2011年12月21日
平滑化による形状記憶フィルム上への低電圧駆動有機トランジスタの作製 (有機エレクトロニクス)
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
- 巻
- 111
- 号
- 369
- 開始ページ
- 23
- 終了ページ
- 28
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
我々は,熱で形状を記憶するフィルム上に低電圧駆動有機トランジスタを作製した.用いた形状記憶フィルムは150℃以上に加熱することで加熱時の形状を記憶し,伸縮性回路等に応用することができる.形状記憶フィルムはRMS値190nmと表面が粗いことが課題であったが,ポリイミドを用いて平滑化を行うことにより,移動度0.51cm^2/Vsのp型有機トランジスタ,ゲイン92の有機CMOSインバータを得ることができた.更にパリレン平滑化層を加え,ゲート電極の陽極酸化を用いることで移動度1.8cm^2/Vsのp型トランジスタを得ることができた.
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110009466888
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013334
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110009466888
- CiNii Books ID : AN10013334
- identifiers.cinii_nr_id : 9000017282075