アスバル ジョエル

J-GLOBALへ         更新日: 15/02/15 13:28
 
アバター
研究者氏名
アスバル ジョエル
 
アスバル ジョエル
eメール
joelrciqe.hokudai.ac.jp
URL
http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/en/
所属
福井大学
部署
量子集積エレクトロニクス研究センター
職名
博士研究員
学位
博士(工学)(長岡技術科学大学)
ORCID ID
0000-0002-1829-4129

研究分野

 
 

経歴

 
2014年11月
 - 
現在
福井大学 テニュアトラック推進本部 教師
 
2010年4月
 - 
2014年10月
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 博士研究員
 
2009年11月
 - 
2010年3月
長岡技術科学大学 電気系 博士研究員
 

学歴

 
2006年8月
 - 
2009年9月
長岡技術科学大学大学院 工学研究科 情報・制御工学専攻
 
2004年9月
 - 
2006年8月
長岡技術科学大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻
 
1996年11月
 - 
1998年11月
Mapua Institute of Technology EE-ECE-CoE Masters in Engineering Major in Electronics
 
1991年6月
 - 
1995年11月
Mapua Institute of Technology EE-ECE-CoE BS in Electronics and Communications Engineering
 

受賞

 
2013年12月
応用物理学会北海道支部 発表奨励賞 AlGaN/GaN HEMT のオフ状態ストレスによる電流変動評価
受賞者: 西口 賢弥, アスバル ジョエル, 橋詰 保
 
2008年8月
応用物理学会北陸信越支部 発表奨励賞 Growth and Properties of Mn-doped ZnSnAs2 epitaxial films
受賞者: アスバル ジョエル, 神保良夫、内富直隆
 
2008年1月
社団法人電気学会東京支部新潟支所 優秀論文発表賞 Interpretation of the Temperature Dependence of the Transport Properties of ZnSnAs2 epitaxial films grown by MBE
受賞者: アスバル ジョエル、神保良夫、内富直隆
 
2006年1月
社団法人電気学会東京支部新潟支所 特別賞 Effect of Zn Incorporation on the properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductor
受賞者: アスバル ジョエル, 神保良夫、内富直隆
 

