倉井聡 (Satoshi Kurai) - マイポータル

基本情報

所属: 山口大学創成科学研究科（工学）大学院担当助教
: (兼任)工学部電気電子工学科助教

学位: 博士(工学)(その他)

研究者番号: 80304492
J-GLOBAL ID: 200901025775000547
researchmap会員ID: 1000245758

研究キーワード

光電子デバイス

研究分野

経歴

2016年4月 - 現在

山口大学, 大学院創成科学研究科（工学）, 大学院担当助教
2007年4月 - 2016年3月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 大学院担当助教
1998年4月 - 2007年3月

山口大学, 工学部, 助手

学歴

- 1998年3月

徳島大学, 大学院工学研究科博士後期課程, 物質工学専攻
1993年4月 - 1995年3月

徳島大学, 大学院工学研究科博士前期課程, 電気電子工学専攻
- 1993年3月

徳島大学, 工学部, 電気電子工学科

委員歴

2008年10月 - 2011年3月

照明学会 LS委員会幹事
2008年9月 - 2010年8月

照明学会白色LED国際会議委員会幹事
2008年 - 2009年

The Second International Conference on White LEDs and Solid State Lighing, Technical Program Committee
2008年 - 2009年

第2回白色LEDと固体照明国際会議プログラム委員
2006年10月 - 2008年5月

照明学会白色LED照明システム応用技術特別委員会幹事
2007年12月 - 2008年4月

照明学会英文誌委員会幹事
2007年5月 - 2008年3月

照明学会白色LED照明システム応用技術特別委員会幹事
2006年 - 2008年

第1回白色LEDと固体照明国際会議実行委員会の組織委員長補佐・事務局
2003年5月 - 2005年5月

電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会専門委員
2002年 - 2003年

日本物理学会中国支部・四国支部、応用物理学会中国四国支部例会 2003年度支部例会実行委員会委員

受賞

2008年8月

平成20年度照明学会研究奨励賞, 照明学会
2002年3月

プラズマ応用科学会論文賞, プラズマ応用科学会

論文

Temperature Dependence of Optical Polarization in AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells with Emission Wavelengths of 220–260 nm

Hideaki Murotani, Hiromasa Hayashi, Aoi Sasaki, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Ryota Akaike, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2025年5月22日査読有り
Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion

Narihito Okada, Ryota Hidaka, Taketo Kowaki, Takahiro Saito, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada …

Journal of Applied Physics 136(2) 025705-1-025705-8 2024年7月11日査読有り
Electrical Properties of N‐Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy

Aina Hiyama Zazuli, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

physica status solidi (a) 2400060-1-2400060-7 2024年6月27日査読有り
Effect of the Twist Crystallinity of N‐Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures

Taketo Kowaki, Koki Hanasaku, Minagi Miyamoto, Aina Hiyama Zazuli, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2400053-1-2400053-5 2024年6月24日査読有り
Growth Mechanism of N-Polar GaN on Vicinal N-Polar AlN Templates in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Aina Hiyama Zazuli, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2400055-1-2400055-6 2024年6月査読有り
Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low‐Dislocation Sputtered AlN Templates

Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 261 2300567-1-2300567-7 2024年4月27日査読有り責任著者
Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm

Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月7日査読有り
Temperature‐ and Excitation Power Density‐Resolved Photoluminescence of AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220–260 nm

Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月査読有り
Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates

Minagi Miyamoto, Wataru Matumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 62 SN1016-1-SN1016-5 2023年10月査読有り
Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N‐polar AlGaN/AlN FETs

Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2023年7月15日査読有り
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日査読有り
Control of Polarity of AlN Grown on Sapphire Substrate and Growth with Both Al‐ and N‐Polarities

Shunsuke Tanigawa, Takuya Sakoyama, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 260(8) 2023年4月19日査読有り
Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates

Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

AIP Advances 13(4) 045319 2023年4月査読有り筆頭著者責任著者
Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells

