2018年9月
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena
Microelectronics Reliability
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- 巻
- 88-90
- 号
- 開始ページ
- 482
- 終了ページ
- 485
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1016/j.microrel.2018.06.026
- ID情報
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- DOI : 10.1016/j.microrel.2018.06.026