石原聖也 (Seiya Ishihara) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人科学技術振興機構戦略研究推進部グリーンイノベーショングループ主査

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201901019167724718
researchmap会員ID: B000358267

研究キーワード

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

2019年4月 - 現在

科学技術振興機構, 職員
日本学術振興会, 特別研究員（DC1）

学歴

論文

Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS<inf>2</inf> Thin Channel Passivated by Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Film and TiN Top Gate

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 104-106 2018年7月26日
Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization

Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Journal of Electronic Materials 47(7) 3497-3501 2018年7月1日
Investigation on Mo1-xWxS2 fabricated by co-sputtering and post-deposition sulfurization with (t-C4H9)2S2

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Sputter-deposited-MoS <inf>2</inf> n MISFETs with top-gate and Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> passivation under low thermal budget for large area integration

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society 6(1) 1251-1257 2018年1月1日
MOCVD of Monolayer MoS2 using Novel Molybdenum Precursor i-Pr2DADMo(CO)3

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Machida, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 3(6-7) 379-384 2018年
Investigation of Novel Te precursor (i-C3H7)2Te for MoTe2 Fabrication

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 3(6-7) 321-326 2018年
Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressor template grown on Ge substrate by selective ion implantation

Kazuma Takeuchi, Ryo Yokogawa, Seiya Ishihara, Shotaro Yamamoto, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(11) 2017年11月
Band gap-tuned MoS2(1-x)Te2x thin films synthesized by a hybrid Co-sputtering and post-deposition tellurization annealing process

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 32(16) 3021-3028 2017年8月
Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy

Shotaro Yamamoto, Daisuke Kosemura, Kazuma Takeuchi, Seiya Ishihara, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 2017年5月
Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness

Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Applied Physics Express 10(4) 2017年4月1日
Investigation on MoS2(1-x)Te2x Mixture Alloy Fabricated by Co-sputtering Deposition

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 2(29) 1557-1562 2017年
Effects of Reaction Conditions on MoS2 Thin Film Formation Synthesized by Chemical Vapor Deposition using Organic Precursor

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 2(29) 1533-1538 2017年
Properties of single-layer MoS2 film fabricated by combination of sputtering deposition and post deposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(6) 2016年6月
Improving crystalline quality of sputtering-deposited MoS2 thin film by postdeposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 2016年4月
Large Scale Uniformity of Sputtering Deposited Single- and Few-Layer MoS2 Investigated by XPS Multipoint Measurements and Histogram Analysis of Optical Contrast

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5(11) Q3012-Q3015 2016年
Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs

Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 2015年4月
Evaluation of sputtering deposited 2-diniensional M0S2 film by Raman spectroscopy

S. Ishihara, K. Suda, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, S. Yamaguchi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh …

Materials Research Society Symposium Proceedings 1781 11-16 2015年
Growth of Ge Homoepitaxial Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using t-C4H9GeH3

Kohei Suda, Takahiro Kijima, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 4(5) P152-P154 2015年
Ge homoepitaxial growth by metal-organic chemical vapor deposition using t-C4H9GeH3

Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 2014年11月
Ge1-xSnx Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD

K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, Y. Ohshita, A. Ogura

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64(6) 697-701 2014年

MISC

スパッタ法による2次元層状物質成長

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 坂本拓朗, 濱田昌也, 若林整 …

日本表面真空学会学術講演会講演要旨集 2018 13 2018年11月19日
共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18a‐224B‐8 2018年9月5日
DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価

小柳有矢, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18a‐224B‐9 2018年9月5日
大面積集積化に向けたスパッタMoS₂薄膜を用いたTop‐Gate nMISFETs

松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐233‐6 2018年9月5日
液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量

横川凌, 横川凌, 小原田賢聖, 吉岡和俊, 石原聖也, 石原聖也, 臼田宏治, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18p‐235‐13 2018年9月5日
共スパッタ法と(t‐C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の成膜

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐C202‐4 2018年3月5日
Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜

大橋匠, 坂本拓朗, 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 宗田伊理也, 角嶋邦之 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐C202‐5 2018年3月5日
スパッタ堆積MoS₂膜の下地材料依存性

大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐C11‐5 2017年8月25日
DCバイアス印加による高温スパッタMoS₂膜の硫黄欠損抑制

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C16‐6 2017年8月25日
新規Te原料(i‐C₃H₇)₂Teを用いたTe化によるMoTe₂作製

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C16‐1 2017年8月25日
スパッタ堆積MoS₂薄膜の表面粗さスケーリング解析による配向性評価

石原聖也, 石原聖也, 大野文太, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐F203‐2 2017年3月1日
同時スパッタ法と(t‐C₄H₉)₂S₂による硫化で作製したMo_1-xW_xS₂の評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐7 2017年3月1日
液浸ラマン分光法を用いたGe_1-xSn_xメサ構造における異方性2軸応力のパターンサイズ依存性評価

村上達海, 武内一真, 横川凌, 須田耕平, 石原聖也, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.14a‐318‐7 2017年3月1日
同時スパッタ法とin‐situ熱処理で作製したMoS_2(1-x)Te_2xの評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐8 2017年3月1日
新規モリブデン原料i‐Pr₂DADMo(CO)₃を用いたMoS₂のMOCVD

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 町田英明, 大下祥雄, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐6 2017年3月1日
(t‐C₄H₉)₂S₂を用いたMoS₂薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14p‐A33‐11 2016年9月1日
スパッタMoS₂膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニール効果

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14p‐A33‐10 2016年9月1日
液浸ラマン分光法を用いたGe_1-xSn_xメサ構造における異方性2軸応力評価

村上達海, 武内一真, 横川凌, 須田耕平, 石原聖也, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.16a‐D61‐10 2016年9月1日
TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS₂膜の形成

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

電子情報通信学会技術研究報告 116(118(SDM2016 32-47)) 75‐78 2016年6月22日
液浸ラマン分光法によるSi基板上歪Si:C薄膜に印加された応力評価

山本章太郎, 武内一真, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20A-H112-9 2016年3月3日

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書籍等出版物

カルコゲナイド系層状物質の最新研究

シーエムシー出版 2016年 (ISBN: 9784781311661)

石原聖也

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