論文

 
Zenji Yatabe, Toru Muramatsu, Joel T. Asubar, and Seiya Kasai
Physics Letters A   379(7) 738-742   2015年3月   [査読有り]
Interface trap states in Al2O3/AlGaN/GaN structure induced by inductively coupled plasma etching of AlGaN surfaces
Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Taketomo Sato and Tamotsu Hashizume
Physica Status Solidi A   doi: 10.1002/pssa.201431652    2014年11月   [査読有り]
Z. Yatabe, Y. Hori, W.C. Ma, J. T. Asubar, M. Akazawa, T. Sato, and T. Hashizume
Japanese Journal of Applied Physics   53(10) 1-100213   2014年10月   [査読有り]
J.T. Asubar, Z. Yatabe, and T. Hashizume
Applied Physics Letters   105(5)    2014年8月   [査読有り]
K. Nishiguchi, J.T. Asubar, and T. Hashizume
Japanese Journal of Applied Physics   53(7) 1-70301   2014年7月   [査読有り]
K. Ohi, J.T. Asubar, K. Nishiguchi, and T. Hashizume
IEEE Transactions on Electron Devices   60(10) 2997-3004   2013年10月   [査読有り][招待有り]
H. Oomae, J.T. Asubar, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Journal of Crystal Growth   338(1) 129-133   2012年1月   [査読有り]
N. Uchitomi, J.T. Asubar, H. Oomae, H. Endo, and Y. Jinbo
Japanese Journal of Applied Physics   50(5,Issue 3) 1-5   2011年5月   [査読有り]
J.T. Asubar, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
IOP Conference Series Materials Science and Engineering   21(1)    2011年3月   [査読有り]
H. Oomae, J.T. Asubar, M. Haneta, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
IOP Conference Series Materials Science and Engineering   21(1)    2011年3月   [査読有り]
H. Endo, J.T. Asubar, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
IOP Conference Series Materials Science and Engineering   21(1)    2011年3月   [査読有り]
K. Oomori, J.T. Asubar, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
IOP Conference Series Materials Science and Engineering   21(1)    2011年3月   [査読有り]
N. Uchitomi, J.T. Asubar, H. Oomae, H. Endo, and Y. Jinbo
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   9 95-102   2011年3月   [査読有り]
Kouichi Hayashi, Naotaka Uchitomi, Joel T. Asubar, Naohisa Happo, Wen Hu, Shinya Hosokawa, and Motohiro Suzuki
Japanese Journal of Applied Physics   50(1,Issue 3) 1-1   2011年1月   [査読有り]
Y. Agatsuma, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Physics Procedia   3(2) 1341-1344   2010年1月   [査読有り]
J.T. Asubar,Y. Agatsuma, H. Yamaguchi, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Physics Procedia   3(2) 1351-1356   2010年1月   [査読有り]
MBE growth and Low temperature Thermal Annealing of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAsSuperlattice Structures
H. Nakagawa, J.T. Asubar,Y. Jinbo, and N. Uchitomi
The Institute of Electronics, Information and Communications Engineers of Japan (IEICE) Technical Report Component Parts and Materials (CPM)   107(325) 109-113   2009年11月
Electrical Properties of ZnSnAs2 Thin Films Grown by MBE
J.T. Asubar, T. Yokoyama, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
電気情報通信学会技術研究報告 〔電子部品•材料〕   107(325) 103-107   2009年11月
J.T. Asubar, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
IEEE Indium Phosphide & Related Materials 2009   255-258   2009年5月   [査読有り]
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Phys. Status Solidi (c)   6(5) 1158-1161   2009年5月   [査読有り]
MBE Growth and Characterization of Mn-doped ZnSnAs2 Chalcopyrite Thin Films on Si (001) Substrates
Y. Agatsuma, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Japan Society of Applied Physics Ternary and Multinary Compounds Professional Group 2008 Conference Report   March 2009 149   2009年3月
Evidence of Impurity Band Conduction in ZnSnAs2 Epitaxial Films
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
応用物理学会多元系機能材料研究会 平成20年度 成果報告集   March 2009 121   2009年3月
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Journal of Crystal Growth   311(3) 929-932   2009年1月   [査読有り]
J.T. Asubar, H. Nakagawa, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Japanese Journal of Applied Physics   311(3) 933-936   2009年1月   [査読有り]
R. Tsuchida, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi J. Cryst. Growth 311, (2009), 937
Journal of Crystal Growth   311(3) 937-940   2009年1月   [査読有り]
H. Nakagawa, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Applied Surface Science   254(20) 6648-6652   2008年8月   [査読有り]
J.T. Asubar, A. Kato, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Japanese Journal of Applied Physics   47(1 Issue 2) 657-660   2008年1月   [査読有り]
JT Asubar, A Kato, T Kambayashi, S Nakamura, Y Jinbo, N Uchitomi
Journal of Crystal Growth   301 656-661   2007年4月   [査読有り]
J.T. Asubar, S. Sato, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Phys. Status Solidi (a)   203(11) 2778-2782   2006年9月   [査読有り]
Effect of Low temperature Thermal Annealing on the Properties of Zn-doped Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
H. Nakagawa, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
応用物理学会多元系機能材料研究会 平成18年度 成果報告集   March 2006 29   2006年3月
Structural Investigation of Mn-doped ZnSnAs2 Thin Films Grown by MBE on InP (001) Substrates
J.T. Asubar, A. Kato, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
応用物理学会多元系機能材料研究会 平成18年度 成果報告集   March 2006 33   2006年3月
Zn Incorporation and Its Effect on the Properties of GaMnAs Ferromagnetic Semiconductors Grown by Molecular Beam Epitaxy
J.T. Asubar, S. Sato, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
応用物理学会多元系機能材料研究会 平成17年度 成果報告集   Feb 2005 185   2005年2月

書籍等出版物

 
MBE-grown ZnSnAs2 Epitaxial Films: A Ferromagnetic Semiconductor Host Prospect (invited book chapter), “Chalcopyrite: Chemical Composition, Occurrence and Uses”
J.T. Asubar, H. Oomae, and N. Uchitomi (担当:分担執筆)
Nova Science Publishers, Inc., (Hauppauge) New York   2014年8月   

