紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した. Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた. TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作製に成功した.このナノコラムにInGaN多重量子井戸を発光層として搭載し,可視域の広い範囲に渡る単峰性のPLスペクトルを得るとともに,パターニングによりPLピーク波長が制御できることを示した.