内田建 (Uchida Ken) - MISC

Takayasu Sakurai, Akira Matsuzawa, Takakuni Douseki, Takakuni Douseki, Hideaki Matsuhashi, Toshiaki Tsuchiya, Yasuhisa Omura, Hiroshi Shimomura, Masashi Yonemaru, Koji Fujii, Atsushi Kameyama, Hiroshi Kawaguchi, Tsuneo Tsukahara, Minoru Kozaki, Masayoshi Kinoshita, Akihiro Sawada, Yasuyuki Matsuya, Jun Terada, Yoshitsugu Inagaki, Tsuneaki Fuse, Yusuke Ohtomo, Hiroshi Koizumi, Shunsuke Baba, Kazuyoshi Nishimura, Yoshifumi Yoshida, Norio Hama, Tohru Mogami, Toshiro Hiramoto, Ken Uchida, Shin Ichi Takagi, Toshinori Numata

Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology: For Ultralow-Power Applications 1-411 2006年12月1日

The effect of side-traps on ballistic transistor in Kondo regime

TANAMOTO Tetsufumi, UCHIDA Ken, FUJITA Shinobu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 354-355 2006年9月13日

Random Number Generator with 0.3MHz Generation Rate using Non-Stoichiometric Si_xN MOSFET

MATSUMOTO Mari, OHBA Ryuji, YASUDA Shinichi, UCHIDA Ken, TANAMOTO Tetsufumi, FUJITA Shinobu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 280-281 2006年9月13日

不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発

木下敦寛, 内田建, 古賀淳二

東芝レビュー 61(5) 33-36 2006年5月

0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)

内田建, 古賀淳二

東芝レビュー 61(2) 11-14 2006年2月

Unified Roughness Scattering Model Incorporating Scattering Component Induced by Thickness Fluctuation in SOI MOSFETs

ISHIHARA Takamitsu, UCHIDA Ken, KOGA Junji, TAKAGI Shin-ichi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 42-43 2005年9月13日

不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ

木下敦寛, 土屋義則, 八木下淳史, 内田建, 古賀淳二

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(249) 47-51 2004年8月13日

暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス

藤田忍, 内田建, 安田心一, 大場竜二, 野崎華恵, 棚本哲史

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 104(67) 47-52 2004年5月14日

高度情報セキュリティ向け超小型乱数生成回路 (特集 IT社会のセキュリティ技術)

藤田忍, 内田建, 安田心一

東芝レビュー 58(8) 47-51 2003年8月

シリコン単電子素子とその応用

内田建, 棚本哲史, 古賀淳二, 大場竜二, 安田心一, 藤田忍

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(640) 1-6 2003年2月3日

量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について

内田建, 古賀淳二, 大場竜二, 沼田敏典, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101(573) 89-94 2002年1月15日

超低消費電力LSIを実現する単一電子デバイス (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)

古賀淳二, 内田建, 大場竜二

東芝レビュー 57(1) 9-12 2002年1月

Non-Volatile Doubly Stacked Si Dot Memory with Si Nano-Crystalline Layer

OHBA Ryuji, SUGIYAMA Naoharu, UCHIDA Ken, KOGA Junji, FUJITA Shinobu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2001 590-591 2001年9月25日

ショットキーソース/ドレインMOSFETにおけるソースサイドホットエレクトロン生成効率の向上

内田建, 松澤一也, 古賀淳二

東芝レビュー 56(4) 49-52 2001年4月

SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス

古賀淳二, 内田建, 大場竜二, 鳥海明

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2000(2) 171-172 2000年9月7日

Novel Si Quantum Memory Structure with Self-Aligned Stacked Nanocrystalline Dots

OHBA Ryuji, SUGIYAMA Naoharu, KOGA Junji, UCHIDA Ken, TORIUMI Akira

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2000 122-123 2000年8月28日

SET/CMOS Hybrid for Future Low-Power LSI : Experimental Demonstration, Power Estimation, and Strategy for Its Reduction

UCHIDA Ken, KOGA Junji, OHBA Ryuji, TORIUMI Akira

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2000 120-121 2000年8月28日

シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子

内田建, 古賀淳二, 大場竜二, 高木信一, 鳥海明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 99(617) 35-39 2000年2月9日

CMOS結合型単一電子素子の研究開発 (特集量子化機能素子プロジェクト)

古賀淳二, 内田建, 大場竜二

FEDジャ-ナル 11(4) 29-32 2000年

Monte Carlo simulation of 50 nm devices with Schottky contact model

K. Matsuzawa, K. Uchida, A. Nishiyama

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 35-38 1999年12月1日

Experimental Analysis of Carrier Charging Characteristics in Si Nanocrystal Floating Gate Memory

OHBA Ryuji, SUGIYAMA Naoharu, KOGA Junji, UCHIDA Ken, TORIUMI Akira

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1999 78-79 1999年9月20日

ショットキーソース/ドレイン MOSFET の動作実証と駆動力予測

内田建

第44回応用物理学関係連合講演予稿集 747(29) 1997年

Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN (vol 79, pg 3487, 1996)

K Uchida, A Watanabe, F Yano, M Kouguchi, T Tanaka, S Minagawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 80(3) 1942-1942 1996年8月

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