井手啓介 (Keisuke Ide) - マイポータル

基本情報

所属: 東京科学大学総合研究院助教

学位: 博士（工学）(2017年9月東京工業大学)

研究者番号: 70752799
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0003-2197-6611
J-GLOBAL ID: 201601018358502911
Researcher ID: A-1614-2015
researchmap会員ID: 7000018132

外部リンク: https://www.mdxes.iir.isct.ac.jp/members/kamiya

経歴

2024年10月 - 現在

東京科学大学, 総合研究院元素戦略MDX研究センター, 助教
2018年 - 現在

大阪大学, 接合科学研究所, 共同研究員
2023年4月 - 2024年9月

東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 助教
2016年4月 - 2023年3月

東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教
2018年 - 2021年

物質・材料研究機構 (NIMS), 外来研究者
2015年1月 - 2016年3月

東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教
2012年4月 - 2014年12月

シャープ株式会社, ディスプレイデバイス開発本部

学歴

- 2012年3月

東京工業大学

委員歴

2024年 - 現在

International Meeting on Information Display, Program Sub-Committee
2023年 - 現在

JJAP 特集号 Guest Editor
2022年 - 現在

薄膜材料デバイス研究会, 組織委員会
2020年 - 現在

SSDM（国際固体素子カンファレンス）論文委員
2024年 - 2025年

SSDM（国際固体素子カンファレンス）, 2025年度実行委員
2024年

International TFT conference, Program Committee
2018年 - 2023年

応用物理学会, 学術講演会プログラム編集委員
2015年 - 2022年

日本学術振興会, 産学協力研究委員会１６６委員会
2015年1月 - 2017年3月

独立行政法人日本学術振興会 166委員会委員長補佐

主要な論文

Tandem Neural Network Rapidly Solves Multivalued Inverse Problems: Application to Oxide‐Semiconductor Characterization

Masatoshi Kimura, Keisuke Ide, Kuan‐Ju Zhou, Atsushi Shimizu, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Kei Terayama, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Advanced Intelligent Systems (in press) 2026年8月責任著者
Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes

Keisuke Ide, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Masato Sasase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Appl. Phys. Lett. Vol. 121(19) 192108 2022年11月査読有り筆頭著者責任著者
Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate

Kaiwen Li, Atsushi Shimizu, Xinyi He, Keisuke Ide, Kota Hanzawa, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Q. Zhang, Toshio Kamiya

ACS Appl. Electron. Mater. Vol. 4(4) 2026 2022年4月査読有り責任著者
Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide

Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Phys. Status Solidi A 216(5) 1800198 2018年8月査読有り筆頭著者責任著者
Effects of Base Pressure on Growth and Optoelectronic Properties of Amorphous In‐Ga‐Zn‐O: Ultralow Optimum Oxygen Supply and Bandgap Widening

Keisuke Ide, * Kyohei Ishikawa, Haochun Tang, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

physica status solidi (a) 216(1700832) 1-6 2018年2月査読有り筆頭著者責任著者
Electronic Defects in Amorphous Oxide Semiconductors

Keisuke Ide, Kenji Nomura, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

A Review; Phys. Status Solidi A 216(5) 1800372 2018年査読有り筆頭著者責任著者
Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

Keisuke Ide, Mitsuho Kikuchi, Masato Ota, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 56(3) 03BB03-1 - 5 2017年1月査読有り筆頭著者責任著者
Effects of low-temperature ozone annealing on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Thin Solid Films Vol. 520(10) 3787-3790 2012年査読有り筆頭著者
Structural relaxation in amorphous oxide semiconductor

Keisuke Ide, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

J. Appl. Phys Vol. 111(No. 073513) 1-6 2012年査読有り筆頭著者
Effects of excess oxygen on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Appl. Phys. Lett Vol. 99(No. 093507) 1-3 2011年査読有り筆頭著者