内田建 (Uchida Ken) - MISC - researchmap

MISC

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シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計 (シリコン材料・デバイス)

田中千加, 萩島大輔, 内田建, 沼田敏典

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(296) 37-42 2013年11月14日
C-12-26 ナノスケールMOSFETのキャリア輸送(受賞記念講演,C-12.集積回路,一般セッション)

内田建

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2013(2) 86-86 2013年9月3日
10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整

太田健介, 齋藤真澄, 田中千加, 内田建, 沼田敏典

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 112(170) 37-42 2012年7月26日
10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整

太田健介, 齋藤真澄, 田中千加, 内田建, 沼田敏典

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(169) 37-42 2012年7月26日
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 (マイクロ波)

宮本恭幸, 山田真之, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(374) 59-62 2012年1月11日
23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

小寺哲夫, 堀部浩介, 蒲原知宏, 山端元音, 内田建, 荒川泰彦, 小田俊理

日本物理学会講演概要集 66(2) 698-698 2011年8月24日
トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析と Stress Memorization Technique (SMT) による性能向上

齋藤真澄, 中林幸雄, 太田健介, 内田建, 沼田敏典

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(406) 43-46 2011年1月24日
高不純物濃度の ETSOI(Extremely-thin SOI) 拡散層における移動度の異常な振る舞い

角谷直哉, 高橋綱己, 陳君〓, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(406) 35-38 2011年1月24日
招待論文 Stress and surface orientation engineering in scaled CMOSFETs considering high-field carrier transport (Electron devices)

Saitoh Masumi, Nakabayashi Yukio, Uchida Ken, NUMATA Toshinori

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(109) 125-129 2010年6月23日
CT-2-1 歪みによるCMOSデバイスの高性能化(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

内田建

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2010(2) "SS-37"-"SS-40" 2010年3月2日
半導体の不純物によるキャリアと反転層のキャリアの違いは?

内田建

應用物理 79(2) 160-164 2010年2月10日
強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測

高橋綱己, 山端元音, 小木純, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(408) 5-8 2010年1月22日
半導体に不純物が入ると? 材料による違いは?

内田建

應用物理 79(1) 70-73 2010年1月10日
High-κ ゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響

小林茂樹, 齋藤真澄, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(139) 7-10 2008年7月10日
シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性

齋藤真澄, 小林茂樹, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(80) 23-27 2008年6月2日
10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性

小林茂樹, 齋藤真澄, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 107(455) 9-12 2008年1月17日
High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係

齋藤真澄, 内田建

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(504) 29-32 2007年1月19日
Fully-Depleted SOI CMOS circuits and technology: For ultralow-power applications

Takayasu Sakurai, Akira Matsuzawa, Takakuni Douseki, Takakuni Douseki, Hideaki Matsuhashi, Toshiaki Tsuchiya, Yasuhisa Omura, Hiroshi Shimomura, Masashi Yonemaru, Koji Fujii, Atsushi Kameyama, Hiroshi Kawaguchi, Tsuneo Tsukahara, Minoru Kozaki, Masayoshi Kinoshita, Akihiro Sawada, Yasuyuki Matsuya, Jun Terada, Yoshitsugu Inagaki, Tsuneaki Fuse, Yusuke Ohtomo, Hiroshi Koizumi, Shunsuke Baba, Kazuyoshi Nishimura, Yoshifumi Yoshida, Norio Hama, Tohru Mogami, Toshiro Hiramoto, Ken Uchida, Shin Ichi Takagi, Toshinori Numata

Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology: For Ultralow-Power Applications 1-411 2006年12月1日
The effect of side-traps on ballistic transistor in Kondo regime

TANAMOTO Tetsufumi, UCHIDA Ken, FUJITA Shinobu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 354-355 2006年9月13日
Random Number Generator with 0.3MHz Generation Rate using Non-Stoichiometric Si_xN MOSFET

MATSUMOTO Mari, OHBA Ryuji, YASUDA Shinichi, UCHIDA Ken, TANAMOTO Tetsufumi, FUJITA Shinobu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 280-281 2006年9月13日

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