有元圭介 (Arimoto Keisuke) - マイポータル

基本情報

所属: 山梨大学大学院　総合研究部　工学域物質科学系（クリスタル科学研究センター）准教授

学位: Doctor of Philosophy (Engineering)(山梨大学)
博士（工学）(山梨大学)

研究者番号: 30345699
J-GLOBAL ID: 200901060191340460
researchmap会員ID: 5000020035

外部リンク: http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab/

研究キーワード

研究分野

経歴

2002年3月

山梨大学助手
2002年1月

東京大学技術補佐員
2000年 - 2001年

Scientist, Corning Technology Center
2000年10月

コーニング・ジャパン株式会社研究員
1999年4月

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社社員

学歴

- 1999年

東京大学大学院
- 1999年

東京大学
- 1997年

東京大学
- 1997年

東京大学

受賞

2019年3月

最優秀ポスター賞, Si(110)基板上に成長したSiGe混晶半導体の高分解能TEM観察, 日本顕微鏡学会関東支部

佐野雄一, 有元圭介, 斎藤慎吾, 各川敦史, 原康祐, 中川清和, 山中淳二

論文

Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures

Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

Materials Science in Semiconductor Processing 161 107476-107476 2023年7月
Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films via mechanochemically assisted close-spaced evaporation

Mater. Adv. 2 6713-6721 2021年9月6日査読有り
Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré

Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS 27 2326-2327 2021年8月1日査読有り
Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 571 126246 2021年7月7日査読有り
Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation

Daisuke Yazawa, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 39 043410 2021年5月26日査読有り
Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation

Kosuke O. Hara, Shin Kunieda, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Mai Itoh, Masashi Kurosawa

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 132 105928 2021年5月7日査読有り
Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami, K. Nakagawa

ECS Transactions 98(5) 277-290 2020年10月1日
Interface reaction of the SnS/BaSi2 heterojunction fabricated for solar cell applications

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

THIN SOLID FILMS 706 138064 2020年7月31日査読有り
HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110)

Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS 26 286 2020年7月30日査読有り
Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation

Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Junji Yamanaka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 113 105044 2020年3月1日査読有り
Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy

Shingo Saito, Yuichi Sano, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 113 105042 2020年3月1日査読有り
Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements

Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Taisuke Fujisawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 113 105052 2020年3月1日査読有り
Thermodynamic analyses of thermal evaporation of BaSi2

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 SFFA02 2020年2月1日査読有り
Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si

Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 SGGK06 2020年2月1日査読有り
Engineering strain, defects and electronic properties of (110)-oriented strained Si

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami, K. Nakagawa

ECS Transactions 98(5) 277-290 2020年
Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures

Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

ECS Transactions 93(1) 79-80 2019年11月1日査読有り
Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, Kazuo Ishizuka

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS 25 242-243 2019年8月5日査読有り
Fabrication of SnS/BaSi2 heterojunction by thermal evaporation for solar cell applications

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 SBBF01 2019年査読有り
Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures

Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara …

Semiconductor Science and Technology 33(12) 124016 2018年11月査読有り
Diffusion process in BaSi2 film formation by thermal evaporation and its relation to electrical properties

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 33 2297-2305 2018年8月28日査読有り

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MISC

電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

原康祐, 塚越由花, 牧瀬啓人, 有元圭介, 星裕介, 松島悟

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi₂ films deposited on Si(100) by thermal evaporation

K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami

Materials Science in Semiconductor Processing (72) 93-98 2017年10月4日
Fabrication of BaSi₂ thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami

Thin Solid Films (646) 546-551 2017年6月30日
イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性評価

村上太陽, 有元圭介, 山中淳二, 原康祐, 山本千綾, 宇佐美徳隆, 星裕介, 有澤洋, 澤野憲太郎, 中川清和

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.15p‐P11‐8 2016年9月1日
イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_xヘテロ構造の熱的安定性

有澤洋, 星裕介, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-2W-5 2015年8月31日
歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係

藤原幸亮, 酒井翔一朗, 小林昭太, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12P-P17-5 2015年2月26日
Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製

有澤洋, 星裕介, 藤原幸亮, 山中淳二, 有元圭介, 中川清和, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12A-D5-4 2015年2月26日
イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

中込諒, 酒井翔一朗, 藤原幸亮, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12P-P17-3 2015年2月26日
イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価

中込諒, 酒井翔一朗, 藤原幸亮, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.18P-PB10-6 2014年9月1日
歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価

藤原幸亮, 酒井翔一朗, 古川洋志, 井上樹範, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.18P-PB10-7 2014年9月1日
不純物イオン注入および熱処理がSi_1-xC_x層の結晶性に及ぼす影響

藤原幸亮, 酒井翔一朗, 古川洋志, 井上樹範, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.17A-PG2-3 2014年3月3日
圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果

酒井翔一朗, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.17A-PG2-2 2014年3月3日
イオン注入法がSi_1-XC_X/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果

中込諒, 酒井翔一朗, 藤原幸亮, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.17A-PG2-4 2014年3月3日
圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究

酒井翔一朗, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.18A-B4-9 2013年8月31日
固相成長法によるCap‐Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価

小幡智幸, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.17P-P8-2 2013年8月31日
ガスソースMBE法によるシリコン・炭素混晶の結晶成長と欠陥形成過程の解明

古川洋志, 酒井翔一朗, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 星裕介, 宇佐美徳隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28P-PA2-4 2013年3月11日
水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi_1-XGe_X薄膜形成技術

