井田次郎 (Jiro Ida) - マイポータル

基本情報

所属: 金沢工業大学金沢工業大学工学部電気電子工学科教授

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 200901079216853664
researchmap会員ID: 6000020102

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

学歴

- 1983年

東京大学, 工学系, 物理工学
- 1981年

東京大学, 工学部, 物理工学科

論文

131

Steep Slope Device “N-type Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor”: Suppression of Hysteresis by Ar-ion Implantation and Possibility of CMOS

Haruki Yonezaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 479 57-58 2024年6月15日査読有り
Control of Hysteresis and Latch-Up on Steep Switching “PN-Body Tied SOI-FET Diode” by Ar-Ion Implantation

Hiroyoshi Matsushita, Takayuki Mori, Jiro Ida

2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA) 2024年4月22日査読有り
New Steep Subthreshold Slope Device “Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor”

Haruki Yonezaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

2024 8th IEEE Electron Devices Technology &amp; Manufacturing Conference (EDTM) 2024年3月3日査読有り
Leaky-integrate-and-fire operation with signal amplification using gate-controlled carrier-injection silicon-on-insulator transistor

Haruki Yonezaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP83-02SP83 2024年2月1日査読有り
Neural Network Modeling of Steep Turn-on Diodes: Validation and Implementation in SPICE Simulations

Kengo Nakata, Takayuki Mori, Jiro Ida

2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2023年11月16日査読有り
Integrate-and-Fire Operation with Signal Amplification by using “Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET”

Haruki Yonezaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年9月7日査読有り
Steep Subthreshold Slope “Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET” -First Fabrication Results-

Haruki Yonezaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

Solid-State Electronics 108720-108720 2023年7月査読有り
Neuronal Function and Signal Amplification Device with Steep Switching “PN-Body Tied SOI-FET”

Takayuki Mori, Jiro Ida

2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA/VLSI-DAT) 2023年4月17日査読有り
Variability Evaluation of MOS-gated PNPN Diode for Hardware Spiking Neural Network

Toshihiro Takada, Takayuki Mori, Jiro Ida

2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS) 2023年3月27日査読有り
Sharp Turn-on Diode by Steep SS “PN-Body Tied SOI FET” for Ultra-low Power RF Energy Harvesting

Masayuki Ono, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi

2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2023年3月7日査読有り
Modeling of Super Steep Subthreshold Slope Device by using Neural Network

Kengo Nakata, Takayuki Mori, Jiro Ida

2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2022年11月28日査読有り
Evaluation of Multi-Finger PN-Body Tied SOI-FET-Origin and Suppression of Stepped I_d–V_g Characteristics-

Takayuki Mori, Kengo Nakata, Jiro Ida

2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) 2022年4月18日査読有り
Neuron Function with Single Device by using "PN-Body Tied SOI-FET"-Mimicking Leaky Integrate and Fire Characteristics-

Toru Sasaki, Takayuki Mori, Jiro Ida

2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2022年3月6日査読有り
RF Evaluation of Steep Subthreshold Slope “PN-Body Tied SOI-FET”

Mitsuhiro Yuizono, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi

2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2021年11月17日査読有り
Developing Ultralow Trun-on Voltage Diode by Steep Slope "PN-Body Tied SOI-FET"

Masayuki Ono, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi

2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2021年11月17日
Investigation of capacitor-less integrate and fire neuron by using dual-gate a PN-body tied silicon on insulator field-effect transistor

Takayuki Mori, Jiro Ida

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBA04-SBBA04 2021年5月1日査読有り
Transfer Characteristics of CMOS Inverter using "Steep SS PN-Body Tied SOI-FET"

Shota Ishiguro, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi

2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) 2021年4月19日査読有り
Analysis of Drain Current Enhancement in "PN-Body Tied SOI-FET" -Bulk vs Surface Conduction Mode and Low Vds Saturation Effect-

