片山竜二 (Ryuji Katayama) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科教授

学位: 博士（科学）(東京大学)
修士（工学）(東京大学)

研究者番号: 40343115
J-GLOBAL ID: 201001073756449067
researchmap会員ID: 6000024796

外部リンク: http://www.qoe.eei.eng.osaka-u.ac.jp/index.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2016年4月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
2009年4月 - 2016年3月

東北大学, 金属材料研究所, 准教授
2007年4月 - 2009年3月

東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教
2001年10月 - 2007年3月

東京大学, 大学院新領域創成科学研究, 助手

委員歴

2014年 - 2016年

第16回結晶成長国際スクール, 実行委員
2014年 - 2016年

The 16th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-16), Executive Committee
2014年 - 2015年

第7回窒化物半導体結晶成長講演会, プログラム編集委員長
2014年 - 2015年

窒化物半導体結晶成長に関する国際シンポジウム（ISGN-6）, 実行委員
2014年 - 2015年

The 7th Symposium on Growth of Nitride Semiconductors, Program Committee Chair
2014年 - 2015年

The 6th International Symposium on Growth of Nitride Semiconductors, Executive Committee
2015年

- 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会委員
2015年

- 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 Committee Member
2012年 - 2013年

第40回化合物半導体国際シンポジウム, 論文委員
2012年 - 2013年

The 40th International Symposium on Conpound Semiconductors, Program Committee
2013年

レーザー学会, プログラム編集委員
2013年

The Laser Society of Japan, Program Committee
2008年 - 2012年

独立行政法人科学技術振興機構さきがけ研究員
2008年 - 2012年

JSTさきがけ研究員
2012年

応用物理学会東北支部, 企画委員長
2012年

窒化物半導体に関する国際ワークショップ（IWN2012）, 論文委員
2012年

The Japan Society of Applied Physics (JSAP), Tohoku Chapter, project supervisor
2012年

International Workshop on Nitride Semiconsuctors 2012, Program Committee
2010年

応用物理学会結晶工学大分類窒化物結晶中分類, セッションオーガナイザ
2010年

The Japan Society of Applied Physics (JSAP), Session Organizer

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受賞

主要な論文

132

199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB₄O₇ vertical microcavity pumped with picosecond laser

Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

Applied Physics Express 2024年8月査読有り最終著者責任著者
Design of Horizontally Stacked AlN and Dielectric Cores Transverse Quasi‐Phase‐Matched Channel Waveguide for Squeezed Light Generation

Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

physica status solidi (a) 2024 2400380-1-2400380-5 2024年7月22日査読有り最終著者責任著者
Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structure

Taisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

Applied Physics Express 2024年7月査読有り最終著者責任著者
Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO<inf>3</inf> fabricated by surface-activated bonding for high-power wavelength conversion

Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Japanese Journal of Applied Physics 63(6) 2024年6月3日
Demonstration of a violet-distributed feedback laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics

Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Applied Physics Express 17(5) 052004-1-052004-5 2024年5月20日査読有り最終著者責任著者
Fabrication of polarity inverted LiNbO₃/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion

Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 102001-1-102001-6 2023年10月3日査読有り最終著者責任著者
Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser

Tomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Applied Physics Express 16(7) 072005-1-072005-6 2023年7月12日査読有り最終著者責任著者
229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide

Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi …

Applied Physics Express 16(6) 062006-1-062006-4 2023年6月19日査読有り最終著者責任著者
Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy

Tomotaka Murata, Kazuhisa Ikeda, Jun Yamasaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

physica status solidi (b) 2023 2200583-1-2200583-8 2023年3月22日査読有り最終著者責任著者
Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser

Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara …

Applied Physics Express 15(10) 112002-1-112002-6 2022年10月17日査読有り最終著者責任著者
DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device

Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi …

Optics Express 30(11) 18628-1-18628-10 2022年5月12日査読有り最終著者責任著者
GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion

Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Japanese Journal of Applied Physics 61(5) 050902-1-050902-6 2022年2月22日査読有り最終著者責任著者
Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure

Tomoaki Nambu, Takumi Nagata, Soshi Umeda, Keishi Shiomi, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Abdul Mannan, Filchito Renee G. Bagsican, Kazunori Serita, Iwao Kawayama …

Applied Physics Express 14(6) 061004-061004 2021年6月1日査読有り最終著者責任著者
Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping

Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama

Applied Physics Express 14(5) 055504-055504 2021年5月1日査読有り最終著者
Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding

Yusuke Hayashi, Ryuji Katayama, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hideto Miyake

Applied Physics Express 11(3) 031003-1-031003-4 2018年3月査読有り
Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations

Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 10(8) 082101-1-082101-4 2017年8月査読有り
Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 05FE01-1-05FE01-4 2016年5月査読有り
Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride

Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Hiroyuki Yaguchi, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

Applied Physics Letters 91(6) 2007年8月9日査読有り筆頭著者責任著者
Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructure

Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Takashi Kondo, Kentaro Onabe

Journal of Crystal Growth 301-302 447-451 2007年4月査読有り筆頭著者責任著者
Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrate

Ryuji Katayama, Yoshihiro Kuge, Kentaro Onabe, Tomonori Matsushita, Takashi Kondo

Applied Physics Letters 89(23) 231910-1-231910-3 2006年12月5日査読有り筆頭著者責任著者
Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching

Ryuji Katayama, Kentaro Onabe

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 32(1-2) 245-248 2006年2月7日査読有り筆頭著者責任著者
Built-in electric field at cubic GaN/GaAs(001) heterointerfaces investigated by phase-selected photoreflectance excitation

Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

physica status solidi (b) 241(12) 2749-2753 2004年9月14日査読有り筆頭著者責任著者
Electrically biased photoreflectance study of cubic GaN/GaAs(001) heterointerface

Ryuji Katayama, Masayuki Kuroda, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki

physica status solidi (c) (7) 2597-2601 2003年10月20日査読有り筆頭著者
Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique

R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, Y. Shiraki

physica status solidi (b) 234(3) 877-81 2002年12月3日査読有り筆頭著者責任著者
Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures

R Katayama, M Kobayakawa, A Nagayama, J Wu, K Onabe, Y Shiraki

Compound Semiconductors 170 725-730 2002年1月査読有り筆頭著者責任著者
Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation

E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.C. Kim, T. Watanabe, S. Miyata

Nonlinear Optics 22 433-436 1999年1月査読有り

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MISC

216

近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製

林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 片山竜二, 酒井朗, 三宅秀人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 (電子デバイス)

青木俊周, 谷川智之, 片山竜二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(156) 1-4 2015年7月24日
Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 14(8) 6112-6115 2014年8月
Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 14(8) 6112-6115 2014年8月
Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000(1) over bar) GaN/sapphire

Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(5) 05FL05-1-05FL05-4 2014年5月
Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN

Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(5) 05FL07-1-05FL07-5 2014年5月
Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN

Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(5) 05FL07-1-05FL07-5 2014年5月
Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar GaN/sapphire

Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

Japanese Journal of Applied Physics 53(5S1) 05FL05-1-05FL05-4 2014年4月7日査読有り
RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長

五十嵐健, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 片山竜二, 矢口裕之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.20A-PG1-15 2014年3月3日
窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定

高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.19A-P8-11 2013年8月31日
Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy

Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

Thin Solid Films 536 152-155 2013年6月1日
Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy

Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

Thin Solid Films 536 152-155 2013年6月1日
AlGaN/GaN MIS‐gate HEMTs with SiCN gate stacks

K Kobayashi, M Kano, T Yoshida, R Katayama, T Matsuoka, T Otsuji, T Suemitsu

physica status solidi (c ) 10(5) 790-793 2013年5月
AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks

K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 10(5) 790-793 2013年5月
Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE

Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3 10(3) 417-420 2013年
RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer

M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe

Journal of Crystal Growth 378 307-309 2013年
Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates

Ri Guo Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi

Journal of Crystal Growth 378 85-87 2013年
Key factors for metal organic chemical vapor deposition of InGaN films with high InN molar fraction

Yu Huai Liu, Fang Wang, Wei Zhang, Shou Yi Yang, Yuan Tao Zhang, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

Applied Mechanics and Materials 341-342 204-207 2013年
Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs

Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama …

AIP Conference Proceedings 1566(1) 538-539 2013年
Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE

Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3 10(3) 417-420 2013年

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講演・口頭発表等

窒化物半導体極性反転ヘテロ構造の非線形光学素子応用

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会第90 回研究会 2014年
nvestigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy

The 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33) 2014年
Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) 2014年
窒化物半導体極性反転ヘテロ構造の非線形光学素子応用

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162 委員会第90 回研究会 2014年
nvestigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy

The 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33) 2014年
Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) 2014年
窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

