川那子高暢 (Takamasa Kawanago) - マイポータル

基本情報

所属: 東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所助教

学位: 博士(工学)(2011年3月東京工業大学)

研究者番号: 30726633
J-GLOBAL ID: 202001012523561566
researchmap会員ID: R000000596

経歴

2016年4月 - 現在

東京工業大学科学技術創成研究院, 未来産業技術研究所, 助教
2015年1月 - 2016年3月

東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教
2013年4月 - 2014年12月

日本学術振興会特別研究員PD
2011年4月 - 2013年3月

東京工業大学フロンティア研究機構, 博士研究員
2008年4月 - 2011年3月

日本学術振興会特別研究員DC1

学歴

2008年4月 - 2011年3月

東京工業大学大学院, 総合理工学研究科, 物理電子システム創造専攻博士後期課程
2006年4月 - 2008年3月

東京工業大学大学院, 総合理工学研究科, 物理電子システム創造専攻博士前期課程
2002年4月 - 2006年3月

職業能力開発総合大学校, 電子工学科

委員歴

受賞

2022年7月

2022年度末松賞「ディジタル技術の基礎と展開」支援
2021年6月

第20回東京工業大学挑戦的研究賞
2016年3月

第63回応用物理学会春季学術講演会ポスター賞
2014年3月

Best Poster Award at the Workshop on Future Trend of Nanoelectronics, WIMNACT-39
2013年6月

第26回安藤博記念学術奨励賞
2012年9月

第32回応用物理学会講演奨励賞
2012年9月

Best Paper Award at the 41th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC Conference 2011
2012年4月

第11回船井情報科学振興財団船井奨励賞
2012年3月

手島精一記念研究賞(博士論文賞)
2011年10月

Best Poster Award at G-COE PICE International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
2007年9月

半導体理工学研究センター(STARC)シンポジウム2007学生優秀ポスター賞 (2007年)
2007年6月

東京工業大学大学院物理電子システム創造専攻修士中間発表優秀賞

論文

Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact

Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society 11 15-21 2023年11月査読有り筆頭著者
Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SC) 2022年5月
Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors

Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Shunri Oda

Japanese Journal of Applied Physics 59(12) 120903-120903 2020年12月1日査読有り筆頭著者
Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration

Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(8) 2020年8月
ゲート絶縁膜転写とPVAドーピングによるトップゲートMoS₂FETの作製

川那子高暢, 松崎貴広, 小田俊理

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 12(2) 2019年2月査読有り
Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration

Matsuura, K., Hamada, M., Hamada, T., Tanigawa, H., Sakamoto, T., Cao, W., Parto, K., Hori, A., Muneta, I., Kawanago, T. …

2019 NINETEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 2019年査読有り
自己組織化有機単分子膜を用いた界面制御とゲート絶縁膜技術

川那子高暢

応用物理, 第87巻, 第7号, pp.511–515, 2018年 87(7) 2018年7月査読有り
Low-Dimensional-Structure Devices for Future Electronics

Shunri Oda, Takamasa Kawanago, Hitoshi Wakabayashi

CAS 2018 PROCEEDINGS: 2018 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE 3-6 2018年
Polarity Control in WSe2 Field-Effect Transistors using Dual Gate Architecture

Hiroyuki Takagi, Ryo Ikoma, Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago

2018 IEEE 2ND ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2018) 53-55 2018年
Fabrication of hybrid self-assembled monolayer/hafnium oxide gate dielectric by radical oxidation for molybdenum disulfide field-effect transistors

Kawanago, Takamasa, Ikoma, Ryo, Oba, Tomoaki, Takagi, Hiroyuki

APPLIED PHYSICS LETTERS 111(20) 2017年11月査読有り
Use of self-assembled monolayers for selective metal removal and ultrathin gate dielectrics in MoS2 field-effect transistors

Du, Wanjing, Kawanago, Takamasa, Oda, Shunri

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Control of threshold voltage by gate metal electrode in molybdenum disulfide field-effect transistors

Kawanago, Takamasa, Oda, Shunri

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(13) 2017年3月査読有り
Heavily-doped SOI Substrate and Transfer Printing for Charge Injection into TMDC Layer

Ikoma, Ryo, Kawanago, Takamasa

2017 17TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 49-50 2017年査読有り
Transfer printing of nanostructured membrane with elastomeric stamp and its application to TMDC-based field-effect transistors

Kawanago, Takamasa, Du, Wanjing, Ikoma, Ryo, Oba, Tomoaki, Takagi, Hiroyuki, Oda, Shunri

2017 17TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 40-43 2017年査読有り
Radical Oxidation Process for Hybrid SAM/HfOx Gate Dielectrics in MoS2 FETs