Hiroki Itoh, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi

2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) 2021年4月19日査読有り
Dual Gate PN Body-Tied SOI-FETを用いたニューロン回路の検討

森貴之, 井田次郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 2346-2346 2021年2月26日
Transient Characteristics on Super-Steep Subthreshold Slope “PN-Body Tied SOI-FET” — Simulation and Pulse Measurement —

Takayuki MORI, Jiro IDA, Hiroki ENDO

IEICE Transactions on Electronics E103.C(10) 533-542 2020年10月1日査読有り

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MISC

極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型PN-Body Tied SOI-FET"試作結果—Evaluation of Steep Subthreshold Slope Device "Dual-Gate type PN-Body Tied SOI-FET" for Ultra Low Voltage Operation—情報センシング

米崎晴貴, 井田次郎, 森貴之, 石橋考一郎

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 46(23) 19-22 2022年8月
招待講演極低電力LSIに向けたSteep Slope "PN-Body Tied SOI-FET"の研究状況—Research Status of Steep Slope "PN-Body Tied SOI-FET" for Ultra low Power LSI Applications—情報センシング

井田次郎, 森貴之

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 46(23) 15-18 2022年8月
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"のCMOSインバータ伝達特性 (情報センシング)—CMOS Inverter Transfer Characteristics on Steep SS "PN-Body Tied SOI-FET"

石黒翔太, 井田次郎, 森貴之, 石橋孝一郎

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 44(17) 57-60 2020年8月
RFエネルギーハーベスティング用のSOI-MOSダイオードと高インピーダンスアンテナを用いたレクテナの検討と試作

河野渓介, 井田次郎, 森貴之, 野口啓介, 伊東健治

電気・情報関係学会北陸支部連合大会(CD-ROM) 2020 2020年
Steep Slope PN-Body Tied SOI-FETの研究 -65 nm Thin Box SOIと200 nm SOIの比較-

井田次郎

第２回量子線イメージング研究会, 9/24-25 2019 イーグレ姫路著者：森貴之，井田次郎 2019年9月
Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET -センサ回路の革新に向けて-

井田次郎

第1回量子線イメージング研究会, p-37, 2018年9月25-26日、京都大学著者：森貴之, 井田次郎 2019年9月
急峻なSSを持つ"PN Body-Tied SOI-FET"におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 (シリコン材料・デバイス)—Effect of V[sub] and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS "PN Body-Tied SOI-FET"—集積回路

矢吹亘, 井田次郎, 森貴之, 石橋孝一郎, 新井康夫

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(162) 89-93 2019年8月
極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ (集積回路)—Ultra Low power rectenna with super SS "PN-Body Tied SOI-FET"—シリコン材料・デバイス

山田拓弥, 井田次郎, 森貴之, 安丸暢彦, 伊東健治, 石橋孝一郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(161) 95-98 2019年8月
Fabrication of Rectenna with 10 kohm Antenna and SOI-MOSFET Diode for RF Energy Harvesting

IDA Jiro

TJMW (Thailand-Japan Microwave)2019,YE-25 ,pp1-2, 26-28/6/2019 Authors: R.YANAGI, Y. TSUCHIYA , J. IDA, T. MORI , T.YAMADA, K. NOGUCHI and K. ITOH 2019年6月
HyENEXSSを用いたSuper Steep SS PN-Body Tied SOI FETの過渡解析

井田次郎

TCADアカデミック委員会研究会 2019年6月21日、慶応義塾大学著者：森、井田 2019年6月
依頼講演）金沢工大でのRF-EHプロジェクト紹介とEH用新構造Diode技術

井田次郎

Wipotコンソーシアム講演会、3月5日、2019, 金沢工業大学著者：井田次郎 2019年3月招待有り
スーパースティープトランジスタ整流器を用いたAMラジオ波からの発電