Hideaki Murotani, Keigo Nakatsuru, Satoshi Kurai, Narihito OKADA, Yoshiki Yano, Shuichi Koseki, Piao Guanxi, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 62 031001 2023年3月16日査読有り
Long wavelength red to green emissions from {11 -22} semipolar multi-quantum wells on fully relaxed InGaN underlayer

Yuya Tawarazako, Naoya Nishi, Atsuto Nakata, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SA) SA1019-1-SA1019-9 2023年1月1日査読有り
Growth and characterization of nitrogen-polar AlGaN/AlN and demonstration of field effect transistor

Lu You, Wataru Matsumura, Kazuya Ataka, Shunsuke Matsuda, Daisuke Inahara, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Taketo Kowaki, Yongzhao YAO, Yukari Ishikawa …

Japanese Journal of Applied Physics 2022年9月27日査読有り
Study on higher-energy emission observed locally around V-pits on InGaN/GaN quantum wells grown on moderate-temperature GaN

Satoshi Kurai, Junji Gao, Ryoga Makio, Naoya Hayashi, Shota Yuasa, Ryutaro Yamamoto, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoichi Yamada

Journal of Applied Physics 130(5) 053103-1-053103-9 2021年8月査読有り筆頭著者責任著者
Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions

Satoshi Kurai, Ayumu Wakamatsu, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCB13-1-SCCB13-6 2019年5月査読有り筆頭著者責任著者
Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination

Hideaki Murotani, Kazunori Shibuya, Ayumu Yoneda, Yuki Hashiguchi, Hiroyuki Miyoshi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi …

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCB02-1-SCCB02-5 2019年4月査読有り
Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer

Kohei Sugimoto, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 062101-1-062101-5 2018年6月1日査読有り

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MISC

第1回白色LEDと固体照明国際会議報告

田口常正, 倉井聡, 神野雅文

照明学会誌 = JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 92(3) 148-154 2008年3月1日
EDITORIAL : Special issue on White LEDs-07 :

[Author not found], JINNO Masafumi, KURAI Satoshi

Journal of light and visual environment 32(2) 56-57 2008年
RF-MBE法によるInGaN薄膜成長とラザフォード後方散乱法による評価

倉井聡, 作田寛明, 山中良友, 河野裕, 羽柴良和, 田口常正

プラズマ応用科学 12 163-166 2004年
高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長

甲斐荘敬司, 井上孝行, 横畑彰人, 倉井聡, 山田陽一, 田口常正

日本結晶成長学会誌 29(5) 439-444 2002年12月25日
圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長

井上孝行, 関洋二, 小田修, 倉井聡, 山田陽一, 田口常正

日本結晶成長学会誌 27(2) 54-59 2000年

書籍等出版物

白色LED照明技術のすべて

倉井聡, 田口常正, ほか (担当:共著, 範囲:59-80)

工業調査会 2009年4月 (ISBN: 9784769312840)
白色LED照明システム技術の応用と将来展望

倉井聡, 田口常正, 山田陽一, 只友一行, その (担当:共著, 範囲:105-114)

シーエムシー出版 2003年6月30日 (ISBN: 9784781300085)

講演・口頭発表等

476

極性面GaN/AlN 構造におけるGaNチャネル層のTMGパルス供給成長

山中郁哉, A. H. Zazuli, 木本大星, 仁ノ木亮祐, 林内天, 段畠陽樹, 平田靖晃, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
N極性面GaN/AlN HEMTにおけるGaNチャネル再成長に関する研究

段畠陽樹, A. H. Zazuli, 山中郁哉, 木本大星, 林内天, 藤原魁土, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
表面処理による窒素極性面AlNの表面状態に関する研究

木本大星, A. H. Zazuli, 山中郁哉, 段畠陽樹, 林内天, 仁ノ木亮祐, 平田靖晃, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
Al薄膜を用いたc面sapphire基板上のMOVPE法によるGaNの結晶成長と評価

藤原魁土, 平田靖晃, 岡田成仁, 倉井聡, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
非極性面 InGaN/GaN MQWへの応力印加によるPL特性

住野孝鴻, 三輪健人, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
N極性GaN/AlGaN/AlN HEMTデバイスに対するアニールの影響

