本研究では，薄膜結晶状の酸化物半導体ガスセンサを用い，VOCに対し1 ppbのガス感度を達成することを目的とする。センサ膜としては，サファイア基板上にスパッタリング法を用いてエピタキシャル成長させたSnO2薄膜結晶を採用する。
初年度実績として真空装置の設計を行い，高品質なセンサ膜を得るための酸素欠損補償を行う成膜を実現できる装置を作成した。
それに続き本年度では，この装置を使い酸素補償条件下で，実験を行う予定であったが，よりよい成果を得るために実験計画の順序を翌年度と入れ替え，先立ってセンサに適した半導体の電気的特性を得るための，膜厚依存性の検討を行った。
その結果，膜厚と電気的特性，センサ感度の関係が明らかになり，感度向上を行うための指針が得られた。翌年度は，これをもとに酸素補償条件下での成膜とセンサ感度の検討を行う予定である。