井田次郎

NanoTech 2019, 1月30日～2月1日 2019, 東京ビックサイト著者：石橋孝一郎、井田次郎 2019年1月
招待講演急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 (シリコン材料・デバイス)—Characteristics and Ultralow Voltage Rectification Experiment on MOS Diode connection using Super Steep SS PN-Body Tied SOI-FET

百瀬駿, 井田次郎, 山田拓弥, 森貴之, 伊東健治, 石橋孝一郎, 新井康夫

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(291) 59-64 2018年11月
スーパースティープトランジスタ整流器を用いたAMラジオ波からの発電

井田次郎

JST-CREST・さきがけ複合領域公開シンポジウム、2018,11,8 早稲田大学著者：石橋孝一郎、佐藤康夫、井田次郎、伊東健治 2018年11月
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験—Experiment of Ultralow Voltage Rectification by Super Steep SS "PN-Body Tied SOI-FET"—集積回路

百瀬駿, 井田次郎, 山田拓弥, 森貴之, 伊東健治, 石橋孝一郎, 新井康夫

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(173) 31-34 2018年8月
The 500 MHz Band High-Sensitivity Rectenna with the High-Impedance Folded Dipole Antenna with slits

IDA Jiro

TJMW (Thailand-Japan Microwave)2018,YE- , pp1-3, 26-27/6/2018 Authors:Hiroki KISHIMOTO, Kenji ITOH, Keisuke NOGUCHI, Jiro IDA 2018年6月
Rectification of Small Voltage Signal by Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET for RF Energy Harvesting

IDA Jiro

TJMW (Thailand-Japan Microwave)2018,YE-4 ,pp1-2, 26-27/6/2018 2018年6月
High Efficiency Rectenna Design with High Impedance Antenna and SOI-MOSFET Connected Diode for RF Energy Harvesting

IDA Jiro

TJMW (Thailand-Japan Microwave)2018,YE-10,pp1-2, 26-27/6/2018 Authors: Y. TSUCHIYA , J. IDA, T. MORI , T.YAMADA, S. MOMOSE, K. NOGUCHI and K. ITOH 2018年6月
誘導性高インピーダンス折り返しダイポールアンテナを用いる広帯域レクテナ—The wideband rectenna with the inductive folded dipole antenna—集積回路

岸本大輝, 伊東健治, 野口啓介, 井田次郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(463) 109-114 2018年3月
平面型3導体折返しモノポールアンテナ

西尾拓哉, 野口啓介, 伊東健治, 井田次郎

電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集(CD-ROM) 2018 2018年

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

SOI ３次元ピクセルプロセスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2013年6月 - 2018年3月

新井康夫, 倉知郁生, 三好敏喜, 井田次郎
(IS展開) アンテナ・回路・デバイス協調設計による極低入力での高効率環境RFエネルギー・ハーベスターの試作検証 STARC FS 2015年度研究成果概要, pp1-2, 3月2016年著者：井田次郎、野口啓介, 伊東健治

STARC STARC FS 2016年3月

井田次郎, 井田次郎
IS展開) アンテナ・回路・デバイス協調設計による極低入力での高効率環境RFエネルギー・ハーベスターの試作検証, STARC FS 2015年度成果報告会,７月16日、2015年著者：井田次郎、野口啓介, 伊東健治

STARC STARC FS 2015年7月

井田次郎, 井田次郎
(IS展開) アンテナ・回路・デバイス協調設計による極低入力での高効率環境RFエネルギー・ハーベスターの試作検証 STARC FS 2014年度研究成果概要, pp1-230,4月2015年著者：井田次郎、野口啓介, 伊東健治

STARC STARC FS 2015年4月

井田次郎, 井田次郎
(IS展開) アンテナ・回路・デバイス協調設計による極低入力での高効率環境RFエネルギー・ハーベスターの試作検証 STARC FS 2014年度研究成果概要, pp1-2 著者：井田次郎、野口啓介, 伊東健治

STRAC STARC FS 2015年3月

井田次郎, 井田次郎

井田次郎

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