平田靖晃, 仁ノ木亮祐, A. H. Zazuli, 林内天, 山中郁哉, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
N極性面AlNの成長における温度及びV/III比依存性

段畠陽樹, A. H. Zazuli, 山中郁哉, 木本大星, 林内天, 仁ノ木亮祐, 平田靖晃, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
N極性GaN/AlGaN/AlN HEMT構造に対するGaNチャネル層のSiドーピング効果

林内天, A. H. Zazuli, 山中郁哉, 木本大星, 段畠陽樹, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
障壁層Al組成比が異なるAlGaN量子井戸構造のカソードルミネセンス評価

金重岳志, 山口竜平, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
活性層選択励起下におけるUVB帯AlGaN量子井戸構造の内部量子効率評価

河野真大, 落合俊介, 辻啓人, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, M. A. Khan, 牟田光弘, 祝迫恭, 平山秀樹, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
UVC帯AlGaN系量子井戸構造における偏光特性が内部量子効率に与える影響

村垣勇飛, 谷海智, 落合俊介, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, M. A. Khan, 牟田光弘, 祝迫恭, 平山秀樹, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
230nm帯AlGaN量子井戸構造の積層構造が内部量子効率に与える影響

森若純一, 落合俊介, 佐々木碧, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人, 山田陽一

2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025年7月26日
N極性面GaN/AlN HEMTの電気特性の動作温度依存性

山中郁哉, Aina Hiyama Zazuli, 藤井開, 木本大星, 仁ノ木亮祐, 倉井聡, 岡田成仁, 田中敦之, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 廣木正伸, 平間一行, 谷保芳孝, 中野貴之, 山田陽一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
220-230 nm発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光度の温度依存性

谷海智, 落合俊介, 村垣勇飛, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, M. Ajmal Khan, 牟田光弘, 祝迫恭, 平山秀樹, 山田陽一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日
外部応力によるN 極性GaN/Al0.9Ga0.1N/AlN HEMTの電気特性変化

Aina Hiyama Zazuli, 藤井開, 仁ノ木亮祐, 木本大星, 山中郁哉, 平田靖晃, 段畠陽樹, 林内天, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日
N極性面GaN HEMTデバイスの性能に及ぼすアニールの影響

仁ノ木亮祐, 平田靖晃, Aina Hiyama Zazuli, 藤井開, 木本大星, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日
N極性面AlNの結晶成長とGaN/AlN HEMTへの応用

岡田成仁, Aina Hiyama Zazuli, 藤井開, 木本大星, 仁ノ木亮祐, 山中郁哉, 倉井聡, 山田陽一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日
N-polar GaN;AlGaN/AlN FET on high-quality N-polar AlN template with Al-polar tiny-pit AlN layer;polarity inversion grown;by MOVPE

Narihito Okada, Aina Hiyama Zazuli, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)
Temperature dependence of optical polarization in AlGaN multiple quantum wells with emission wavelengths from 220 to 260 nm

Hideaki Murotani, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Aoi Sasaki, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Ryota Akaike, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)
内部量子効率の異なるAlGaN量子井戸構造におけるキャリア実効拡散長の照射電流依存性

山口竜平, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人, 山田陽一

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月18日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

顕微分光法によるAlGaN混晶半導体の局所発光・欠陥評価と効率低下機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2022年4月 - 2026年3月

倉井聡
顕微分光法によるⅢ族窒化物量子井戸構造の転位近傍高エネルギー発光の起源と機能

日本学術振興会科学研究費助成事業 2019年4月 - 2022年3月

倉井聡
結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

山田陽一, 倉井聡
顕微分光法によるGaInN混晶半導体のポテンシャル障壁の定量解析と高効率化モデル

日本学術振興会科学研究費助成事業 2016年4月 - 2019年3月

倉井聡
空間分解分光学的見地からのIII族窒化物不均一混晶半導体の発光機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業 2013年4月 - 2016年3月

倉井聡
次世代高演色性白色LED実用化のための新規蛍光体の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

田口常正, 山田陽一, 倉井聡

倉井聡

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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