第5回窒化物半導体結晶成長講演会 2013年
Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年
窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用

第5回窒化物半導体結晶成長講演会 2013年
Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide

2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年
Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides

SPIE Photonics West 2012年
極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム 2012年
Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide

The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31) 2012年
Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides

4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4) 2012年
Enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN2012) 2012年
Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides

17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy 2012年
Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides

Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) 2012年
Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides

SPIE Photonics West 2012年
極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム 2012年
Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide

The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31) 2012年

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所属学協会

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Works(作品等)

窒化物半導体微小共振器を用いた量子相関光子対光源の開発

2014年 - 2016年
窒化物半導体微小共振器を用いた量子相関光子対光源の開発

2014年 - 2016年
極性窒化物半導体ナノ構造による量子もつれ光子対発生と量子暗号通信応用

2011年 - 2012年
極性窒化物半導体ナノ構造による量子もつれ光子対発生と量子暗号通信応用

2011年 - 2012年
極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

2008年 - 2012年
極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

2008年 - 2012年
窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と微視的評価技術の開発

2006年 - 2007年
窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と微視的評価技術の開発

2006年 - 2007年
立方晶窒化物半導体ヘテロ構造における寄生伝導の移動度スペクトル解析

2003年 - 2004年
立方晶窒化物半導体ヘテロ構造における寄生伝導の移動度スペクトル解析

2003年 - 2004年

共同研究・競争的資金等の研究課題

光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2027年3月

上向井正裕, 片山竜二, 谷川智之
スクイーズド光発生用半導体レーザ励起窒化物半導体導波路型非線形光学デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2019年4月 - 2023年3月

上向井正裕, 片山竜二
強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2017年4月 - 2022年3月

片山竜二, 宮嶋孝夫, 岩谷素顕, 上向井正裕
結晶面方位変調テンプレートを用いた高スループットμLED製造プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2021年3月

片山竜二, 上向井正裕
窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2019年4月 - 2021年3月

片山竜二
モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2019年3月

片山竜二, 川原村敏幸, 谷川智之, 上向井正裕
窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2017年4月 - 2019年3月

片山竜二
光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2017年3月

片山竜二, 横山弘之, 窪谷茂幸, 谷川智之
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

矢口裕之, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 窪谷茂幸, 土方泰斗, 八木修平, 秋山英文
極性ワイドギャップ半導体の量子情報処理応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2011年4月 - 2014年3月

片山竜二
高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2010年 - 2012年

尾鍋研太郎, 矢口裕之, 片山竜二, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン
光ファイバ通信用光機能素子を目指した窒化インジウム系半導体のMOVPE成長

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2010年 - 2011年

片山竜二, ZHANG Yuantao
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2009年 - 2011年

矢口裕之, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 八木修平, 窪谷茂幸, 秋山英文
有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2009年 - 2010年

尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2007年 - 2009年

尾鍋研太郎, 片山竜二, 山本剛久, 矢口裕之
有機N原料によるInNのMOVPE成長

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2007年 - 2008年

尾鍋研太郎, 片山竜二
窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と非線形光学素子応用

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2004年 - 2005年

片山竜二
立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2000年 - 2003年

尾鍋研太郎, 黄晋二, 白木靖寛, 片山竜二, 呉軍
人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 1999年 - 2003年

白木靖寛, 宇佐美徳隆, 黄晋二, 尾鍋研太郎, 中川清和, 末光眞希, 片山竜二, 長田俊人, 櫻庭政夫
III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 1999年 - 2002年

尾鍋研太郎, 黄晋二, 白木靖寛, 片山竜二, 呉軍, 宇佐美徳隆

産業財産権

特許7302791 複合ターゲット、複合ターゲットの製造方法及び窒化物半導体膜の形成方法

高橋伸明, 三浦仁嗣, 片山竜二, 谷川智之
特許7269190 窒化物結晶、光学装置、半導体装置、窒化物結晶の製造方法

彦坂年輝, 布上真也, 谷川智之, 片山竜二, 上向井正裕
特許7100309 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス

林侑介, 三宅秀人, 片山竜二
特許7029715 窒化物半導体膜の形成方法

発明者, 高橋伸明, 三浦仁嗣, 根石浩司, 片山竜二, 森勇介, 今西正幸
特許6164685 太陽電池

松岡隆志, 片山竜二, 谷川智之

片山竜二

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

委員歴

受賞

主要な論文

MISC

講演・口頭発表等

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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