2013年 キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価 電子情報通信学会技術研究報告 薄葉 俊, 馬場 暁, 新保 一成, 加藤 景三, 金子 双男, 皆川 正寛 巻 112 号 469 開始ページ 9 終了ページ 12 エクスポート BibTeX RIS