論文

2017年10月

Gate controlled diode characteristics of super steep subthreshold slope PN-body tied SOI-FET for high efficiency RF energy harvesting

2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
  • Shun Momose
  • ,
  • Jiro Ida
  • ,
  • Takayuki Mori
  • ,
  • Takahiro Yoshida
  • ,
  • Jumpei Iwata
  • ,
  • Takashi Horii
  • ,
  • Takahiro Furuta
  • ,
  • Kenji Itoh
  • ,
  • Koichiro Ishibashi
  • ,
  • Yasuo Arai

記述言語
掲載種別
研究論文(国際会議プロシーディングス)
DOI
10.1109/s3s.2017.8309230
出版者・発行元
IEEE

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8309230
URL
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8303182/8308731/08309230.pdf?arnumber=8309230
ID情報
  • DOI : 10.1109/s3s.2017.8309230

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