児島一聡 (Kazutoshi Kojima) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター新機能材料チームチーム長

学位: 博士（工学）(筑波大学)

J-GLOBAL ID: 200901014083638329
researchmap会員ID: 5000087151

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=K51210778

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

論文

156

Vertical Conduction of AlGaN-on-SiC Diodes with Buffer-Layer-Free Heterointerfaces

Yoshinao Miura, Hisashi Yamada, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 222(23) 2025年12月
Epitaxial growth of 4H-SiC layers on 4H-SiC vicinal off-cut substrates for GaN/SiC hybrid devices

Kazutoshi Kojima, Akira Nakajima, Hisashi Yamada, Shinsuke Harada

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 198 2025年11月1日
Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

Mitsuru Sometani, Kunihide Oozono, Shiyang Ji, Takeshi Tawara, Tadao Morimoto, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144(3) 257-262 2024年3月1日
Comparison of temperature-dependent resistivity of heavily Al- and N-codoped 4H-SiC grown by physical vapor transport and heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition

Atsuki Hidaka, Yuki Kondo, Akinobu Takeshita, Hideharu Matsuura, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa KATO, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

Japanese Journal of Applied Physics 2023年9月19日
Highly Sensitive Temperature Sensing Using the Silicon Vacancy in Silicon Carbide by Simultaneously Resonated Optically Detected Magnetic Resonance

Yuichi Yamazaki, Yuta Masuyama, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima

Physical Review Applied 2023年9月5日
Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Kazutoshi Kojima, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express 15(1) 015501-015501 2022年1月1日
Simple physical model for the sign of the Hall coefficient in variable-range hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Yuki Kondo, Kosuke Iida, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(3) 2021年3月
Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi− formation in 4H-silicon carbide

Takuma Narahara, Shin-Ichiro Sato, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Applied Physics Express 14(2) 2021年2月1日
Thermometric quantum sensor using excited state of silicon vacancy centers in 4H-SiC devices

Tuan Minh Hoang, Hitoshi Ishiwata, Yuta Masuyama, Yuichi Yamazaki, Kazutoshi Kojima, Sang-Yun Lee, Takeshi Ohshima, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano

Applied Physics Letters 118(4) 044001-044001 2021年1月25日
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

Yuichi Yamazaki, Yoji Chiba, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Hidekazu Tsuchida, Norihiro Hoshino …

Applied Physics Letters 118(2) 2021年1月11日
Vapor–liquid–solid growth of 4H-SiC single crystal films with extremely low carrier densities in chemical vapor deposition with a Pt–Si alloy flux and X-ray topography analysis of their dislocation propagation behaviors

Naoki Sanoodo, Tomohisa Kato, Yoshiyuki Yonezawa, Kazutoshi Kojima, Yuji Matsumoto

CrystEngComm 23(29) 5039-5044 2021年
Fast-filling of 4H-SiC trenches at 10 μm/h by enhancing partial pressures of source species in chemical vapor deposition processes

Shiyang Ji, Ryoji Kosugi, Kazutoshi Kojima, Kohei Adachi, Yasuyuki Kawada, Kazuhiro Mochizuki, Yoshiyuki Yonezawa, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

Journal of Crystal Growth 546 2020年9月15日
Observation of carrier lifetime distribution in 4H-SiC thick epilayers using microscopic time-resolved free carrier absorption system

K. Nagaya, T. Hirayama, T. Tawara, K. Murata, H. Tsuchida, A. Miyasaka, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura, M. Kato

Journal of Applied Physics 128(10) 2020年9月14日
Influence of CMP damage induced during flattening SiC epitaxial layer on device performances

Keiko Masumoto, Junji Senzaki, Masaki Hasegawa, Kentaro Ohira, Kazutoshi Kojima, Kenji Kobayashi, Hajime Okumura

Materials Science in Semiconductor Processing 116 2020年9月1日
Anomalous Conduction between the Band and Nearest-Neighbor Hopping Conduction Regions in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC

Atsuki Hidaka, Akinobu Takeshita, Kohei Ogawa, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Hideharu Matsuura, Shi Yang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani …

Materials Science Forum 1004 224-230 2020年7月
Anomalous Temperature Dependence of the Hall Coefficient of Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers in the Band Conduction Region

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Akinobu Takeshita, Kohei Ogawa, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shi Yang Ji, Kazuma Eto …

Materials Science Forum 1004 215-223 2020年7月
Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(5) 2020年5月
Low V F 4H-SiC N-i-P diodes using newly developed low-resistivity p-type substrates

Akihiro Koyama, Mitsuru Sometani, Kensuke Takenaka, Koji Nakayama, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Junji Senzaki, Yoshiyuki Yonezawa

Japanese Journal of Applied Physics 2020年4月1日査読有り
Single-phase high-quality semipolar (10-13) AlN epilayers on m-plane (10-10) sapphire substrates

Xu-Qiang Shen, Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura

Applied Physics Express 13(3) 2020年3月1日
Development of 4H-SiC Schottky np diode with high blocking voltage and ultralow on-resistance

Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura

Applied Physics Letters 116(1) 2020年1月6日

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MISC

Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC (vol 59, 051004, 2020)

