遠藤幸一 (Koichi Endo) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所

学位: 博士（情報科学）(2019年3月大阪大学)

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-8455-4817
J-GLOBAL ID: 202001011845953030
researchmap会員ID: R000014973

論文

Observation of photoemission behaviour during avalanche breakdown of insulated gate bipolar transistor with defect in the metal contact

Koichi Endo, Chie Hongo, Norimichi Chinone, Tomonori Nakamura, Toru Matsumoto, Koji Nakamae

Microelectronics Reliability 125 114365-114365 2021年10月筆頭著者
Single-pulse observation of photoemission during avalanche breakdown in insulated gate bipolar transistor

Endo, K., Chinone, N., Nakamura, T., Matsumoto, T., Nakamae, K.

Microelectronics Reliability 2020年
Temporally- And Spatially-Resolved Observations of Current Filament Dynamics in Insulated Gate Bipolar Transistor Chip during Avalanche Breakdown

Endo, K., Nakamae, K.

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 19(4) 2019年
Thermal behavior analysis of interconnect structures of Si semiconductor devices using the temperature dependent reflectance of an incoherent light beam

Endo, K., Midoh, Y., Nakamura, T., Matsumoto, T., Koshikawa, K., Nakamae, K.

Japanese Journal of Applied Physics 57(7) 2018年
Thermoreflectance mapping observation of Power MOSFET under UIS avalanche breakdown condition

Endo, K., Norimatsu, K., Nakamura, T., Setoya, T., Nakamae, K.

Microelectronics Reliability 55(9-10) 2015年
Destruction failure analysis and international reliability test standard for power devices

Setoya, T., Ogura, T., Saito, W., Matsudai, T., Endo, K.

Microelectronics Reliability 55(9-10) 2015年
A 500 V 1 A 1-Chip Inverter IC with a New Electric Field Reduction Structure

ENDO K.

Proc. ISPSD'94, 6 379-382 1994年
Growth Temperature Dependence of Disorderings in a Be-Doped GaAs/AlAs Multilayered Structure

Kamata Norihiko, Kobayashi Kikuo, Endo Koichi, Suzuki Takeo, Misu Akira

Jpn J Appl Phys 26(7R) 1092-1096 1987年

MISC

高性能DC-DCコンバータIC向け0.13μmプロセスによる低RonA 8V LDMOSの開発

末代知子, 佐藤久美子, 安原紀夫, 斉藤浩, 遠藤幸一, 竹内文雄, 山本真朗

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2010(83) 39-44 2010年11月29日
バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ

中村和敏, 松下憲一, 仲敏行, 池田佳子, 安原紀夫, 遠藤幸一, 鈴木史人, 高橋守郎, 山口正一, 中川明夫

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007(69) 71-75 2007年10月25日
CMOSプロセスにおける5V系パワーデバイスのホットキャリア耐量の改善

中村和敏, 仲敏行, 松下憲一, 末代知子, 安原紀夫, 遠藤幸一, 鈴木史人, 中川明夫

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2005(52) 1-5 2005年10月27日
高耐圧SOIパワーICの開発

川野友広, 遠藤幸一, 大塚一昭, 大沢靖男

パワーエレクトロニクス研究会論文誌 24(1) 70-78 1998年
500V-1AワンチップインバータIC

山口好広, 中川明夫, 遠藤幸一

東芝レビュー = Toshiba review / 東芝ビジネスエキスパート株式会社ビジネスソリューション事業部編集・制作 48(1) p55-58 1993年1月

書籍等出版物

JMPによる信頼性工学 : 製品の寿命予測とデータ解析

廣野, 元久, 遠藤, 幸一

日本規格協会 2022年8月 (ISBN: 9784542601147)

担当経験のある科目(授業)

2021年10月 - 現在

計算機工学 (国立研究開発法人電気通信大学)

所属学協会

産業財産権

特開2012-004471 半導体装置及びその製造方法

末代知子, 遠藤幸一, 佐藤久美子, 安原紀夫
特開2011-258623 パワー半導体システム

遠藤幸一, 常次幸男, 中村和敏
特開2011-130606 電源制御回路及びDC-DCコンバータ

遠藤幸一, 齊藤浩
特開2011-114126 半導体装置およびDC-DCコンバータ

中村和敏, 遠藤幸一
特開2011-091975 電源制御回路及びDC-DCコンバータ

遠藤幸一, 齊藤浩
特開2010-147239 半導体装置及びその製造方法

遠藤幸一, 泉沢優, 原琢磨, 小野昇太郎, 馬場嘉朗
特開2010-141006 半導体装置及びその製造方法

蕨野智之, 安原紀夫, 平早水啓史, 末代知子, 米村浩二, 佐藤久美子, 遠藤幸一, 石川隆司
特開2010-129768 半導体装置

遠藤幸一
特許第4372046号半導体装置

遠藤幸一, 角保人, 足立克之
特開2008-288280 半導体装置

小島勉, 遠藤幸一
特開2008-140817 半導体装置

鈴木史人, 遠藤幸一
特開2008-130719 半導体装置及びDC-DCコンバータ

佐藤信幸, 遠藤幸一
特許第4005999号半導体装置

遠藤幸一, 高橋守郎
特開2007-142041 半導体装置

遠藤幸一, 佐藤久美子, 渡邉君則, 安原紀夫, 末代知子, 川口雄介
特開2006-324380 半導体装置

遠藤幸一, 角保人, 足立克之
特開2006-245489 半導体装置

角保人, 遠藤幸一
特開2006-121863 半導体装置

遠藤幸一, 高橋守郎
特許第3781452号誘電体分離半導体装置およびその製造方法

遠藤幸一
特許第3575908号半導体装置

高木洋介, 遠藤幸一
特許第3517154号誘電体分離集積回路

遠藤幸一, 新井晴輝, 増田久美子, 佐藤信幸

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