村上英一 (Eiichi Murakami) - マイポータル

基本情報

所属: 九州産業大学理工学部電気工学科（元）教授

学位: 博士(工学）(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 201801017969879601
researchmap会員ID: B000311679

研究歴
日立中研（SiGe, δドーピングなどの新材料デバイス研究）
日立半導体グループ（ホットキャリア,Cu SIVなどの信頼性研究）
ルネサス（NBTI,Cuなどの信頼性研究、SOCから車載マイコン向けへ
MONOSメモリデータ保持不良モデル、ゼロディフェクト活動なども経験）
九州産業大学（SiC-MOSFET信頼性の研究、パワー回路応用の教育研究）

研究キーワード

研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

日本電子株式会社, 経営戦略室経営企画部 SI事業開発推進グループ, 技術顧問
2013年4月 - 2024年3月

九州産業大学, 工学部、理工学部, 教授
2010年4月 - 2012年10月

ルネサスエレクトロニクス, 解析評価技術部・歩留技術開発部, 部長
2006年10月 - 2010年3月

ルネサステクノロジ, 解析技術開発部, 部長
2003年4月 - 2006年9月

ルネサステクノロジ, 信頼性設計G, グループマネージャ
1983年4月 - 2003年3月

日立製作所, 中央研究所・半導体グループ, 主任研究員・主任技師など

学歴

1981年4月 - 1983年3月

早稲田大学大学院, 理工学研究科, 物理学及び応用物理学専攻（理学修士）
1978年4月 - 1981年3月

早稲田大学, 理工学部, 応用物理学科

論文

Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-annealed SiC-MOSFETs

Eiichi Murakami, Mitsuo Okamoto

IEEE Transactions on Electron Devices 68(3) 1207-1213 2021年3月査読有り筆頭著者
TDDB Lifetime Enhancement in SiC-MOSFETs under Gate-Switching Operations

Eiichi Murakami, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda

Materials Science Forum 1004 665-670 2020年7月査読有り筆頭著者
Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz gate-switching operation by using a gate off-voltage of -5 V

Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda

Materials Science Forum 924 711-714 2018年査読有り
Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation

Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs

Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, Tatsuya Takeshita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 2016年4月査読有り
A Coarse-Graining Approach to Rate Equations of the Composite AC-NBTI Model

Eiichi Murakami, Hideki Aono, Makoto Ogasawara

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(11) 3581-3587 2015年11月査読有り
Comprehensive TDDB lifetime prediction methodology for intrinsic and extrinsic failures in Cu interconnect dielectrics

N. Suzumura, M. Ogasawara, K. Makabe, T. Kamoshima, T. Ouchi, T. Furusawa, E. Murakami

MICROELECTRONIC ENGINEERING 106 200-204 2013年6月査読有り
Comprehensive lifetime prediction for intrinsic and extrinsic TDDB failures in Cu/Low-k interconnects

N. Suzumura, M. Ogasawara, K. Makabe, T. Kamoshima, T. Ouchi, S. Yamamoto, T. Furusawa, E. Murakami

2011 IEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE AND MATERIALS FOR ADVANCED METALLIZATION (IITC/MAM) 106 200-204 2011年査読有り
High reliable strain measurement for power devices using STEM-CBED method

N. Nakanishi, H. Arie, H. Maeda, Y. Hirose, N. Hattori, T. Koyama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 5C.3.6 2011年査読有り
Three-Dimensional Visualization Technique for Crystal Defects in High Performance p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Embedded SiGe Source/Drain

Shuichi Kudo, Nobuto Nakanishi, Yukinori Hirose, Kazuhiko Sato, Tomohiro Yamashita, Hidekazu Oda, Keiichiro Kashihara, Naofumi Murata, Toshiharu Katayama, Kyoichiro Asayama …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49(4) 2010年査読有り
Modeling of Cu IMD-TDDB caused by extrinsic defects

T. Ouchi, K. Makabe, M. Ogasawara, E. Murakami, N. Yoshioka

2010 INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM 120-124 2010年査読有り
Study of formation mechanism of nickel silicide discontinuities in high performance CMOS devices