Kawanago, Takamasa, Ikoma, Ryo, Oba, Tomoaki, Takagi, Hiroyuki

2017 47TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC) 114-117 2017年査読有り
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT

J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima

MICROELECTRONICS RELIABILITY 60 16-19 2016年5月査読有り
Utilizing self-assembled-monolayer-based gate dielectrics to fabricate molybdenum disulfide field-effect transistors

Takamasa Kawanago, Shunri Oda

APPLIED PHYSICS LETTERS 108(4) 2016年1月査読有り
Adhesion Lithography to fabricate MoS2 FETs with Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics

Takamasa Kawanago, Ryo Ikoma, Du Wanjing, Shunri Oda

2016 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC) 291-294 2016年査読有り
Enhanced oxidation of sic substrates using La2O3 capped annealing and a proposal for uniform LaSiON gate dielectric formation

Y. M. Lei, S. Munekiyo, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Kataoka, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, M. Furuhashi …

2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2014 110-113 2014年11月20日査読有り
Passivation of SiO2/SiC interface with La2O3 capped oxidation

S. Munekiyo, Y. M. Lei, K. Natori, H. Iwai, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi …

2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2014 114-116 2014年11月20日査読有り

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MISC

電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe₂CMOSインバータの実証

川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS₂-nMISFETs

松浦賢太朗, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, 堀敦, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
Al₂O₃ゲート絶縁膜転写法を用いたトップゲートMoS₂ FETの作製

川那子高暢, 大場智明, 小田俊理

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
PVAによるMoS₂FETへのキャリアドーピングと電気特性への影響

松崎貴広, 大場智明, 川那子高暢, 小田俊理

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe₂FETの作製

川那子高暢, 高木寛之, 居駒遼, 大場智明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
積層SAM/HfO_xゲート絶縁膜を用いたMoS₂FETの作製

川那子高暢, 居駒遼, 大場智明, 高木寛之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
ゲート付き4端子法によるMoS₂ FETの電気特性評価

大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
SAMゲート絶縁膜を用いたMoS₂FETのチャネル移動度への影響

川那子高暢, 大場智明, 小田俊理

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
自己組織化単分子膜を用いたadhesion lithographyによるMoS₂FETの作製

川那子高暢, 居駒遼, DU Wanjing, 小田俊理

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製

川那子高暢, 居駒遼, 高木寛之, 小田俊理

電子情報通信学会技術研究報告 117(101(SDM2017 21-30)) 2017年
積層SAM/HfO_xゲート絶縁膜を用いたMoS₂FETの作製

大場智昭, 居駒遼, 川那子高暢

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
高濃度SOI基板をゲート電極に用いたWSe₂ pFETの作製

高木寛之, 居駒遼, 大場智昭, 川那子高暢

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
剥離転写法による高濃度ドープSOI基板を用いたTMDC-FETの作製

居駒遼, 川那子高暢

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
多層Alゲート構造を用いたSi-MOS量子ドットデバイス作製プロセスの検討

本田拓夢, 米田淳, 武田健太, 川那子高暢, 小寺哲夫, 小寺哲夫, 樽茶清悟, 樽茶清悟, 樽茶清悟, 小田俊理

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS₂FETの作製

川那子高暢, 小田俊理

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS₂FETの作製

川那子高暢, 小田俊理

電子情報通信学会技術研究報告 116(118(SDM2016 32-47)) 2016年
ジデシルホスホン酸(C₁₂H₂₅-PA)をゲート絶縁膜に用いたMoS₂FETの作製

居駒遼, 川那子高暢, 小田俊理

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
AlGaN/GaN HEMT構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

馬場俊之, 永久雄一, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12P-A21-7 2015年2月26日
金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMTのリーク電流への影響

大賀一樹, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12A-A21-2 2015年2月26日
AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

馬場俊之, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-A27-4 2014年9月1日

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書籍等出版物

グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用

(担当:分担執筆, 範囲:遷移金属カルコゲナイド中心とした応用研究)

2020年3月
Integrated Nanodevices and Nanosystems Fabrication: Materials, Techniques, and New Opportunities

2017年

講演・口頭発表等

Fabrication and Characterization of Self-Aligned WSe2 p-Type Field-Effect Transistor

T. Kawanago, R. Kajikawa, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi

ECS 2023 2023年5月31日
Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs

T. Kawanago

242nd ECS Meeting 2022年10月12日招待有り
WSe2 n/p FETs を用いた低電圧動作CMOS インバータ

川那子高暢, 松﨑貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

シリコン材料・デバイス研究会 2022年6月21日招待有り
Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

T. Kawanago, T. Matsuzaki, R. Kajikawa, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi

SSDM 2021 2021年9月8日
Fabrication of top-gate MoS2 FET with transferred Al2O3 gate dielectric

