MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間のポテンシャルのボトルネック部分で制御される。その状況ではソース充電時間はHBTのエミッタ充電時間と同じ概念が使える。最近HBTにおいてエミッタ電流密度が高くなると、電流の逆数とエミッタ充電時間の比例関係が成り立たなくなるモデルが報告されている。そこで本報告では、バリスティック性が強いと考えられるInGaAs MOSFETにおいて、高電流密度領域におけるソースの駆動能力について議論し、それに基づいてソース充電時間の電流密度依存性を推定した。ソース充電時間は、低電流密度領域においては電流密度の逆数に対して、あるオフセットを持って比例するが、高電流密度になるとオフセット成分は電子速度の上昇に伴い小さくなる。このオフセット成分は、有効質量の平方根に比例することから、有効質量の小さなInGaAs MOSFETでは、Si MOSFETに較べて充電時間が小さくなることが見積もれた。