特許権 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 国立大学法人静岡大学, 国立大学法人東北大学 中野 貴之, 秩父 重英, 小島 一信 出願番号 特願2017-068686 出願日 2017年3月30日 公開番号 特開2018-169355 公開日 2018年11月1日 特許番号/登録番号 特許6856214 登録日 2021年3月22日 発行日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201803006224931500URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201803006224931500 ID情報 J-Global ID : 201803006224931500