酒池耕平 (kohei sakaike) - マイポータル

基本情報

所属: 広島商船高等専門学校

学位: 博士(工学)(広島大学)

J-GLOBAL ID: 201701001022611558
researchmap会員ID: B000280593

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2024年4月 - 現在

独立行政法人国立高等専門学校機構広島商船高等専門学校, 総合科学科（電子制御工学科）, 准教授
2017年4月 - 現在

独立行政法人国立高等専門学校機構広島商船高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授

受賞

2024年11月

AIP Publishing Showcaseに選出, AIP Publishing

Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi
2017年

奨励賞, マツダ財団

酒池耕平
2014年

講演奨励賞, 公益社団法人応用物理学会

酒池耕平
2011年

Best Paper Award, 薄膜材料デバイス研究会

酒池耕平

論文

Ultra-low-temperature formation of high-quality SiO2 via interface-driven self-organization of polysilazane induced by atmospheric pressure plasma jet irradiation

Kohei Sakaike, Jiawen Yu, Seiichiro Higashi

AIP Advances 15(10) 105305-1-105305-6 2025年10月3日査読有り筆頭著者
Silica conversion of polysilazanes by low-temperature plasma jet generated from Ar and water-vapor mixed gas

Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi

AIP Advances 14(11) 115205-1-115205-5 2024年11月1日査読有り筆頭著者
Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass

Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi

Japanese Journal of Applied Physics 54(8) 086503-86503 2015年7月査読有り
Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates

Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 04DA08-1-04DA08-5 2015年4月査読有り
Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate

Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Seiichiro Higashi

Japanese Journal of Applied Physics 53(10) 108002-108002 2014年9月査読有り
A technique for local area transfer and simultaneous crystallization of amorphous silicon layer with midair cavity by irradiation with near-infrared semiconductor diode laser

Kohei Sakaike, Yoshitaka Kobayashi, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(4) 040303-1-040303-4 2014年4月査読有り
Investigation of silicon grain structure and electrical characteristics of TFTs fabricated using different crystallized silicon films by atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation

Shohei Hayashi, Seiji Morisaki, Takahiro Kamikura, Shogo Yamamoto, Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(3) 03DG02 2014年3月査読有り
Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force

Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(1) 018004-1-018004-3 2014年1月査読有り
Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique

Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, Seiichiro Higashi

THIN FILM TRANSISTORS 12 (TFT 12) 64(10) 17-22 2014年査読有り
Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force

Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Shogo Nakamura, Seiichiro Higashi

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(23) 233510-1-233510-4 2013年12月査読有り
Leading Wave Crystallization Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation of Amorphous Silicon Films

Shohei Hayashi, Yuji Fujita, Takahiro Kamikura, Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Mitsuhisa Ikeda, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(5) 05EE02 2013年5月査読有り
Layer Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication

Kohei Sakaike, Yoshitaka Kobayashi, Shogo Nakamura, Shohei Hayashi, Muneki Akazawa, Seiji Morisaki, Mitsuhisa Ikeda, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(5) 05EC01-1-05EC01-6 2013年5月査読有り
Low-Temperature formation of single-crystalline silicon on glass and plastic substrates and its application to MOSFET fabrication

Seiichiro Hiqashi, Kohei Sakaike, Shohei Hayashi, Seiji Morisaki, Muneki Akazawa, Shogo Nakamura, Takashi Fukunaga

Proceedings of the International Display Workshops 1 258-261 2013年
Local Transfer of Single-Crystalline Silicon (100) Layer by Meniscus Force and Its Application to High-Performance MOSFET Fabrication on Glass Substrate

M. Akazawa, K. Sakaike, S. Nakamura, S. Higashi

2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2013年査読有り
Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation

Shohei Hayashi, Yuji Fujita, Takahiro Kamikura, Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Mitsuhisa Ikeda, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi

Applied Physics Letters 101(17) 2012年10月22日
Highly-crystallized Ge:H film growth from GeH 4 VHF-ICP - Crystalline nucleation initiated by Ni-nanodots

Katsunori Makihara, Jin Gao, Kohei Sakaike, Syohei Hayashi, Hidenori Deki, Mitsuhisa Ikeda, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings Vol. 5 140-141 2012年査読有り
Grain Growth Control during Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation Using Amorphous Si Strips and Slit Masks

Y. Fujita, S. Hayashi, K. Sakaike, S. Higashi

THIN FILM TRANSISTORS 11 (TFT 11) 50(8) 29-34 2012年査読有り
Crystallization of Amorphous Silicon Films by High-Frequency Tapping of Molten Silicon Using Piezo Actuator

Muneki Akazawa, Yuan Zhou, Kohei Sakaike, Shohei Hayashi, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi

2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS 215-218 2012年査読有り
Control of Crystal Growth Orientation by Micro-Thermal-Plasma-Jet Induced Melting and Solidification of Silicon Films on Porous Silicon Underlayer

Shohei Hayashi, Ryohei Matsubara, Yuji Fujita, Mitsuhisa Ikeda, Kohei Sakaike, Seiichiro Higashi

