MISC

2003年2月3日

シリコン単電子素子とその応用

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
  • 内田 建
  • ,
  • 棚本 哲史
  • ,
  • 古賀 淳二
  • ,
  • 大場 竜二
  • ,
  • 安田 心一
  • ,
  • 藤田 忍

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1
終了ページ
6
記述言語
英語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

単電子素子は、その低消費電力性から、将来のLSIにおける要素素子として注目されている.しかしながら,現在のLSI技術は高度に成熱・先練されており,LSIにおけるMOSトランジスタのすべてを,単電子素子で置き換えることを目指すのは,現実的ではない.将来のLSIで単電子素子が利用されるためには,MOSトランジスタでは出しにくい,あるいは出せないような付加価値(機能)を,単電子素子がLSIに提供できるかどうかが鍵になってくる.本論文では,単電子素子を用いることで,LSIに1)高度なプログラム性と2)強固なセキュリティを実現するための高度な乱数生成機能を提供できる可能性があることを提案すると供に,それらの基本的な動作検証を実験的に行った結果について報告する.

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110003308210

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