S. Kudo, Y. Hirose, T. Futase, Y. Ogawa, T. Yamaguchi, K. Kihara, K. Kashihara, N. Murata, T. Katayama, K. Asayama …

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 311-316 2009年査読有り
A new detection method of soft breakdown in ultra-thin gate oxides by light-emission analysis

K. Ohgata, M. Ogasawara, M. Kawakami, T. Koyama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 700-703 2009年査読有り
Analysis of NI silicide abnormal growth mechanism using advanced TEM techniques

S. Kudo, Y. Hirose, N. Hashikawa, T. Yamaguchi, K. Kashihara, K. Maekawa, K. Asai, N. Murata, K. Asayama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 580-583 2008年査読有り
A study of SRAM NBTI by OTF measurement

H. Aono, E. Murakami, K. Shiga, F. Fujita, S. Yamamoto, M. Ogasawara, Y. Yamaguchi, K. Yanagisawa, K. Kubota

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 67-71 2008年査読有り
Electric-field and temperature dependencies of TDDB degradation in Cu/Low-k damascene structures

N. Suzumura, S. Yamamoto, D. Kodama, H. Miyazaki, M. Ogasawara, J. Komori, E. Murakami

2008 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 46TH ANNUAL 138-+ 2008年査読有り
A comprehensive study of FN degradation for driver MOSFETs in nonvolatile memory circuit

H. Aono, E. Murakami, T. Mizuno, H. Sato, K. Haraguchi, M. Kato, K. Kubota

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 71-75 2006年査読有り
A new TDDB degradation model based on Cu ion drift in cu interconnect dielectrics

N. Suzumura, S. Yamamoto, D. Kodama, K. Makabe, J. Komori, E. Murakami, S. Maegawa, K. Kubota

2006 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 44TH ANNUAL 484-+ 2006年査読有り
Modeling of NBTI saturation effect and its impact on electric field dependence of the lifetime

H Aono, E Murakami, K Okuyama, A Nishida, M Minami, Y Ooji, K Kubota

MICROELECTRONICS RELIABILITY 45(7-8) 1109-1114 2005年7月査読有り
Weibull analysis of Cu inter-level dielectrics reliability

K Makabe, S Nagayama, E Murakami, S Yamamoto, T Fujii, M Ogasawara, K Torii, K Oku, Y Ohji, K Kubota

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2004 (AMC 2004) 227-232 2004年査読有り

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MISC

I‐V,C‐V法を用いたSiC‐MOSFET Fowler‐Nordheimストレス劣化の解析

村上英一, 古市貴文

九州産業大学総合機器センター研究報告 (19) 1‐6 2016年3月31日
Nondestructive Observation of Si_0.5Ge_0.5/Ge/Si_1−xGe_x Heterostructure Using Soft X-Ray Emission Spectroscopy

Hirai Masaaki, Kusaka Masahiko, Iwami Motohiro, Nakamura Hatsuo, Murakami Eiichi, Nakagawa Kiyokazu

Japanese Journal of Applied Physics 30(9) L1653-L1655 1991年査読有り
Crystal Defect Study of Solid Phase Epitaxially Grown Si Surrounded by SiO2 Structures

E. Murakami, M. Tamura, K. Kusukawa, M. Moniwa, T. Warabisako, M. Miyao

1988 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Extended Abstracts 185-188 1988年
ＭＯＳトランジスタによる固相成長ＳＯＩ層の電気的特性評価

楠川喜久雄, 茂庭昌弘, 村上英一, 宮尾正信, 蕨迫光紀, 徳山巍

応用物理 56(11) 1495-1500 1987年

講演・口頭発表等

Classification of Commercial SiC-MOSFETs Based on Time-Dependent Gate-current Characteristics

E. Murakami, T. Takeshita, K. Oda, M. Kobayashi, K. Asayama, M. Okamoto

International Reliability Physics Symposium 2023年3月30日
Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs

E. Murakami, T. Takeshita, K, Oda

13 th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020·2021) 2021年10月26日
TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-switching operation