2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS 219-222 2012年査読有り
Layer Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Si Films with Mid-Air Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation

K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi

THIN FILM TRANSISTORS 11 (TFT 11) 50(8) 43-48 2012年査読有り

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MISC

Layer transfer and simultaneous activation of phosphorus atoms in silicon films by near-infrared semiconductor diode laser irradiation

Yoshitaka Kobayashi, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Seiichiro Higashi

Materials Research Society Symposium Proceedings 1426 275-280 2012年査読有り

書籍等出版物

プラスチック上の単結晶シリコンMOSトランジスタ作製技術

東清一郎, 酒池耕平 (担当:共著)

応用物理 2017年9月

講演・口頭発表等

52 ℃の低温プロセスで形成したSiO2薄膜の電気特性評価

酒池耕平, 東清一郎

第 72 回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化メカニズム

酒池耕平, 東清一郎

第 71 回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化

酒池耕平, 東清一郎

薄膜材料デバイス研究会第 20 回研究集会 2023年11月10日
プラスチック上での低温配線技術

酒池耕平

高専新技術説明会 2023年9月14日
インクジェット描画技術の新たな産業展開を目指したプラスチック上低温配線技術の開発

酒池耕平

イノベーション・ジャパン 2022 ～大学見本市＆ビジネスマッチング Online 2022年10月4日
フレキシブルエレクトロニクスの進歩に貢献しうる低コスト・低温配線技術の開発

酒池耕平

若手研究者の研究シーズマッチングイベントvol.2 2022年6月10日
金属ナノインクの体積変化を利用したレーザアニールによるプラスチック上での低抵抗金属薄膜の形成

酒池耕平, 東清一郎

薄膜材料デバイス研究会第18回研究集会 2021年11月18日
フレキシブル基板上での単結晶シリコンCMOSトランジスタ作製

酒池耕平, 中川明俊, 赤澤宗樹, 東清一郎

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
Low-temperature Layer Transfer of Midair-cavity Silicon Films by Meniscus Force and Its Application to High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication on a Polyethylene Terephthalate Substrate

K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, S. Higashi

The Electrochemical Society (ECS) 2014年11月
圧力制御による中空構造SOI層の転写歩留まり改善とTFT応用

中川明俊, 酒池耕平, 中村将吾, 赤澤宗樹, 東清一郎

第6回薄膜太陽電池セミナー2014 2014年10月
メニスカス力を用いた中空構造SOI層の大面積転写とフレキシブル薄膜太陽電池応用

酒池耕平, 中村将吾, 赤澤宗樹, 中川明俊, 東清一郎

第6回薄膜太陽電池セミナー2014 2014年10月
メニスカス力を用いた中空構造SOI層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFTの作製

酒池耕平, 赤澤宗樹, 小林義崇, 中村将吾, 東清一郎

第75回応用物理学会学術講演会 2014年9月
Fabrication of High Performance Single-Crystalline Silicon Thin Film Transistors on a Polyethylene Terephthalate Substrate

K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, S. Higashi

Solid State Devices and Materials(SSDM) 2014年9月
Fabrication of High-Performance N-Channel Silicon MOSFET on Glass Substrate Using Meniscus Force

M. Akazawa, K. Sakaike, S. Nakamura, S. Higashi

Mat. Res. Soc. Spring Meeting 2014年4月
メニスカス力による大面積転写技術を用いて形成されたPET基板上単結晶シリコン膜の密着性改善

中村将吾, 酒池耕平, 赤澤宗樹, 東清一郎

第61回応用物理学会学術講演会 2014年3月
フレキシブル基板上での単結晶シリコンMOSFETの作製

酒池耕平, 赤澤宗樹, 中村将吾, 東清一郎

第61回応用物理学会学術講演会 2014年3月
メニスカス力による中空構造SOI層の低温大面積転写技術

中村将吾, 酒池耕平, 赤澤宗樹, 東清一郎

第5回太陽電池セミナー 2013年11月
Large Area Transfer of Silicon Films with Midair Cavity Using Meniscus Force

S. Nakamura, K. Sakaike, M. Akazawa, T. Fukunaga, S. Hayashi, S. Higashi

International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC) 2013年11月
メニスカス力を利用した大面積中空構造SOI層の低温転写

中村将吾, 酒池耕平, 赤澤宗樹, 東清一郎

薄膜材料デバイス研究会第10回研究集会 2013年10月
メニスカス力を利用した熱酸化された中空構造SOI層の局所転写

赤澤宗樹, 酒池耕平, 中村将吾, 東清一郎

薄膜材料デバイス研究会第10回研究集会 2013年10月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

空中加熱滴下法による高品質薄膜低温形成技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2020年4月 - 2023年3月

酒池耕平
高信頼性フレキシブル集積デバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援 2017年8月 - 2019年3月

酒池耕平
中空構造Si膜を用いた低温転写技術によるフレキシブル基板上での局所集積回路作製

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

酒池耕平