講演・口頭発表等

 
Reduced Thermal Resistance in AlGaN/GaN Multi-Mesa-Channel High Electron Mobility Transistors
J.T. Asubar, K. Nishiguchi and T. Hashizume
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014   2014年8月24日   
Spatial Discrimination of Surface Charging Region in AlGaN/GaN HEMTs Investigated Using Dual-Gate Architecture
K. Nishiguchi, J.T. Asubar and T. Hashizume
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014   2014年8月24日   
Current Stability Characterization of AlGaN/GaN HEMTs Using Dual-Gate Structure
J.T. Asubar, K. Nishiguchi and T. Hashizume
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics   2013年9月2日   
Improved Current Stability in Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN Transistors
J.T. Asubar, K. Ohi, k. Nishiguchi and T. Hashizume
10th International Conference on Nitride Semiconductors   2013年8月25日   
Current Stability in AlGaN/GaN HEMTs
J.T. Asubar, K. Ohi, and T. Hashizume
40th International Symposium on Compound Semiconductors   2013年5月19日   
GaN Transistors for Next-generation Power Conversion System [招待有り]
J.T. Asubar and T. Hashizume
1st International Symposium on Technology and Sustainability   2012年1月26日   
Characterization of Off-State-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using Dual-Gate Architecture
J.T. Asubar, Masafumi Tajima, and Tamotsu Hashizume
9th International Conference on Nitride Semiconductor   2011年7月10日   
The Role of Gate-Source Region on the Off-state bias Induced Current Collapse of AlGaN/GaN HEMTs
J.T. Asubar, Masafumi Tajima, and Tamotsu Hashizume
the 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors   2011年5月22日   
Room-temperature Ferromagnetism in (Zn,Mn,Sn)As2 Thin Films Applicable to InP-based Spintronic Devices
N. Uchitomi, J.T. Asubar, H. Oomae, H. Endo, and Y. Jinbo
the17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds   2010年9月27日   
MBE growth, Magnetic Properties and Surface Morphology of MnAs Thin Films on GaAs(111) Substrates
K. Oomori, J.T. Asubar, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
1st International Symposium on Global Multidisciplinary Engineering   2010年3月13日   
Evidences of Pseudomorphic Growth of ZnSnAs2 Epitaxial Layers on Nearly Lattice Matched InP substrates
H. Endo, J.T. Asubar, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
1st International Symposium on Global Multidisciplinary Engineering   2010年3月13日   
Magneto-optical Properties of MBE-grown MnAs0.4Sb0.6 Thin Films on GaAs(111) Substrates
T. Ishibashi, K. Oomori, M. Naganuma, S. Katoda, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
1st International Symposium on Global Multidisciplinary Engineering   2010年3月13日   
Annealing Effects on the Impurity Band Conduction of ZnSnAs2 Epitaxial Films
J.T. Asubar, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
1st International Symposium on Global Multidisciplinary Engineering   2010年3月13日   
Dependence of MBE-grown ZnSnAs2:Mn epitaxial films properties on Mn-doping level
H. Oomae, J.T. Asubar, M. Haneta, Y. Agatsuma, Y. Jinbo, T. Ishibashi, and N. Uchitomi
1st International Symposium on Global Multidisciplinary Engineering   2010年3月12日   
14. Effect of thermal annealing on the properties of narrow-bandgap ZnSnAs2 epitaxial films on InP(001) substrates
Y. Agatsuma, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems   2009年7月13日   
High Resolution X-ray Diffraction Studies of ZnSnAs2 Epitaxial Films Nearly Lattice-matched to InP substrates
J.T. Asubar, Y. Agatsuma, H. Yamaguchi, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems   2009年7月13日   
Fabrication and Structural Characterization of Nearly Lattice-matched p-ZnSnAs2/n-InP Heterojunctions
J.T. Asubar, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
IEEE Photonics Society, Indium Phosphide and Related Materials 2009 (IPRM2009)   2009年5月10日   
Room-temperature Ferromagnetism in Mn-doped ZnSnAs2 Thin Films grown on InP substrates
N. Uchitomi, J.T. Asubar, and Y. Jinbo
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC2008 )   2008年10月20日   
Impurity Band Conduction and Negative Magnetoresistance in p-ZnSnAs2
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
16th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-16)   2008年9月15日   
MBE Growth and Properties of GeMn thin films on (001) GaAs
R. Tsuchida, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)   2008年5月21日   
Low-temperature Annealing Effects on (Ga,Mn)As/Zn-GaAsSuperlattice Structure Grown on GaAs(001) substrates H. Nakagawa, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
H. Nakagawa, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
4thAsian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)   2008年5月21日   
MBE Growth of Mn-doped ZnSnAs2 thin-films
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)   2008年5月21日   
Epitaxial Growth of ZnSnAs2 Thin Films on N-type InP(001) Substrates
T. Yokoyama, J.T. Asubar, M. Yamazaki, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-Nano 2007)   2007年6月19日   
MBE Growth and Low-temperature Thermal Annealing of (Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAsSuperlattices
H. Nakagawa, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-Nano 2007)   2007年6月19日   
Electrotransport Properties of P-type ZnSnAs2 Thin Films Grown by MBE on Semi-Insulating InP Substrates
J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-Nano 2007)   2007年6月19日   
MBE Growth and Properties of GaMnAs with High Level of Zn Acceptor Incorporation
J.T. Asubar, S. Sato, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-15)   2006年3月6日   
MBE Growth of Mn-doped Zn-Sn-As compounds on (001) InP Substrates
J.T. Asubar, A. Kato, T. Kambayashi, S. Nakamura, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV)   2006年3月6日   
Magnetoresistance of (Ga,Mn)As films grown on Si(001) substrates
S. Sato, J.T. Asubar, Y. Jinbo, and N. Uchitomi
International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures and Carrier Interactions (NNCI-2005)   2005年1月31日   

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