2016年
シリコントンネルトランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送とマイクロ波応答
日本物理学会講演概要集
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- 巻
- 71
- 号
- 0
- 開始ページ
- 1155
- 終了ページ
- 1155
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1155
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
<p>トンネル電界効果トランジスタ(TFET) は従来型のMOSFETのスイッチングの理論限界を打ち破る急峻なスイッチングが可能であり, 次世代の超低消費電力VLSIの基本素子として注目されているが, 同時にトンネル輸送現象を活用した量子効果デバイスへの応用が考えられる。今回我々は, Al-Nイオン注入を行った短チャネルTFET素子において単一および直列二重結合量子ドット的な単一電子輸送を観測した。また直列二重結合量子ドット的輸送を観測した素子では, マイクロ波応答からフォトンアシストトンネル電流, および電流検出による電子スピン共鳴を観測したので報告する。</p>
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1155
- CiNii Articles ID : 130006243833
- identifiers.cinii_nr_id : 9000376928312