特許権 面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子 国立研究開発法人物質・材料研究機構 増田 啓介, 三浦 良雄, 葛西 伸哉, 宝野 和博 出願番号 特願2018-075180 出願日 2018年4月10日 公開番号 特開2018-190966 公開日 2018年11月29日 特許番号/登録番号 特許第7127770号 登録日 2022年8月22日 発行日 権利者 国立研究開発法人物質・材料研究機構 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201803005355363829URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201803005355363829 ID情報 J-Global ID : 201803005355363829