荒井哲司, 川口裕樹, 中村浩之, 池田礼隆, 有元圭介, 山中淳二, 佐藤哲也, 高松利行, 中川清和, 澤野憲太郎 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.16P-F11-3 2012年2月29日
(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係

中澤拓希, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.16A-F11-8 2012年2月29日
圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価

酒井翔一朗, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.16A-F11-7 2012年2月29日
SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定

小幡智幸, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 星裕介, 澤野憲太郎, 白木靖寛

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.16A-F11-9 2012年2月29日

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講演・口頭発表等

112

反射・透過型エリプソメトリー計測における透明基板内反射影響

茂木壮太, 有元圭介, 近藤英一, 金蓮花, ジェローズベルナール

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月26日
歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減

藤澤泰輔, 各川敦史, 堀内未希, 坂田千尋, 山中淳二, 原康祐, 澤野憲太郎, 中川清和, 有元圭介

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日
機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善

上田龍斗, 有元圭介, 山中淳二, 原康祐

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命

原康祐, 高垣僚太, 有元圭介, 宇佐美徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行

小國琢弥, 佐野雄一, 大島佑介, 原康祐, 有元圭介, 山中淳二

日本顕微鏡学会第64回シンポジウム 2021年11月24日
Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価

坂田千尋, 有元圭介, 各川敦史, 原康祐, 山中淳二

日本顕微鏡学会第64回シンポジウム 2021年11月24日
STEM-Moiré Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

2nd Canada – Japan Microscopy Societies Symposium 2021 2021年11月17日
Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

International Conference on Materials Science and Engineering (Materials Oceania) 2021年10月12日招待有り
Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré

Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

Microscopy & Microanalysis 2021 Meeting 2021年8月1日
2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSi面間隔評価の試行

小國琢弥, 佐野雄一, 原康祐, 有元圭介, 山中淳二

日本顕微鏡学会第77回学術講演会 2021年6月14日
電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

原康祐, 塚越由花, 牧瀬啓人, 有元圭介, 星裕介, 松島悟

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日
Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究

堀内未希, 斎藤慎吾, 原康介, 山中淳二, 有元圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日
歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究

吉川満希, 浪内大地, 陳北辰, 堀内未希, 藤澤泰輔, 山中淳二, 原康祐, 中川清和, 有元圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日
メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi2成膜

原康祐, 山本千綾, 山中淳二, 有元圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換

原康祐, 國枝慎, 山中淳二, 有元圭介, 伊藤麻維, 黒澤昌志

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET formed on SiGe/Si(110) on strained Si thickness and the channel direction

Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021年3月1日
Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami, K. Nakagawa

ECS PRiME 2020 2020年10月4日 The Electrochemical Society 招待有り
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性

藤澤泰輔, 各川敦史, 浪内大地, 佐野雄一, 泉大輔, 山中淳二, 原康祐, 澤野憲太郎, 中川清和, 有元圭介

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月9日応用物理学会
HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110)

Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

Microscopy & Microanalysis 2020 Meeting 2020年8月4日
近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜

原康祐, 瀧澤周平, 山中淳二, 黒澤昌志, 有元圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月15日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

(110)面を表面に有する歪みシリコン薄膜の酸化膜／半導体界面準位に関する研究

基盤研究(C)（一般） 2021年4月 - 2024年3月

有元圭介, 山中淳二, 澤野憲太郎
SnSの欠陥化学の探究と薄膜トランジスタへの展開

基盤研究(B)（一般） 2021年4月 - 2024年3月

柳博, 有元圭介
ダイヤモンド結晶中の遷移金属不純物と転位のインタラクション

基盤研究(C)（一般） 2020年4月 - 2023年3月

花田賢志, 有元圭介, 田渕雅夫
イオン注入法による歪みSi/SiGe/Si(110)構造の欠陥と表面形状の制御

基盤研究(C)（一般） 2018年4月 - 2021年3月

有元圭介, 山中淳二, 澤野憲太郎
転位形成の抑制による歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の超高移動度化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

有元圭介, 山中淳二
超高移動度一軸歪みゲルマニウム・チャネルデバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

澤野憲太郎, 有元圭介
イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2016年3月

宇佐美徳隆, 有元圭介, 澤野憲太郎
結晶欠陥形成過程の制御による超高正孔移動度歪みSi薄膜の形成と素子応用

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2013年4月 - 2015年3月

有元圭介
シリコン・カーボン混晶系歪みヘテロ薄膜の結晶欠陥形成プロセスと電気伝導特性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2011年 - 2012年

有元圭介
極低温トンネル反応と低速電子線誘起反応を利用した炭素薄膜の合成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2009年 - 2011年

佐藤哲也, 中川清和, 宮嶋尚哉, 山中淳二, 有元圭介
シリコン半導体薄膜およびナノ構造材料の極低温合成に関する基礎的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2006年 - 2008年

佐藤哲也, 中川清和, 山中淳二, 有元圭介
Research on Group Ⅳ Ultra-high Mobility Semiconductor Devices

Grant-in-Aid for Promotion of Private Scientific Research 2002年
Transport properties of SiGe
Formation of SiGe thin films and their application
Modulation of energy band structures by controlling strain
SiGeの電気伝導特性
多結晶SiGe薄膜の形成とその応用
歪みの制御によるエネルギーバンド構造の変調

産業財産権

電界効果トランジスタおよびその製造方法

メディア報道

公開授業

山梨大学山梨大学 2019年8月7日

有元圭介

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

メディア報道

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