論文

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2018年

A first-principle model of 300?mm Czochralski single-crystal Si production process for predicting crystal radius and crystal growth rate

Journal of Crystal Growth

Zheng Z
Seto T
Kim S
Kano M
Fujiwara T
Mizuta M
Hasebe S

巻: 492
号
開始ページ: 105
終了ページ: 113
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.03.013

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DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.03.013
Scopus Url: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85045750177&partnerID=MN8TOARS
Scopus Citedby: https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85045750177&origin=inward
URL: http://orcid.org/0000-0002-2325-1043

ID情報

DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2018.03.013
ISSN : 0022-0248
ORCIDのPut Code : 45692816
SCOPUS ID : 85045750177

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