2018年7月20日
Theoretical study of the atomistic behavior of O vacancy complexes with N and H atoms in the SiO2 layer of a metal–oxide–nitride–oxide–semiconductor memory: Physical origin of the irreversible threshold voltage shift observed in metal–oxide–nitride–oxide–semiconductor memories
Japanese Journal of Applied Physics
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- 巻
- 57
- 号
- 8
- 開始ページ
- 81101
- 終了ページ
- 81101
- DOI
- 10.7567/jjap.57.081101
- 出版者・発行元
- Japan Society of Applied Physics
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.7567/jjap.57.081101
- ISSN : 0021-4922
- CiNii Articles ID : 210000149406
- Web of Science ID : WOS:000439346600001