理学会秋季学術講演会、13p-A37-2、朱鷺メッセ、2016-9.13-16, 2016. 2017年
“Ferroelectric-gate Thin Film Transistors with Oxide Channel for Nonvolatile Memory Applications”

Eisuke Tokumitsu

2nd Anuunal World Congress of Smart Materials (WCSM2016), March 4-6, 2016, Singapore. 2016年招待有り
Memory Cell Array using Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors

Eisuke Tokumitsu

16th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2016) , Oct. 17 ｨC19, 2016, Pittsburgh, Pennsylvania, USAﾕﾐ 2016年招待有り
Simultaneous formation of channel and source/drain regions by nano-rheology printing in ITO-based thin film transistors

T. Kaneda, E. Tokumitsu, T. Miyasako, T. Shimoda

EMRS Spring Meeting, Lille, May 11-15, 2015 2015年
Characterization of sol-gel derived Nb doped ZrO2 thin film

JooNam Kim, Eisuke Tokumitsu

第63回応用物理学会春季学術講演会、2016年3月19日～22日、東京 19p-P3-3 2015年
Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors Prepared by Solution Process

Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

22nd International Display Workshop (IDW 2015), Dec.9-11, Otsu, Japan, Paper AMD6-1. 2015年招待有り
Characterization of solution processed thin film MoS2 on oxide dielectric

JooNam Kim, Eisuke Tokumitsu

5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015), June 16-19, 2015, Niigata, Japan. 2015年
Crystallization Mechanism and Crystallographic Orientation Control of (Bi,La)4Ti3O12 (BLT) Films by Sol-gel technique

Eisuke Tokumitsu, Ken-ichi Haga

13th European Meeting on Ferroelectricity (EMF 2015), Porto, June 28-July 3, 2015 oral 2015年
Ferroelectric-gate Thin Film Transistors with Oxide Channel for Nonvolatile Memory Applications

Eisuke Tokumitsu

BIT’s 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016, March 4-6, 2016, Singapore 2015年招待有り
A Direct Imprinting for Fine Metal Oxide Patterns and Devices

Tatsuya Shimoda, Toshihiko Kaneda, Daisuke Hirose, Takaaki Miyasako, Phan Trong Tue, Yoshitaka Murakami, Shinji Kohara, Jinwang Li, Tadaoki Mitani, Eisuke Tokumitsu, Shogo Nobukawa

13th International Conference on Nanoimprint and Nanoprint Technology (NNT 2014) (Invited) ,October 22-24, 2014 2014年10月22日招待有り
Amorphous LaRuO Nano-patterningusing Rheology Printing Method

Koji Nagahara, Li Jinwang, Daisuke Hirose, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda

13th International Conference on Nanoimprint and Nanoprint Technology (NNT 2014) ,October 22-24, 2014, ANA Crowne Plaza Kyoto, Kyoto, Japan. 2014年10月22日
レオロジープリンティング法によるLaRuOナノパターンの作製

永原幸児, 廣瀬大亮, 李金望, 徳光永輔, 下田達也

第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 2014年9月17-20日 2014年9月17日
Electrical characterization of gate modulation in graphene/n-SiC contacts

Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu

5th International conference on Recent Progress in Graphene Research 2014年9月9日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

徳光永輔, 藤村紀文, 森田行則, 太田裕之, 右田真司
単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2023年3月

木村睦, 中島康彦, ZHANG Renyuan, 松田時宜, 羽賀健一, 徳光永輔
パワー半導体への適用を目指した液体プロセスによるSiC膜の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

井上聡, 徳光永輔, 下田達也, 増田貴史
巨大電界効果を利用した可変面積電極の提案と可変容量キャパシタへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

徳光永輔
半導体コンタクトを用いたグラフェンチャネルトランジスタの電流制御

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

徳光永輔
リソグラフィーレス液体ナノデバイス作製プロセスの基盤確立と不揮発性メモリ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2009年 - 2011年

徳光永輔
巨大電荷制御トランジスタを用いたセラミックスエレクトロニクス

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/地域事業/地域イノベーション創出総合支援事業/シーズ発掘試験 2007年 - 2007年

徳光永輔
強誘電体ゲートを用いた大電流透明薄膜トランジスタの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2005年 - 2006年

徳光永輔
強誘電体を用いた巨大電荷制御トランジスタの提案と次世代集積回路への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2003年 - 2005年

徳光永輔
強誘電体を用いた不揮発性多値・アナログメモリの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2004年 - 2004年

徳光永輔
強誘電体を用いた金属・導電体中の電荷制御とスイッチング素子への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2002年 - 2003年

徳光永輔
強誘電体・高誘電率材料・導電性酸化物を用いた新しい集積機能デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2002年 - 2003年

徳光永輔
次世代MOSFETゲート用高誘電率材料の系統的探索と物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2002年

徳光永輔, 大見俊一郎
強誘電体・高誘電率材料を用いた機能性デバイスの試作とロジック回路への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 2001年 - 2001年

徳光永輔
人工単結晶強誘電体ドットの形成とマイクロキャパシタへの適用

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 2000年 - 2001年

徳光永輔
強誘電体薄膜の低温MOCVD技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2000年

徳光永輔, 木島健, 大見俊一郎, 石原宏
超並列光エレクトロニクス

日本学術振興会科学研究費助成事業 COE形成基礎研究費 1995年 - 2000年

伊賀健一, 小山二三夫, 下河辺明, 石原宏, 宮本智之, 徳光英輔, 中村健太郎, 馬場俊彦
単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1997年 - 1999年

石原宏, 山本修一郎, 會澤康治, 徳光永輔, 大見俊一郎
不揮発性強誘電体ゲートトランジスタの記憶特性の解明とニューラルネットへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1997年 - 1998年

徳光永輔, 石原宏, 大見俊一郎
強誘電体微細構造の形成と不揮発性微小メモリ効果の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1996年 - 1997年

徳光永輔

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社会貢献活動

Japan-Korea Joint Symposium, Recent progress and future prospects of functional 2-dimensional materials

Tokyo Institute of Technology. O-okayama, Tokyo 2016年3月19日
2015 Fall Meeting of Materials Research Society, Symposium KK Materials and Technology for Non-Volatile Memories

Hynes Convention Center, Boston, USA 2015年11月29日 - 2015年12月4日
The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies

TOKI MESSE Niiigata Convention Center, Niigata, Japan 2015年6月16日 - 2015年6月19日
2014 Fall Meeting of Materials Research Society, Sympoisum M Materials and Technlogies for Non-volatile Memories

Hynes Convention Center, Boston, USA 2014年11月30日 - 2014年12月5日
Materials Research Society, Spring Meeting, Symposium E Materials and Physics of Emerging Nonvolatile Memories

Moscone West Convention Center - San Francisco, California 2012年4月9日 - 2012年4月13日
Materials Research Society, Spring Meeting, Symposium Q New Functional Materials and Emerging Device Architectures for Nonvolatile Memories

Moscone West Convention Center - San Francisco, California 2011年4月25日 - 2011年4月29日

徳光永輔

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論文

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書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

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