本論文ではSiO_2あるいはhigh-kゲート絶縁膜を有する短チャネルFETにおける,高電界キャリア速度と低電界移動度の関係を明らかにする.移動度の基板バイアス電圧に対する依存性を正確に考慮することにより,速度と移動度の関係を抽出することが可能である.抽出の結果,速度と移動度の関係はゲート絶縁膜の種類によらずユニバーサルであることが明らかとなった.high-k FETではSiO_2 FETに比べて移動度が低いため,横方向電界の高い短チャネルデバイスで生じる速度飽和の効果が弱い.このため,短チャネルhigh-k FETでは移動度向上技術が速度及びオン電流向上により大きく寄与することが予想される.