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(8) 2020年8月
Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing

Yuichi Yamazaki, Yoji Chiba, Yoji Chiba, Takahiro Makino, Shin Ichiro Sato, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Kazutoshi Kojima, Sang Yun Lee …

Journal of Materials Research 2018年1月1日
Growth of silicon carbide epitaxial layers on 150-mm-diameter wafers using a horizontal hot-wall chemical vapor deposition (vol 381, pg 139, 2013)

Keiko Masumoto, Chiaki Kudou, Kentaro Tamura, Johji Nishio, Sachiko Ito, Kazutoshi Kojima, Toshiyuki Ohno, Hajime Okumura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 383 172-172 2013年11月
Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams

T. Ohshima, M. Deki, T. Makino, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Hirao, K. Kojima, T. Tomita, S. Matsuo, S. Hashimoto

APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY 1525 654-658 2013年
Homoepitaxial growth on a 4H-SiC C-face substrate

Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Hajime Okumura, Kazuo Arai

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 12(8-9) 489-494 2006年8月
Correlation between reliability of thermal oxides and dislocations in n-type 4H-SiC epitaxial wafers

Junji Senzaki, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Atsushi Shimozato, Kenji Fukuda

APPLIED PHYSICS LETTERS 89(2) 022909- 2006年7月
Investigation of in-grown dislocations in 4H-SiC epitaxial layers

K. Kojima, T. Kato, S. Kuroda, H. Okumura, K. Arai

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005, PTS 1 AND 2 527-529 147-+ 2006年
Nitrogen incorporation characteristics on a 4H-SiC epitaxial layer

K Kojima, S Kuroda, H Okumura, K Arai

APPLIED PHYSICS LETTERS 88(2) 021907-1-021907-3 2006年1月
Influence of lattice polarity of nitrogen and aluminum doping on 4H-SiC epitaxial layer

K Kojima, S Kuroda, H Okumura, K Arai

MICROELECTRONIC ENGINEERING 83(1) 79-81 2006年1月
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広 …

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(157) 1-4 2005年6月23日
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広 …

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105(154) 1-4 2005年6月23日
Effect of growth condition on micropipe filling of 4H-SiC epitaxial layer

K. Kojima, S. Nishizawa, S. Kuroda, H. Okumura, K. Arai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275(1-2) E549-E554 2005年2月
Modeling of SiC-CVDon Si-face/C-face in a horizontal hot-wall reactor

Shin-ichi Nishizawa, Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Kazuo Arai, Michel Pons

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275(1-2) E515-E520 2005年2月
Defect characterization of 4H-SiC bulk crystals grown on micropipe filled seed crystals

T Kato, K Kojima, SI Nishizawa, K Arai

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 483 315-318 2005年
2-inch 4H-SIC homoepitaxial layer grown on on-axis C-face substrate by CVD method

K Kojima, H Okumura, S Kuroda, D Arai, A Ohi, H Akinaga

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 483 93-96 2005年
Epitaxial overgrowth of 4H-SiC for devices with p-buried floating junction structure

J Nishio, C Ota, T Shinohe, K Kojima, H Okumura

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 483 147-150 2005年
Effects of n-type 4H-SiC epitaxial wafer quality on reliability of thermal oxides

J Senzaki, K Kojima, K Fukuda

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(25) 6182-6184 2004年12月
Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer

T Ohno, H Yamaguchi, S Kuroda, K Kojima, T Suzuki, K Arai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 271(1-2) 1-7 2004年10月
Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis (0001(-)) C-face substrates by chemical vapor depositon

K Kojima, H Okumura, S Kuroda, K Arai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 269(2-4) 367-376 2004年9月
Impact ionization coefficients of 4H silicon carbide

T Hatakeyama, T Watanabe, T Shinohe, K Kojima, K Arai, N Sano

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(8) 1380-1382 2004年8月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2024年4月 - 2029年3月

黒木伸一郎, 田中保宣, 児島一聡, 大島武, 武山昭憲, 牧野高紘
新規高温有機金属気相成長法における高品質AlNヘテロエピタキシーに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

沈旭強, 児島一聡
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

黒木伸一郎, 田中保宣, 児島一聡, 大島武, 武山昭憲, 牧野高紘

産業財産権

特許第6264768号半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法

児島一聡, 紀世陽, 宮澤哲哉, 土田秀一, 中山浩二, 逸見哲郎, 浅野勝則
特開2017-085047 エピタキシャルウェハの製造方法、エピタキシャルウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置

土田秀一, 宮澤哲哉, 米澤喜幸, 加藤智久, 児島一聡, 俵武志, 大月章弘
特許第6112712号炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法

升本恵子, 児島一聡, 田村謙太郎
特許第5867913号炭化珪素膜のCVD装置

百瀬賢治, 小田原道哉, 松沢圭一, 奥村元, 児島一聡, 石田夕起, 土田秀一, 鎌田功穂
特許第5839315号炭化珪素単結晶およびその製造方法

廣瀬富佐雄, 小島淳, 児島一聡, 加藤智久, 安達歩, 西川恒一
特許第5659381号炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法

小島淳, 廣瀬富佐雄, 児島一聡, 加藤智久, 西川恒一, 安達歩

児島一聡

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