論文

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2019年10月

Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS "PN Body-Tied SOI-FET" and Proposal of CMOS without Vsub Bias

PROCEEDINGS of IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (IEEE S3S), session 5.06, pp1-3, 2019 Authors:Wataru Yabuki, Jiro Ida, Takayuki Mori, Koichiro Ishibashi and Yasuo Arai
  • IDA Jiro

記述言語
英語
掲載種別
研究論文(国際会議プロシーディングス)
出版者・発行元
IEEE

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