論文

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2014年

Fabrication and characterization of ferroelectric-gate thin-film transistors with an amorphous oxide semiconductor, amorphous In-Ga-Zn-O

Japanese Journal of Applied Physics

Ken-ichi Haga
Eisuke Tokumitsu

巻: 53
号: 11
開始ページ: 111103
終了ページ
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.7567/JJAP.53.111103

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.53.111103
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000346462200018&DestApp=WOS_CPL
URL: https://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.53.111103

ID情報

DOI : 10.7567/JJAP.53.111103
ISSN : 0021-4922
eISSN : 1347-4065
Web of Science ID : WOS:000346462200018

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