MISC

1996年8月

Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN (vol 79, pg 3487, 1996)

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • K Uchida
    • ,
  • A Watanabe
    • ,
  • F Yano
    • ,
  • M Kouguchi
    • ,
  • T Tanaka
    • ,
  • S Minagawa
巻
80
号
3
開始ページ
1942
終了ページ
1942
記述言語
英語
掲載種別
その他
出版者・発行元
AMER INST PHYSICS
Web of Science ® 被引用回数 : 4
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リンク情報
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:A1996VA59400110&DestApp=WOS_CPL
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