2019年8月
急峻なSSを持つ"PN Body-Tied SOI-FET"におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 (シリコン材料・デバイス)—Effect of V[sub] and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS "PN Body-Tied SOI-FET"—集積回路
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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- 巻
- 119
- 号
- 162
- 開始ページ
- 89
- 終了ページ
- 93
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 電子情報通信学会
- リンク情報
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 40021997138
- CiNii Articles ID : 40021997406
- CiNii Books ID : AA1123312X
- CiNii Research ID : 1520290882036650368