T. Kawanago, T. Oba, S. Oda

ECS 2019 2019年5月27日
二次元結晶のデバイス応用に向けて

川那子高暢

第3回新奇二次元デバイス・物質科学ワークショップ (2DMaP) 2019年5月15日招待有り
MoS2 FET fabricated by adhesion lithography

T. Kawanago

International Symposium 3RD Japan-EU Flagship Workshop on Graphene and Related 2D Materials 2018 2018年11月19日招待有り
Two-dimensional inorganic/organic hetero interface for field-effect transistor applications

T. Kawanago

Recent Progress Graphene Research (RPGR) 2018 2018年10月23日招待有り
2次元結晶材料の界面制御と電界効果トランジスタ応用

川那子高暢

第1回新奇二次元デバイス・物質科学ワークショップ (2DMaP) 2018年9月26日招待有り
Gated Four-Probe Method to Evaluate the Impact of SAM Gate Dielectric on Mobility in MoS2 FET

T. Kawanago, T. Oba, R. Ikoma, H. Takagi, S. Oda

ESSDERC 2018 2018年9月5日
Two-Dimensional Self-Assembled Monolayer Gate Dielectric for Interface Engineering in MoS2 FETs

T. Kawanago, R. Ikoma, T. Oba, H. Takagi, S. Oda,

JST-CREST 2D Materials and Devices International Workshop, EDTM 2018 2018年3月16日招待有り
Radical Oxidation Process for Hybrid SAM/HfOx Gate Dielectrics in MoS2 FETs

T. Kawanago, R. Ikoma, D. Wanjing, S. Oda

ESSDERC 2017 2017年9月12日
Transfer printing of nanostructured membrane with elastomeric stamp and its application to TMDC-based field-effect transistors

T. Kawanago, W. Du, R. Ikoma, T. Oba, H. Takagi, S. Oda

International Workshop on Junction Technology (IWJT) 2017 2017年6月1日招待有り
Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET

T. Kawanago, S. Oda

PRiME 2016 2016年10月5日招待有り
Adhesion Lithography to fabricate MoS2 FETs with Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics

T. Kawanago, R. Ikoma, D. Wanjing, S. Oda

ESSDERC 2016 2016年9月14日
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製

川那子高暢, 小田俊理

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 2016年6月29日招待有り
Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT

T. Kawanago, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

ESSDERC 2013 2013年9月17日
(100)- and (110)-oriented nMOSFETs with highly Scaled EOT in La-silicate/Si Interface for Multi-gate Architecture

T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai

ESSDERC 2012 2012年9月18日
直接接合La-silicate/Si界面構造を用いたEOT=0.62nmのnMOSFET

川那子高暢,角嶋邦之,Parhat Ahmet,片岡好則,西山彰,杉井信之,筒井一生,名取研二,服部健雄,岩井洋

第73回応用物理学会学術講演会講演奨励賞記念講演 2012年9月12日招待有り
Metal Inserted Poly-Si with High Temperature Annealing for Achieving EOT of 0.62nm in La-silicate MOSFET

T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai

ESSDERC 2011 2011年9月13日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

超低電圧動作2次元半導体CMOS集積回路の研究

一般財団法人キャノン財団第14回一般財団法人キャノン財団「新産業を生む科学技術」 2023年4月 - 2026年3月
ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2020年4月 - 2025年3月

川那子高暢
インターカレーションを駆使したゲルマニウムナノシートの電子物性制御

公益財団法人立松財団基礎工学研究助成 2019年8月 - 2022年7月
2次元有機・無機材料を用いたMIS界面創出とノーマリオフMoS2 FETの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2017年4月 - 2021年3月

川那子高暢
二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用

JST-CREST 二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出 2016年10月 - 2021年3月
ノーマリオフMoS2トランジスタの実現

矢崎科学技術振興記念財団奨励研究助成 2017年4月 - 2018年3月
自己組織化単分子膜を用いたMIS界面設計と新機能ナノ電子デバイスへの応用展開

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2015年8月 - 2017年3月

川那子高暢, 小田俊理, 居駒遼
ナノシリコンドット・ナノワイヤの配列制御によるネオシリコン量子情報処理素子の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2014年6月 - 2017年3月

小田俊理, 小寺哲夫, 河野行雄, 川那子高暢, ミルン W. I., ウイリアムス D.
高誘電率絶縁膜を用いたＭＯＳ界面の制御技術の開発と次世代高速トランジスタへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2013年4月 - 2015年3月

川那子高暢
移動度劣化のない高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製および移動度の解析

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2008年 - 2010年

川那子高暢

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経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

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