村上英一, 竹下達也, 織田一弘

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月2日
車載向け半導体デバイス信頼性の基礎

村上英一

SEAJ検査専門委員会主催技術講演会 2019年8月26日招待有り
SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果

福永玲依, 斎藤兼三, 新町絋司, 井上裕稀, 大串直輝, 村上英一

応用物理学会第66回春季学術講演会 2019年3月10日
SiC-MOSFETの温度依存(-60-200℃）ドレイン電流モデル

鈴木光明, 高橋陽平, 村上英一

応用物理学会第66回春季学術講演会 2019年3月10日
SiC‐MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性

秋好徹, 原田優介, 福田竜也, 村上英一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
FNストレスによるSiC‐MOSFETゲート電流の特異な挙動

古市貴大, 三原佳樹, 桝口和樹, 村上英一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年3月1日
SiC‐MOSFETのスイッチング動作による劣化(AC‐PBTI)

古市貴大, 交易場良輔, 鶴爽稀, 村上英一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月3日
SiC‐MOSFETのSPICE用ドレイン電流モデル

鶴留亮太, 山崎武, 前川凌雅, 濱雄介, 村上英一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月3日
I‐V特性から見たSiC‐MOSFETストレス劣化の特徴

村上英一, 清水宥喜, 米村望努, 原陽平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日
界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC‐MOSFETのキャリア移動度モデル

野口弘樹, 園田優, 村上英一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月3日
High reliable strain measurement for power devices using STEM-CBED method

N. Nakanishi, H. Arie, H. Maeda, Y. Hirose, N. Hattori, T. Koyama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2011年6月23日
Modeling of Cu IMD-TDDB caused by extrinsic defects

T. Ouchi, K. Makabe, M. Ogasawara, E. Murakami, N. Yoshioka

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2010年10月20日
A new detection method of soft breakdown in ultra-thin gate oxides by light-emission analysis

K. Ohgata, M. Ogasawara, M. Kawakami, T. Koyama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2009年11月12日
A study of SRAM NBTI by OTF measurement

H. Aono, E. Murakami, K. Shiga, F. Fujita, S. Yamamoto, M. Ogasawara, Y. Yamaguchi, K. Yanagisawa, K. Kubota

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2008年9月18日
Analysis of NI silicide abnormal growth mechanism using advanced TEM techniques

S. Kudo, Y. Hirose, N. Hashikawa, T. Yamaguchi, K. Kashihara, K. Maekawa, K. Asai, N. Murata, K. Asayama, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2008年9月17日
Electric-field and temperature dependencies of TDDB degradation in Cu/low-k damascene structures

N. Suzumura, S. Yamamoto, D. Kodama, H. Miyazaki, M. Ogasawara, J. Komori, E. Murakami

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2008年9月17日
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル

鈴村直仁, 山本茂久, 真壁一也, 小笠原誠, 小守純子, 村上英一

電子情報通信学会技術研究報告 2007年11月9日
Cu SIV信頼性における多数個ビアレイアウト効果

柴田隆二, 藤澤雅彦, 永山智士, 藤井貴子, 村上英一, 津国和之, 前川繁登, 久保田勝彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月4日

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産業財産権

特許第6220218号半導体集積回路装置

福尾則学, 青野英樹, 村上英一
特開2009-158987 半導体集積回路装置

藤井貴子, 村上英一, 柳沢一正, 竹内幹, 青木英雄, 山口日出, 大島隆文, 津国和之, 奥山幸祐
特開2008-053758 半導体集積回路装置

藤井貴子, 村上英一, 柳沢一正, 竹内幹, 青木英雄, 山口日出, 大島隆文, 津国和之, 奥山幸祐
特許第3746669号半導体装置の製造方法

村上英一, 西田彰男, 梅田一徳, 奥山幸祐, 山中俊明, 由上二郎, 木村紳一郎
特開2004-031439 半導体集積回路装置およびその製造方法

藤井貴子, 村上英一, 柳沢一正, 竹内幹, 青木英雄, 山口日出, 大島隆文, 津国和之
特許第2728433号半導体装置の製造方法

村上英一, 宮尾正信

村上英一

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研究分野

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