我々は自己組織化単分子膜(SAM膜)をゲート絶縁体に用いたトランジスタの熱安定性を調べた。通常のトランジスタではおよそ100℃程度の加熱で移動度が室温時の0.55cm^2/Vsから0.25cm^2/Vsに減少しon/off比の低下などの劣化が見られた、一方でトランジスタ構造の上から高分子膜による封止を行った場合、140℃の加熱でもトランジスタは0.81cm^2/Vsという高い移動度を保持し、劣化は13%の減少に止まった。有機半導体に用いたペンタセン薄膜のX線回折ピークを同じ加熱条件で比較したところ封止なしでは100℃付近で伝導に寄与しないバルク相が現れたが、封止したものでは160℃においても現れないことを確認した。